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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2020-11-27 14:30 スパッタ法AlNバッファ層を用いたサファイア基板上へのh-BNの堆積と高温アニールによる結晶性向上 ○形岡遼志・小泉晴比古・岩山 章・三宅秀人（三重大）  ED2020-22 CPM2020-43 LQE2020-73 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2020-22 CPM2020-43 LQE2020-73 |
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| 抄録 | （和） | 六方晶窒化ホウ素(h-BN)は，二次元層状物質で，歪み緩和層や剥離層としての機能が期待されている．従来，h-BNは有機金属気相成長法(MOVPE)や分子線エピタキシー法(MBE)などの結晶成長法を用いて作製されてきた．本研究室では，サファイア基板上にスパッタリング法を用いて堆積させた窒化アルミニウム(AlN)にface-to-face 高温アニール(FFA)処理を行うことで，高い結晶性を達成している．本研究では，サファイア基板上にスパッタリング法を用いて堆積させたBNにFFA処理を行うことで，h-BNの結晶性向上を目指した．1700 oC, 3.0時間のFFA処理を行うことで，h-BNの結晶性は向上し，Raman散乱分光測定の半値全幅で17 cm-1を得た． |
| （英） | Hexagonal boron nitride(h-BN) is a two-dimensional layered materials and is expected to functions as a strain relaxation layer and a release layer. Conventionally, h-BN has been produced by using a crystal growth method such as metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE) or molecular beam epitaxy (MBE). We have achieved high crystal quality of sputtered AlN on sapphire substrates by high-temperature face-to-face annealing (FFA). In this work, we aimed to the crystal quality improvement of sputtered h-BN on sapphire substrates by FFA. After 1700 oC, 3.0 hours of FFA, crystal quality of h-BN was improved and full-width at half maximum of Raman scattering was 17 cm-1. | |
| キーワード | （和） | 六方晶窒化ホウ素 / 二次元材料 / スパッタリング法 / face-to-face 高温アニール / 深紫外LED / / / |
| （英） | Hexagonal boron nitride / 2D materials / Sputter / face-to-face High-Temperature Annealing / Ultraviolet LED / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 120, no. 256, LQE2020-73, pp. 83-86, 2020年11月. | |
| 資料番号 | LQE2020-73 | |
| 発行日 | 2020-11-19 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2020-22 CPM2020-43 LQE2020-73 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2020-22 CPM2020-43 LQE2020-73 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE CPM ED |
| 開催期間 | 2020-11-26 - 2020-11-27 |
| 開催地（和） | オンライン開催 |
| 開催地（英） | Online |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電デバイス、材料、関連技術、及び一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2020-11-LQE-CPM-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | スパッタ法AlNバッファ層を用いたサファイア基板上へのh-BNの堆積と高温アニールによる結晶性向上 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Crystalline Quality Improvement of Sputtered h-BN on Sapphire by High-Temperature Annealing |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 六方晶窒化ホウ素 / Hexagonal boron nitride |
| キーワード(2)（和/英） | 二次元材料 / 2D materials |
| キーワード(3)（和/英） | スパッタリング法 / Sputter |
| キーワード(4)（和/英） | face-to-face 高温アニール / face-to-face High-Temperature Annealing |
| キーワード(5)（和/英） | 深紫外LED / Ultraviolet LED |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 形岡 遼志 / Ryoji Kataoka / カタオカ リョウジ |
| 第1著者 所属（和/英） | 三重大学 (略称： 三重大) Mie University (略称： Mie Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小泉 晴比古 / Haruhiko Koizumi / コイズミ ハルヒコ |
| 第2著者 所属（和/英） | 三重大学 (略称： 三重大) Mie University (略称： Mie Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岩山 章 / Sho Iwayama / イワヤマ ショウ |
| 第3著者 所属（和/英） | 三重大学 (略称： 三重大) Mie University (略称： Mie Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 三宅 秀人 / Hideto Miyake / ミヤケ ヒデト |
| 第4著者 所属（和/英） | 三重大学 (略称： 三重大) Mie University (略称： Mie Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2020-11-27 14:30:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | ED2020-22, CPM2020-43, LQE2020-73 |
| 巻番号（vol） | vol.120 |
| 号番号（no） | no.254(ED), no.255(CPM), no.256(LQE) |
| ページ範囲 | pp.83-86 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2020-11-19 (ED, CPM, LQE) |
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