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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2021-10-27 15:10 抵抗変化メモリのためのHfO2膜の特性評価 ○川合祐貴・佐藤 勝・武山真弓（北見工大）  CPM2021-31 |
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| 抄録 | （和） | 近年，フラッシュメモリより動作速度が速く，消費電力を低くすることができる抵抗変化メモリが注目されている．しかしながら，低電流で動作する抵抗変化メモリの作製は困難な課題となっている．本研究では，酸素ガス濃度を変化させたHfO2膜を作製し，そのHfO2膜の特性とCu/HfO2/Si構造にした際のI-V特性を検討した．その結果，得られたHfO2膜はReRAMで適用できるmonoclinic構造が得られ，I-V特性から3.4V程度で300 nA程度の低電流値で動作することが確認でき，HfO2膜が有用な抵抗変化メモリの材料の一つであることがわかった． |
| （英） | In recent years, resistive random access memory has been attracting attention because it can operate faster and consume less power than flash memory. However, it is difficult to develop RRAM that can operate at low current. In this study, We prepared the HfO2 films by changing the oxygen gas concentration. We investigated the properties of the HfO2 film and I-V characteristics of the Cu/HfO2/Si structure. As a result, obtained HfO2 film has a monoclinic structure that can be applied in ReRAM, and the I-V characteristic showed that the operating voltage and current were 3.4 V and 300 nA, respectively. Therefore we found that obtained HfO2 film is one of the promising materials for RRAM. | |
| キーワード | （和） | 抵抗変化メモリ / 低電流 / HfO2膜 / / / / / |
| （英） | Resistive Random Access Memory / low current / HfO2 film / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 121, no. 220, CPM2021-31, pp. 43-45, 2021年10月. | |
| 資料番号 | CPM2021-31 | |
| 発行日 | 2021-10-20 (CPM) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | CPM2021-31 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
| 開催期間 | 2021-10-27 - 2021-10-27 |
| 開催地（和） | オンライン開催 |
| 開催地（英） | Online |
| テーマ（和） | 機能性材料(半導体、磁性体、誘電体、透明導電体・半導体、等)薄膜プロセス/材料/デバイス，一般 |
| テーマ（英） | Functional materials (semiconductors, magnetic materials, dielectrics, transparent conductors / semiconductors, etc.) thin film processes / materials / devices, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | CPM |
| 会議コード | 2021-10-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 抵抗変化メモリのためのHfO2膜の特性評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Characterization of HfO2 film for Resistive Random Access Memory |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 抵抗変化メモリ / Resistive Random Access Memory |
| キーワード(2)（和/英） | 低電流 / low current |
| キーワード(3)（和/英） | HfO2膜 / HfO2 film |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 川合 祐貴 / Yuki Kawai / カワイ ユウキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 北見工業大学 (略称： 北見工大) Kitami Institute of Technology (略称： Kitami Inst. of Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐藤 勝 / Masaru Sato / サトウ マサル |
| 第2著者 所属（和/英） | 北見工業大学 (略称： 北見工大) Kitami Institute of Technology (略称： Kitami Inst. of Tech.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 武山 真弓 / Mayumi B Takeyama / タケヤマ マユミ |
| 第3著者 所属（和/英） | 北見工業大学 (略称： 北見工大) Kitami Institute of Technology (略称： Kitami Inst. of Tech.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2021-10-27 15:10:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | CPM |
| 資料番号 | CPM2021-31 |
| 巻番号（vol） | vol.121 |
| 号番号（no） | no.220 |
| ページ範囲 | pp.43-45 |
| ページ数 | 3 |
| 発行日 | 2021-10-20 (CPM) |
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