| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2020-11-26 15:50 Mist-CVD法によるAl2O3絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性 ○ロー ルイ シャン・永瀬 樹・バラトフ アリ・アスバル ジョエル タクラ・徳田博邦（福井大）・葛原正明（関西学院大）・谷田部然治・内藤健太・本山智洋・中村有水（熊本大）  ED2020-13 CPM2020-34 LQE2020-64 |
|
| 抄録 | （和） | 近年、ミスト化学気相成長（mist-CVD）法を用いて原子層堆積法と同等の膜質を有する Al2O3アモルファス薄膜の形成例が報告されている。本研究ではmist-CVD 法により堆積したAl2O3をゲート絶縁膜に採用した AlGaN/GaN MIS-HEMTを作製した。Mist₋Al2O3 MIS-HEMTはフォワードゲートリーク電流を抑制することができ、SG-HEMTより高い最大ドレイン電流が得られた。さらにmist-Al2O3 MIS キャパシタを試作し、絶縁膜/AlGaN界面特性の評価を行った。ヒステリシスのない伝達特性と容量–電圧特性が得られ、mist-Al2O3/AlGaN界面は良好な特性を有していることが示唆された。 |
| （英） | We have fabricated AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor high-electron mobility transistors (MIS-HEMTs) using Al2O3 gate dielectric deposited by mist chemical vapor deposition (mist-CVD) technique. The mist-Al2O3 MISHEMTs exhibited highly improved performance compared with the Schottky-gate devices. We obtained practically hysteresis-free transfer curves and capacitance-voltage profiles from the fabricated mist-Al2O3 MIS-HEMTs suggesting high interfacial quality of the mist-Al2O3/AlGaN structure. | |
| キーワード | （和） | ミスト CVD / AlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ / Al2O3絶縁膜 / / / / / |
| （英） | Mist-CVD / AlGaN/GaN HEMT / Al2O3 insulator / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 120, no. 254, ED2020-13, pp. 49-52, 2020年11月. | |
| 資料番号 | ED2020-13 | |
| 発行日 | 2020-11-19 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2020-13 CPM2020-34 LQE2020-64 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE CPM ED |
| 開催期間 | 2020-11-26 - 2020-11-27 |
| 開催地（和） | オンライン開催 |
| 開催地（英） | Online |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電デバイス、材料、関連技術、及び一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2020-11-LQE-CPM-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | Mist-CVD法によるAl2O3絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | GaN-based MIS-HEMTs with Mist Chemical Vapor Deposited Al2O3 |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ミスト CVD / Mist-CVD |
| キーワード(2)（和/英） | AlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ / AlGaN/GaN HEMT |
| キーワード(3)（和/英） | Al2O3絶縁膜 / Al2O3 insulator |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | ロー ルイ シャン / Low Rui Shan / ロー ルイ シャン |
| 第1著者 所属（和/英） | 福井大学 (略称： 福井大) University of Fukui (略称： Univ. of Fukui) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 永瀬 樹 / Itsuki Nagase / ナガセ イツキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 福井大学 (略称： 福井大) University of Fukui (略称： Univ. of Fukui) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | バラトフ アリ / Ali Baratov / バラトフ アリ |
| 第3著者 所属（和/英） | 福井大学 (略称： 福井大) University of Fukui (略称： Univ. of Fukui) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | アスバル ジョエル タクラ / Joel Tacla Asubar / アスバル ジョエル タクラ |
| 第4著者 所属（和/英） | 福井大学 (略称： 福井大) University of Fukui (略称： Univ. of Fukui) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 徳田 博邦 / Hirokuni Tokuda / トクダ ヒロクニ |
| 第5著者 所属（和/英） | 福井大学 (略称： 福井大) University of Fukui (略称： Univ. of Fukui) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 葛原 正明 / Masaaki Kuzuhara / クズハラ マサアキ |
| 第6著者 所属（和/英） | 関西学院大学 (略称： 関西学院大) Kwansei Gakuin University (略称： Kwansei Gakuin Univ.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 谷田部 然治 / Zenji Yatabe / ヤタベ ゼンジ |
| 第7著者 所属（和/英） | 熊本大学 (略称： 熊本大) Kumamoto University (略称： Kumamoto Univ.) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 内藤 健太 / Kenta Naito / ナイト ケンタ |
| 第8著者 所属（和/英） | 熊本大学 (略称： 熊本大) Kumamoto University (略称： Kumamoto Univ.) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 本山 智洋 / Motoyama Tomohiro / モトヤマ トモヒロ |
| 第9著者 所属（和/英） | 熊本大学 (略称： 熊本大) Kumamoto University (略称： Kumamoto Univ.) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中村 有水 / Yusui Nakamura / ナカムラ ユウスイ |
| 第10著者 所属（和/英） | 熊本大学 (略称： 熊本大) Kumamoto University (略称： Kumamoto Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2020-11-26 15:50:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2020-13, CPM2020-34, LQE2020-64 |
| 巻番号（vol） | vol.120 |
| 号番号（no） | no.254(ED), no.255(CPM), no.256(LQE) |
| ページ範囲 | pp.49-52 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2020-11-19 (ED, CPM, LQE) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]