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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2022-06-21 17:20 SiO2上へのニッケルシリサイド薄膜形成とその表面形態・結晶相制御 ○木村圭佑・田岡紀之・西村駿介・大田晃生・牧原克典・宮﨑誠一（名大）  SDM2022-31 |
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| 抄録 | （和） | 金属ナノシート(MNS)を用いたデバイスが検討されているが、SiO2上のMNSの表面形態や結晶相制御についての理解は十分ではない。そこで膜厚の異なるNiとSiをSiO2上に形成、熱処理し、ニッケルシリサイドNSを形成した。結果として、シリサイド化反応時に酸化・還元反応が重要な役割を担っていることが明らかとなった。また、一般的に厚膜ニッケルシリサイドでは、いくつかの結晶相が膜中に混在するが、今回形成した膜厚 ~5 nmのニッケルシリサイドではNi2Siの単一相が支配的であり、優れた平坦性を有することが明らかとなった。 |
| （英） | Recently, a device with metal nanosheet (MNS) has been attracted much attention. However, control of surface morphology and crystalline phase of MNS on SiO2 is not enough for realizing the device. Formation of nickel silicide NS was challenged using a solid phase interdiffusion method, which contains deposition of different thicknesses of Ni and Si films on SiO2 and subsequent annealing. As a result, we found that reactions of oxidation and reduction have an important role when silicidation occurs in MNS. In a thick nickel silicide film, several types of crystalline phases exist after annealing. In this study, the nickel silicide NS with only Ni2Si phase and smooth surface is successfully formed. | |
| キーワード | （和） | 薄膜 / 結晶相 / 化学結合状態 / 表面形態 / 金属シリサイド / / / |
| （英） | Thin film / Crystalline phase / Chemical bonding feature / Surface morphology / Metal-Silicide / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 122, no. 84, SDM2022-31, pp. 27-30, 2022年6月. | |
| 資料番号 | SDM2022-31 | |
| 発行日 | 2022-06-14 (SDM) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2022-31 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2022-06-21 - 2022-06-21 |
| 開催地（和） | 名古屋大学 VBL３F |
| 開催地（英） | Nagoya Univ. VBL3F |
| テーマ（和） | MOSデバイス・メモリ・パワーデバイス高性能化－材料・プロセス技術 （応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会との合同開催） |
| テーマ（英） | Material Science and Process Technology for MOS Devices, Memories, and Power Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2022-06-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | SiO2上へのニッケルシリサイド薄膜形成とその表面形態・結晶相制御 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Formation of Ultra-Thin Nickel Silicide Layer with controlled Surface Morphology and Crystalline Phase on SiO2 |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 薄膜 / Thin film |
| キーワード(2)（和/英） | 結晶相 / Crystalline phase |
| キーワード(3)（和/英） | 化学結合状態 / Chemical bonding feature |
| キーワード(4)（和/英） | 表面形態 / Surface morphology |
| キーワード(5)（和/英） | 金属シリサイド / Metal-Silicide |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 木村 圭佑 / Keisuke Kimura / キムラケ イスケ |
| 第1著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya. Univ) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田岡 紀之 / Noriyuki Taoka / タオカ ノリユキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya. Univ) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 西村 駿介 / Shunsuke Nishimura / ニシムラ シュンスケ |
| 第3著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya. Univ) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大田 晃生 / Akio Ohta / オオタ アキオ |
| 第4著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya. Univ) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 牧原 克典 / Katsunori Makihara / マキハラ カツノリ |
| 第5著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya. Univ) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 宮﨑 誠一 / Seiichi Miyazaki / ミヤザキ セイイチ |
| 第6著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya. Univ) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2022-06-21 17:20:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2022-31 |
| 巻番号（vol） | vol.122 |
| 号番号（no） | no.84 |
| ページ範囲 | pp.27-30 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2022-06-14 (SDM) |
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