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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2022-01-07 14:05 nチャネル高分子トランジスタを用いた有機フローティングゲートメモリのデバイス特性 ○西田直之・服部励太郎・永瀬 隆・安達天規・森川和慶・小林隆史・内藤裕義（阪府大）  OME2021-48 |
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| 抄録 | （和） | 高分子半導体をチャネルとするトップゲート有機電界効果トランジスタ (有機FET) に高分子絶縁体 (PMMA) と可溶性低分子半導体 (TIPSペンタセン) から成る電荷蓄積層を用いることで溶液プロセスによる不揮発性メモリの作製が可能となる。本研究では、高電子移動度を示すドナー・アクセプタ型高分子半導体のPNDI(2OD)2Tを用いてnチャネル有機FETメモリをスピンコート法により作製し、メモリ特性を評価した。その結果、PNDI(2OD)2T FETメモリは他の両極性高分子半導体を用いたメモリと異なり、暗状態ではメモリとして動作せずに、光照射下での書込により閾値電圧シフトを示した。また、電荷蓄積層に可溶性フラーレンを添加した際には消去特性が改善されることが分かった。 |
| （英） | Use of a charge storage layer composed of a polymer insulator of PMMA and a soluble small-molecule semiconductor of TIPS-pentacene in top-gate organic field-effect transistors (OFETs) based on polymer semiconductors enables the solution processing of nonvolatile memories. Here, we fabricate top-gate n-channel OFET memory devices using a high electron mobility donor-accepter polymer semiconductor of PNDI(2OD)2T by spin-coating processes and investigate their memory characteristics. We found that PNDI(2OD)2T FET memories do not exhibit memory operations in the dark, while threshold voltage shifts are observed by programming under light illumination. It is also observed thar the addition of soluble fullerene molecules of PCBM to the charge storage layer allows improving erasing characteristics. | |
| キーワード | （和） | 有機電界効果トランジスタ / 不揮発性有機メモリ / 溶液プロセス / ドナー・アクセプタ型高分子半導体 / フローティングゲート / / / |
| （英） | Organic field-effect transistor / Nonvolatile organic memory / solution process / donor-acceptor polymer semiconductor / floating gate / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 121, no. 316, OME2021-48, pp. 4-8, 2022年1月. | |
| 資料番号 | OME2021-48 | |
| 発行日 | 2021-12-31 (OME) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | OME2021-48 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | OME |
| 開催期間 | 2022-01-07 - 2022-01-07 |
| 開催地（和） | 中央電気俱楽部 ２１３号室 |
| 開催地（英） | CENTRAL ELECTRIC CLUB |
| テーマ（和） | 有機デバイス・センサー一般 |
| テーマ（英） | Organic devices, sensors, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | OME |
| 会議コード | 2022-01-OME |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | nチャネル高分子トランジスタを用いた有機フローティングゲートメモリのデバイス特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Device characteristics of organic floating-gate memories based on n-channel polymer transistors |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 有機電界効果トランジスタ / Organic field-effect transistor |
| キーワード(2)（和/英） | 不揮発性有機メモリ / Nonvolatile organic memory |
| キーワード(3)（和/英） | 溶液プロセス / solution process |
| キーワード(4)（和/英） | ドナー・アクセプタ型高分子半導体 / donor-acceptor polymer semiconductor |
| キーワード(5)（和/英） | フローティングゲート / floating gate |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 西田 直之 / Naoyuki Nishida / ニシダ ナオユキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 大阪府立大学 (略称： 阪府大) Osaka Prefecture University (略称： Osaka Pref. Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 服部 励太郎 / Reitaro Hattori / ハットリ レイタロウ |
| 第2著者 所属（和/英） | 大阪府立大学 (略称： 阪府大) Osaka Prefecture University (略称： Osaka Pref. Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 永瀬 隆 / Takashi Nagase / ナガセ タカシ |
| 第3著者 所属（和/英） | 大阪府立大学 (略称： 阪府大) Osaka Prefecture University (略称： Osaka Pref. Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 安達 天規 / Takaki Adachi / アダチ タカキ |
| 第4著者 所属（和/英） | 大阪府立大学 (略称： 阪府大) Osaka Prefecture University (略称： Osaka Pref. Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 森川 和慶 / Kazuyoshi Morikawa / モリカワ カズヨシ |
| 第5著者 所属（和/英） | 大阪府立大学 (略称： 阪府大) Osaka Prefecture University (略称： Osaka Pref. Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小林 隆史 / Takashi Kobayashi / コバヤシ タカシ |
| 第6著者 所属（和/英） | 大阪府立大学 (略称： 阪府大) Osaka Prefecture University (略称： Osaka Pref. Univ.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 内藤 裕義 / Takashi Kobayashi / ナイトウ ヒロヨシ |
| 第7著者 所属（和/英） | 大阪府立大学 (略称： 阪府大) Osaka Prefecture University (略称： Osaka Pref. Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2022-01-07 14:05:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | OME |
| 資料番号 | OME2021-48 |
| 巻番号（vol） | vol.121 |
| 号番号（no） | no.316 |
| ページ範囲 | pp.4-8 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2021-12-31 (OME) |
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