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講演抄録/キーワード
講演名 2021-10-27 13:20
プラズマ化学気相成長法によるSi及びN添加ダイヤモンドライクカーボン膜の光学的特性および電気的特性に及ぼすH₂及びAr希釈の効果
佐々木祐弥長内公哉大谷優介室野優太佐藤聖能小林康之遠田義晴鈴木裕史中澤日出樹弘前大CPM2021-26
抄録 (和) 希釈ガスにAr及びH₂を用いたプラズマ化学気相成長法によりケイ素(Si)及び窒素(N)を添加したダイヤモンドライクカーボン(Si-N-DLC)膜を作製し、水素流量比 [H₂/(H₂+Ar)] が化学結合状態、内部応力、光学的特性および電気的特性に及ぼす影響を調べた。Si-N-DLC膜の内部応力および光学バンドギャップは水素流量比の増加に伴い減少した。光学バンドギャップの増加は、C 1s内殻準位XPSスペクトル解析から推測されたsp² C=C結合の減少によるものと考えられる。光照射下でSi-N-DLC/p型Siヘテロ接合の電流電圧特性を調べた結果、水素流量比の増加に伴い開放電圧が増加した。また、フィルファクタは水素流量比に関わらず0.25付近で一定であった。 
(英) We have deposited silicon and nitrogen doped diamond-like carbon (Si–N–DLC) films by radio frequency plasma-enhanced chemical vapor deposition using H₂ and Ar as dilution gases. We investigated the influence of H₂ flow ratio [H₂/(H₂+Ar)] on the chemical bonding, internal stress, and optical and electrical properties of the Si-N-DLC films. The internal stress and optical bandgap of the Si-N-DLC films increased with increasing H₂ flow ratio. The increase in the optical bandgap is primarily due to a decrease in sp² C=C bonding fraction, as estimated from C 1s core-level spectra. We examined the current-voltage characteristics of Si-N-DLC/p-type Si heterojunctions under light illumination. We found that the open-circuit voltage of the heterojunctions increased with increasing H₂ flow ratio. The fill factor remained almost constant at about 0.25 with the H₂ flow ratio.
キーワード (和) ダイヤモンドライクカーボン / 太陽電池 / プラズマ化学気相成長 / ケイ素 / 窒素 / / /  
(英) Diamond-like carbon / Solar cell / Plasma-enhanced chemical vapor deposition / Silicon / Nitrogen / / /  
文献情報 信学技報, vol. 121, no. 220, CPM2021-26, pp. 23-28, 2021年10月.
資料番号 CPM2021-26 
発行日 2021-10-20 (CPM) 
ISSN Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード CPM2021-26

研究会情報
研究会 CPM  
開催期間 2021-10-27 - 2021-10-27 
開催地(和) オンライン開催 
開催地(英) Online 
テーマ(和) 機能性材料(半導体、磁性体、誘電体、透明導電体・半導体、等)薄膜プロセス/材料/デバイス,一般 
テーマ(英) Functional materials (semiconductors, magnetic materials, dielectrics, transparent conductors / semiconductors, etc.) thin film processes / materials / devices, etc. 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 CPM 
会議コード 2021-10-CPM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) プラズマ化学気相成長法によるSi及びN添加ダイヤモンドライクカーボン膜の光学的特性および電気的特性に及ぼすH₂及びAr希釈の効果 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Effects of H2 and Ar dilution on the optical and electrical properties of Si and N doped diamond-like carbon films by plasma-enhanced chemical vapor deposition 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) ダイヤモンドライクカーボン / Diamond-like carbon  
キーワード(2)(和/英) 太陽電池 / Solar cell  
キーワード(3)(和/英) プラズマ化学気相成長 / Plasma-enhanced chemical vapor deposition  
キーワード(4)(和/英) ケイ素 / Silicon  
キーワード(5)(和/英) 窒素 / Nitrogen  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 佐々木 祐弥 / Yuya Sasaki / ササキ ユウヤ
第1著者 所属(和/英) 弘前大学 (略称: 弘前大)
Hirosaki University (略称: Hirosaki Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 長内 公哉 / Hiroya Osanai / オサナイ ヒロヤ
第2著者 所属(和/英) 弘前大学 (略称: 弘前大)
Hirosaki University (略称: Hirosaki Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 大谷 優介 / Yusuke Ohtani / オオタニ ユウスケ
第3著者 所属(和/英) 弘前大学 (略称: 弘前大)
Hirosaki University (略称: Hirosaki Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 室野 優太 / Yuta Murono / ムロノ ユウタ
第4著者 所属(和/英) 弘前大学 (略称: 弘前大)
Hirosaki University (略称: Hirosaki Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 佐藤 聖能 / Masayoshi Sato / サトウ マサヨシ
第5著者 所属(和/英) 弘前大学 (略称: 弘前大)
Hirosaki University (略称: Hirosaki Univ.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 小林 康之 / Yasuyuki Kobayashi / コバヤシ ヤスユキ
第6著者 所属(和/英) 弘前大学 (略称: 弘前大)
Hirosaki University (略称: Hirosaki Univ.)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 遠田 義晴 / Yoshiharu Enta / エンタ ヨシハル
第7著者 所属(和/英) 弘前大学 (略称: 弘前大)
Hirosaki University (略称: Hirosaki Univ.)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 鈴木 裕史 / Yushi Suzuki / スズキ ユウシ
第8著者 所属(和/英) 弘前大学 (略称: 弘前大)
Hirosaki University (略称: Hirosaki Univ.)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 中澤 日出樹 / Hideki Nakazawa / ナカザワ ヒデキ
第9著者 所属(和/英) 弘前大学 (略称: 弘前大)
Hirosaki University (略称: Hirosaki Univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2021-10-27 13:20:00 
発表時間 20分 
申込先研究会 CPM 
資料番号 CPM2021-26 
巻番号(vol) vol.121 
号番号(no) no.220 
ページ範囲 pp.23-28 
ページ数
発行日 2021-10-20 (CPM) 


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