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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2021-11-26 13:00 表面処理の異なるAu/Ni/n-GaNショットキー電極の界面顕微光応答法による評価 ○塩島謙次（福井大）・田中 亮・高島信也・上野勝典・江戸雅晴（富士電機）  ED2021-28 CPM2021-62 LQE2021-40 |
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| 抄録 | （和） | 界面顕微光応答法(SIPM)を用いて，n-GaNに電極を蒸着する前の表面処理に着目して、面内均一性、熱的安定性を評価した。n-GaN表面に対して、(I)無処理(as-grown)、(II)アルカリ溶液処理、及び(III)塩酸系溶液処理後に電極形成し、その後400℃の熱処理を実施した。試料IIでは障壁高さ、n値の電極間ばらつきが小さく、電極面内のばらつきも小さい。熱処理後の逆方向電流は熱電界放出理論に従うまで低下した。試料Iでも同様な特性が得られたが、電極面内のばらつきは試料IIに劣る。試料IIIでは電極間、および面内のばらつきが大きく、熱処理後の逆方向電流の減少も十分ではなかった。これらの結果においてSIPM法がプロセス技術の影響を2次元的に評価できることを実証した。 |
| （英） | We report the basic electrical characteristics and uniformity of 25 Au/Ni Schottky barrier diodes (SBDs) with three different surface treatments ((I) no treatment (as-grown), (II) alkaline solution, and (III) HCl related solution). The SBDs with (II) showed small diode-to-diode variation in the Schottky barrier height and the ideality factor, and good uniformity over the electrode. In addition, after post-metallization annealing at 400 °C, the reverse biased current significantly reduced to the prediction by the thermionic field emission model. The similar characteristics were obtained for the SBDs with (I), however the uniformity over the electrode became worse after the annealing. For the SBDs with (III), the diode-to-diode variation was originally large, and the reverse biased current did not significantly reduce. | |
| キーワード | （和） | ショットキー接触 / GaN / 表面処理 / 電極形成後熱処理 / 界面顕微光応答法 / / / |
| （英） | Schottky contacts / GaN / surface treatment / post-metallization annealing / scanning internal photoemission microscopy / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 121, no. 259, ED2021-28, pp. 63-66, 2021年11月. | |
| 資料番号 | ED2021-28 | |
| 発行日 | 2021-11-18 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2021-28 CPM2021-62 LQE2021-40 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED CPM LQE |
| 開催期間 | 2021-11-25 - 2021-11-26 |
| 開催地（和） | オンライン開催 |
| 開催地（英） | Online |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光、電子デバイス、材料、関連技術、及び一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2021-11-ED-CPM-LQE |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 表面処理の異なるAu/Ni/n-GaNショットキー電極の界面顕微光応答法による評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Two-dimensional characterization of Au/Ni/n-GaN Schottky contacts with different surface treatments by scanning internal photoemission microscopy |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ショットキー接触 / Schottky contacts |
| キーワード(2)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(3)（和/英） | 表面処理 / surface treatment |
| キーワード(4)（和/英） | 電極形成後熱処理 / post-metallization annealing |
| キーワード(5)（和/英） | 界面顕微光応答法 / scanning internal photoemission microscopy |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 塩島 謙次 / Kenji Shiojima / シオジマ ケンジ |
| 第1著者 所属（和/英） | 福井大学 (略称： 福井大) University of Fukui (略称： Univ. of Fukui) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田中 亮 / Ryo Tanaka / タナカ リョウ |
| 第2著者 所属（和/英） | 富士電機(株) (略称： 富士電機) Fuji electric corporation (略称： Fuji electric co.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高島 信也 / Shinya Takashima / タカシマ シンヤ |
| 第3著者 所属（和/英） | 富士電機(株) (略称： 富士電機) Fuji electric corporation (略称： Fuji electric co.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 上野 勝典 / Katsunori Ueno / ウエノ カツノリ |
| 第4著者 所属（和/英） | 富士電機(株) (略称： 富士電機) Fuji electric corporation (略称： Fuji electric co.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 江戸 雅晴 / Edo Masaharu / エド マサハル |
| 第5著者 所属（和/英） | 富士電機(株) (略称： 富士電機) Fuji electric corporation (略称： Fuji electric co.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2021-11-26 13:00:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2021-28, CPM2021-62, LQE2021-40 |
| 巻番号（vol） | vol.121 |
| 号番号（no） | no.259(ED), no.260(CPM), no.261(LQE) |
| ページ範囲 | pp.63-66 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2021-11-18 (ED, CPM, LQE) |
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