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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2020-11-26 14:40 Niナノインクを用いた印刷法で形成したn-GaNショットキー接触の二次元特性 ○川角優斗・安井悠人（福井大）・柏木行康・玉井聡行（阪産技研）・塩島謙次（福井大）  ED2020-10 CPM2020-31 LQE2020-61 |
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| 抄録 | （和） | 界面顕微光応答法（SIPM）を用いて，Niナノインクを用いた印刷法で形成したn-GaNショットキー接触の二次元評価を行った．アニール温度400 ℃では，直列抵抗が大きく，電極全体で光電子収率（Y）の不均一がみられた．500 ℃では，ショットキー障壁高さ(qφB)が1.21 eVと大きく，n値が1.13と小さい良好なI-V特性が得られ，高い均一性を示した．アニール温度が600 ℃Cに上昇すると，NiとGaNの界面反応に起因するリーク電流の大きなI-V特性が得られた．本研究で得られたqφBは従来の電子ビーム蒸着法で形成したNi/n-GaNショットキー接触で得られる値(qφB = 1.15 eV)と同等であり，Niナノインクの印刷がn-GaN上のショットキー接触の形成に有望であることを示した． |
| （英） | Two-dimensional characterization of n-GaN Schottky contacts formed by printing method using Ni nanoink was performed by scanning internal photoemission microscopy (SIPM). The sample annealed at 400 ℃ showed a large series resistance and nonuniformity over the electrode. The sample annealed at 500 ℃ obtained better I-V characteristics with a large q$phi$B value of 1.21 eV, a small n-value of 1.13 and better uniformity. However, when annealing temperature increased to 600 ℃, the I-V characteristics became leaky due to the interfacial reaction between Ni and GaN. The q$phi$B value obtained in this study was comparable with that a conventional evaporated Ni contact, and SIPM indicated that the printing method using nanoink is a candidate to form Schottky contacts on n-GaN. | |
| キーワード | （和） | GaN / ショットキー接触 / プリンテッドエレクトロニクス / 界面顕微光応答法 / / / / |
| （英） | GaN / Schottky contact / printed electronics / scanning internal photoemission microscopy / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 120, no. 254, ED2020-10, pp. 37-40, 2020年11月. | |
| 資料番号 | ED2020-10 | |
| 発行日 | 2020-11-19 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2020-10 CPM2020-31 LQE2020-61 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE CPM ED |
| 開催期間 | 2020-11-26 - 2020-11-27 |
| 開催地（和） | オンライン開催 |
| 開催地（英） | Online |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電デバイス、材料、関連技術、及び一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2020-11-LQE-CPM-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | Niナノインクを用いた印刷法で形成したn-GaNショットキー接触の二次元特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Two-Dimensional Characterization of n-GaN Schottky Contacts Printed by Using Ni Nanoink |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | ショットキー接触 / Schottky contact |
| キーワード(3)（和/英） | プリンテッドエレクトロニクス / printed electronics |
| キーワード(4)（和/英） | 界面顕微光応答法 / scanning internal photoemission microscopy |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 川角 優斗 / Yuto Kawasumi / カワスミ ユウト |
| 第1著者 所属（和/英） | 福井大学 (略称： 福井大) University of Fukui (略称： Univ. of Fukui) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 安井 悠人 / Yuto Yasui / ヤスイ ユウト |
| 第2著者 所属（和/英） | 福井大学 (略称： 福井大) University of Fukui (略称： Univ. of Fukui) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 柏木 行康 / Yukiyasu Kashiwagi / カシワギ ユキヤス |
| 第3著者 所属（和/英） | 大阪産業技術研究所 (略称： 阪産技研) Osaka Research Institute of Industrial Science and Technology (略称： ORIST) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 玉井 聡行 / Toshiyuki Tamai / タマイ トシユキ |
| 第4著者 所属（和/英） | 大阪産業技術研究所 (略称： 阪産技研) Osaka Research Institute of Industrial Science and Technology (略称： ORIST) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 塩島 謙次 / Kenji Shiojima / シオジマ ケンジ |
| 第5著者 所属（和/英） | 福井大学 (略称： 福井大) University of Fukui (略称： Univ. of Fukui) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2020-11-26 14:40:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2020-10, CPM2020-31, LQE2020-61 |
| 巻番号（vol） | vol.120 |
| 号番号（no） | no.254(ED), no.255(CPM), no.256(LQE) |
| ページ範囲 | pp.37-40 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2020-11-19 (ED, CPM, LQE) |
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