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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2020-11-27 15:20 ナノストライプパターン加工した低転位密度AlNテンプレート上へのMOVPE成長と結晶性評価 ○伊庭由季乃・正直花奈子・窪谷茂幸・上杉謙次郎・肖 世玉・三宅秀人（三重大）  ED2020-24 CPM2020-45 LQE2020-75 |
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| 抄録 | （和） | Face-to-face配置でアニールしたスパッタAlNテンプレート（FFA Sp-AlN）に周期300 nmと深さ120 nmのナノストライプパターンを形成したテンプレート（ナノパターン加工FFA Sp-AlN）上に有機金属気相成長法（MOVPE法）によりAlN膜を形成した．そのあと，MOVPE成長条件が与える結晶品質への影響を解明した．その結果，AlN膜の原子的に平坦な表面は，ナノパターン加工FFA Sp-AlN上でV/III比が221，成長速度が2.3 µm/hr以上で達成できることがわかった．さらに，1300oCの高い成長温度（Tg）は横方向成長を促進し，総膜厚1 µmで会合したAlN膜を実現した．また，貫通転位密度（TDD）は6.0×108 cm-2と推定された．この値から，適切なMOVPE成長条件によりTDDが低いナノパターン加工FFA Sp-AlNテンプレート上のAlN膜が形成されたと考えられる． |
| （英） | We conducted metalorganic vapor phase epitaxial (MOVPE) growth of AlN films on face-to-face annealed sputtered AlN templates (FFA Sp-AlN) having nano-striped pattern. Then, the effect of the MOVPE growth conditions for the crystallinity was elucidated. As a result, it was found that the atomically flat surface of AlN can be achieved with V/III ratio of 221 and growth-rate of above 2.3 µm/hr on nano-patterned FFA Sp-AlN. In addition, the high growth temperature (Tg) of 1300oC enhanced the lateral growth, and the threading dislocation density (TDD) was estimated to be 6.0×108 cm−2. This value proved that AlN films on nano-patterned FFA Sp-AlN templates with low TDDs were achieved with the appropriate MOVPE growth conditions. | |
| キーワード | （和） | 有機金属気相成長法 / スパッタリング法 / ナノパターン加工基板 / 貫通転位密度 / AlN / / / |
| （英） | MOVPE / Sputtering / Nano-Patterned Substrate / Threading Dislocation Density / AlN / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 120, no. 256, LQE2020-75, pp. 91-94, 2020年11月. | |
| 資料番号 | LQE2020-75 | |
| 発行日 | 2020-11-19 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2020-24 CPM2020-45 LQE2020-75 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE CPM ED |
| 開催期間 | 2020-11-26 - 2020-11-27 |
| 開催地（和） | オンライン開催 |
| 開催地（英） | Online |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電デバイス、材料、関連技術、及び一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2020-11-LQE-CPM-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | ナノストライプパターン加工した低転位密度AlNテンプレート上へのMOVPE成長と結晶性評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | MOVPE Growth on Low-dislocation-density AlN Templates with Nano-Striped Patterns and Crystalline-Quality Evaluations |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 有機金属気相成長法 / MOVPE |
| キーワード(2)（和/英） | スパッタリング法 / Sputtering |
| キーワード(3)（和/英） | ナノパターン加工基板 / Nano-Patterned Substrate |
| キーワード(4)（和/英） | 貫通転位密度 / Threading Dislocation Density |
| キーワード(5)（和/英） | AlN / AlN |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 伊庭 由季乃 / Yukino Iba / イバ ユキノ |
| 第1著者 所属（和/英） | 三重大学 (略称： 三重大) Mie University (略称： Mie Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 正直 花奈子 / Kanako Shojiki / ショウジキ カナコ |
| 第2著者 所属（和/英） | 三重大学 (略称： 三重大) Mie University (略称： Mie Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 窪谷 茂幸 / Shigeyuki Kuboya / クボヤ シゲユキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 三重大学 (略称： 三重大) Mie University (略称： Mie Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 上杉 謙次郎 / Kenjiro Uesugi / ウエスギ ケンジロウ |
| 第4著者 所属（和/英） | 三重大学 (略称： 三重大) Mie University (略称： Mie Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 肖 世玉 / Shiyu Xiao / シャオ シユ |
| 第5著者 所属（和/英） | 三重大学 (略称： 三重大) Mie University (略称： Mie Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 三宅 秀人 / Hideto Miyake / ミヤケ ヒデト |
| 第6著者 所属（和/英） | 三重大学 (略称： 三重大) Mie University (略称： Mie Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2020-11-27 15:20:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | ED2020-24, CPM2020-45, LQE2020-75 |
| 巻番号（vol） | vol.120 |
| 号番号（no） | no.254(ED), no.255(CPM), no.256(LQE) |
| ページ範囲 | pp.91-94 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2020-11-19 (ED, CPM, LQE) |
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