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講演抄録/キーワード
講演名 2021-10-27 10:50
二段硫化法を用いたCu2Sn1-xGexS3薄膜の作製
松井祐太ミョー タン テイ橋本佳男信州大)・百瀬成空長野高専CPM2021-22
抄録 (和) (まだ登録されていません) 
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文献情報 信学技報, vol. 121, no. 220, CPM2021-22, pp. 8-11, 2021年10月.
資料番号 CPM2021-22 
発行日 2021-10-20 (CPM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード CPM2021-22

研究会情報
研究会 CPM  
開催期間 2021-10-27 - 2021-10-27 
開催地(和) オンライン開催 
開催地(英) Online 
テーマ(和) 機能性材料(半導体、磁性体、誘電体、透明導電体・半導体、等)薄膜プロセス/材料/デバイス,一般 
テーマ(英) Functional materials (semiconductors, magnetic materials, dielectrics, transparent conductors / semiconductors, etc.) thin film processes / materials / devices, etc. 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 CPM 
会議コード 2021-10-CPM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 二段硫化法を用いたCu2Sn1-xGexS3薄膜の作製 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Preparation of Cu2Sn1-xGexS3 utilizing two steps sulfurization 
サブタイトル(英)  
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 松井 祐太 / Matsui Yuta / マツイ ユウタ
第1著者 所属(和/英) 信州大学 (略称: 信州大)
Shinshu University (略称: Shinshu Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) ミョー タン テイ / Myo Than Htay / ミョー タン テイ
第2著者 所属(和/英) 信州大学 (略称: 信州大)
Shinshu University (略称: Shinshu Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 橋本 佳男 / Hashimoto Yoshio / ハシモト ヨシオ
第3著者 所属(和/英) 信州大学 (略称: 信州大)
Shinshu University (略称: Shinshu Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 百瀬 成空 / Momose Noritake / モモセ ノリタケ
第4著者 所属(和/英) 長野工業専門学校 (略称: 長野高専)
National Institute of Technology Nagano College (略称: NIT Nagano Coll)
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講演者 第1著者 
発表日時 2021-10-27 10:50:00 
発表時間 20分 
申込先研究会 CPM 
資料番号 CPM2021-22 
巻番号(vol) vol.121 
号番号(no) no.220 
ページ範囲 pp.8-11 
ページ数
発行日 2021-10-20 (CPM) 


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