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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2020-11-26 15:30 酸素プラズマ処理によるAlGaN/GaN HEMTsの破壊電圧向上に関する研究 ○神谷俊佑・西谷高至・松田 悠・高野 望・ジョエル タクラ アスバル・徳田博邦（福井大）・葛原正明（関西学院大）  ED2020-12 CPM2020-33 LQE2020-63 |
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| 抄録 | （和） | 窒化ガリウム(GaN)は高い破壊電界強度を持っており、シリコン(Si)に代わるパワーデバイスの材料となることが期待されている。しかしながら、現在のAlGaN/GaN HEMTsではGaNの持つ3 MV/cmの破壊電界強度を活かせていない。そこで、私たちは酸素プラズマ処理を行ったAlGaN/GaN HEMTsの破壊電圧が向上したことを報告する。酸素プラズマ処理はゲート電極を形成後、アクセス領域のAlGaN表面に行った。酸素プラズマ処理により表面トラップが減少したため、ゲート-ドレイン電極間の電界分布が一様になり、破壊電圧が向上したものと考えられる。 |
| （英） | With its high critical electric field as consequence of its wide bandgap, gallium nitride (GaN) is considered a leading post-silicon semiconductor material well-suited for power devices. However, at present, AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors (HEMTs) usually exhibit effective critical field values much lower than the theoretical limit. In this work, we report on the improved breakdown voltage characteristics in oxygen plasma-treated AlGaN/GaN HEMTs. Treatment was performed after the gate metal deposition, effectively exposing only the AlGaN surface in the access regions to oxygen plasma. It is believed that the increased breakdown voltage after oxygen plasma treatment is due to reduced surface charging, leading to a relatively flat distribution of electric field along the gate-drain access region. | |
| キーワード | （和） | 窒化ガリウム / 高移動度トランジスタ / O2プラズマ処理 / 耐圧 / / / / |
| （英） | gallium nitride / high-electron-mobility transistor / O2 plasma treatment / breakdown voltage / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 120, no. 254, ED2020-12, pp. 45-48, 2020年11月. | |
| 資料番号 | ED2020-12 | |
| 発行日 | 2020-11-19 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2020-12 CPM2020-33 LQE2020-63 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE CPM ED |
| 開催期間 | 2020-11-26 - 2020-11-27 |
| 開催地（和） | オンライン開催 |
| 開催地（英） | Online |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電デバイス、材料、関連技術、及び一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2020-11-LQE-CPM-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 酸素プラズマ処理によるAlGaN/GaN HEMTsの破壊電圧向上に関する研究 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Enhanced Breakdown Voltage in AlGaN/GaN HEMTs by Oxygen Plasma Treatment |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 窒化ガリウム / gallium nitride |
| キーワード(2)（和/英） | 高移動度トランジスタ / high-electron-mobility transistor |
| キーワード(3)（和/英） | O2プラズマ処理 / O2 plasma treatment |
| キーワード(4)（和/英） | 耐圧 / breakdown voltage |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 神谷 俊佑 / Shunsuke Kamiya / カミヤ シュンスケ |
| 第1著者 所属（和/英） | 福井大学 (略称： 福井大) University of Fukui (略称： Univ. of Fukui) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 西谷 高至 / Takashi Nishitani / ニシタニ タカシ |
| 第2著者 所属（和/英） | 福井大学 (略称： 福井大) University of Fukui (略称： Univ. of Fukui) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松田 悠 / Yu Matsuda / マツダ ユウ |
| 第3著者 所属（和/英） | 福井大学 (略称： 福井大) University of Fukui (略称： Univ. of Fukui) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高野 望 / Nozomu Takano / タカノ ノゾム |
| 第4著者 所属（和/英） | 福井大学 (略称： 福井大) University of Fukui (略称： Univ. of Fukui) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | ジョエル タクラ アスバル / Joel T. Asubar / ジョエル タクラ アスバル |
| 第5著者 所属（和/英） | 福井大学 (略称： 福井大) University of Fukui (略称： Univ. of Fukui) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 徳田 博邦 / Hirokuni Tokuda / トクダ ヒロクニ |
| 第6著者 所属（和/英） | 福井大学 (略称： 福井大) University of Fukui (略称： Univ. of Fukui) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 葛原 正明 / Masaaki Kuzuhara / クズハラ マサアキ |
| 第7著者 所属（和/英） | 関西学院大学 (略称： 関西学院大) Kwansei Gakuin University (略称： Kwansei Gakuin Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2020-11-26 15:30:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2020-12, CPM2020-33, LQE2020-63 |
| 巻番号（vol） | vol.120 |
| 号番号（no） | no.254(ED), no.255(CPM), no.256(LQE) |
| ページ範囲 | pp.45-48 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2020-11-19 (ED, CPM, LQE) |
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