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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2020-11-27 13:40 AlGaN系UV-B LDにおける導波路層の構造検討 ○田中隼也（名城大）・佐藤恒輔（旭化成）・安江信次・荻野雄矢・山田和輝・石塚彩花・大森智也・手良村昌平・岩山 章（名城大）・三宅秀人（三重大）・岩谷素顕・竹内哲也・上山 智・赤﨑 勇（名城大）  ED2020-20 CPM2020-41 LQE2020-71 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2020-20 CPM2020-41 LQE2020-71 |
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| 抄録 | （和） | 本グループでは昨年度、UV-B領域の電流注入型半導体レーザの実現を報告した。今後、低閾値電流密度化が最重要課題となっている。本研究では、高い光閉じ込め係数Γが得られ低閾値電流密度化が期待できるGRIN-SCH構造の電流注入型レーザを作製し、発振波長302nmの室温パルスレーザ動作を確認した。さらに端面への誘電体多層膜コートにより700 µmの共振器において閾値電流密度は24kA/cm2まで低減を確認した。 |
| （英） | Recently, the group reported the realization of current injection semiconductor lasers in the UV-B region. In the future, reducing the threshold current density will be the most important issue. In this study, we fabricated a GRIN-SCH structure current injection laser that can obtain a high light confinement coefficient Γ and can be expected to have a low threshold current density, and confirmed the operation of a room temperature pulsed laser with oscillation. Wavelength of 302 nm. Furthermore, it was confirmed that the threshold current density was reduced to 24 kA/cm2 by double-side facet coating at a cavity length of 700 µm. | |
| キーワード | （和） | MOVPE / AlGaN / UV-B半導体レーザ / GRIN-SCH / / / / |
| （英） | MOVPE / AlGaN / UV-B laser diode / GRIN-SCH / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 120, no. 256, LQE2020-71, pp. 75-78, 2020年11月. | |
| 資料番号 | LQE2020-71 | |
| 発行日 | 2020-11-19 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2020-20 CPM2020-41 LQE2020-71 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2020-20 CPM2020-41 LQE2020-71 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE CPM ED |
| 開催期間 | 2020-11-26 - 2020-11-27 |
| 開催地（和） | オンライン開催 |
| 開催地（英） | Online |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電デバイス、材料、関連技術、及び一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2020-11-LQE-CPM-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | AlGaN系UV-B LDにおける導波路層の構造検討 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Optimization of the optical waveguide layer in AlGaN-based UV-B LD |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | MOVPE / MOVPE |
| キーワード(2)（和/英） | AlGaN / AlGaN |
| キーワード(3)（和/英） | UV-B半導体レーザ / UV-B laser diode |
| キーワード(4)（和/英） | GRIN-SCH / GRIN-SCH |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田中 隼也 / Shunya Tanaka / タナカ シュンヤ |
| 第1著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐藤 恒輔 / Kosuke Sato / サトウ コウスケ |
| 第2著者 所属（和/英） | 旭化成 先端デバイス技術開発センター (略称： 旭化成) Advanced Devices Technology Center, Asahi-Kasei (略称： Asahi-Kasei) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 安江 信次 / Shinji Yasue / ヤスエ シンジ |
| 第3著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 荻野 雄矢 / Yuya Ogino / オギノ ユウヤ |
| 第4著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山田 和輝 / Kazuki Yamada / ヤマダ カズキ |
| 第5著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石塚 彩花 / Sayaka Ishizuka / イシヅカ サヤカ |
| 第6著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大森 智也 / Tomoya Omori / オオモリ トモヤ |
| 第7著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 手良村 昌平 / Shohei Teramura / テラムラ ショウヘイ |
| 第8著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岩山 章 / Sho Iwayama / イワヤマ ショウ |
| 第9著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | 三宅 秀人 / Hideto Miyake / ミヤケ ヒデト |
| 第10著者 所属（和/英） | 三重大学 (略称： 三重大) Mie University (略称： Mie Univ.) |
| 第11著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岩谷 素顕 / Motoaki Iwaya / イワヤ モトアキ |
| 第11著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 第12著者 氏名（和/英/ヨミ） | 竹内 哲也 / Tetsuya Takeuchi / タケウチ テツヤ |
| 第12著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 第13著者 氏名（和/英/ヨミ） | 上山 智 / Satoshi Kamiyama / カミヤマ サトシ |
| 第13著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 第14著者 氏名（和/英/ヨミ） | 赤﨑 勇 / Isamu Akasaki / アカサキ イサム |
| 第14著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 第15著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第15著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第16著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 第18著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2020-11-27 13:40:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | ED2020-20, CPM2020-41, LQE2020-71 |
| 巻番号（vol） | vol.120 |
| 号番号（no） | no.254(ED), no.255(CPM), no.256(LQE) |
| ページ範囲 | pp.75-78 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2020-11-19 (ED, CPM, LQE) |
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