講演抄録/キーワード |
講演名 |
2022-06-21 13:40
多層量子ドット構造実現に向けた絶縁体上へのGe1-xSnxナノドットの自己形成 ○橋本 薫・柴山茂久・安坂幸師・中塚 理(名大) SDM2022-25 |
抄録 |
(和) |
Ge1−xSnx量子ドットは,Sn組成やドット径でバンドギャップ変調が可能かつ,Sn組成10%超で直接遷移化が可能なため,LSIの光通信用の発光素子材料(1.55 μm帯)として有望である.本研究では,発光素子として有利な多層量子ドット構造の実現に向け,Sn原子の表面泳動制御に基づく,絶縁体上へのGe1−xSnx量子ドットの自己形成について検討した.その結果,Ge1−xSnx堆積時の導入Sn組成や堆積温度変調により,10%超の高Sn組成Ge1−xSnx結晶粒の自己形成が可能と分かった.特に,導入Sn組成40%,堆積温度150–200 °C,膜厚5 nmのGe1−xSnx堆積で,微結晶粒構造から島状構造を作り分けられることが明らかとなった.更なる薄膜堆積条件でSn原子の表面泳動制御を行えば,自己形成による独立したGe1−xSnx量子ドット実現が期待できる. |
(英) |
Germanium-tin (Ge1−xSnx) quantum dots (QDs) are promising materials as a light-emitting device for optical wiring technology of LSI (1.55-μm waveband) because of those variable bandgaps by the Sn content and the dot size, and the transformability to the direct transition semiconductor for the Sn content over 10%. In this study, to realize the multilayer QDs structure, we examined the self-formation of Ge1−xSnx QDs on insulators by the control of surface migration of Sn atoms. The results revealed the control of the introduced Sn content and the deposition temperature of Ge1−xSnx enables the self-formation of the Ge1−xSnx microcrystals (grains) with Sn content over 10%. Importantly, for the 5-nm-thick deposition case, by controlling the deposition temperature, we can form the isolated nanocrystals but coexisting amorphous layer and the island structure with nanocrystals in contact with each other. This suggests the thinner Ge1−xSnx deposition under a further controlled condition will realize the isolated Ge1−xSnx QDs structure. |
キーワード |
(和) |
Ge1-xSnx / 量子ドット / 自己形成 / 表面泳動 / / / / |
(英) |
Ge1-xSnx / quantum dots / self-formation / surface migration / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 122, no. 84, SDM2022-25, pp. 5-8, 2022年6月. |
資料番号 |
SDM2022-25 |
発行日 |
2022-06-14 (SDM) |
ISSN |
Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
SDM2022-25 |
研究会情報 |
研究会 |
SDM |
開催期間 |
2022-06-21 - 2022-06-21 |
開催地(和) |
名古屋大学 VBL3F |
開催地(英) |
Nagoya Univ. VBL3F |
テーマ(和) |
MOSデバイス・メモリ・パワーデバイス高性能化-材料・プロセス技術 (応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会との合同開催) |
テーマ(英) |
Material Science and Process Technology for MOS Devices, Memories, and Power Devices |
講演論文情報の詳細 |
申込み研究会 |
SDM |
会議コード |
2022-06-SDM |
本文の言語 |
日本語 |
タイトル(和) |
多層量子ドット構造実現に向けた絶縁体上へのGe1-xSnxナノドットの自己形成 |
サブタイトル(和) |
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タイトル(英) |
Self-formation of Ge1-xSnx nanodots on insulator for multi-layer Ge1-xSnx quantum dots structure |
サブタイトル(英) |
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キーワード(1)(和/英) |
Ge1-xSnx / Ge1-xSnx |
キーワード(2)(和/英) |
量子ドット / quantum dots |
キーワード(3)(和/英) |
自己形成 / self-formation |
キーワード(4)(和/英) |
表面泳動 / surface migration |
キーワード(5)(和/英) |
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キーワード(6)(和/英) |
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キーワード(7)(和/英) |
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キーワード(8)(和/英) |
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) |
橋本 薫 / Kaoru Hashimoto / ハシモト カオル |
第1著者 所属(和/英) |
名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.) |
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) |
柴山 茂久 / Shigehisa Shibayama / シバヤマ シゲヒサ |
第2著者 所属(和/英) |
名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.) |
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) |
安坂 幸師 / Koji Asaka / アサカ コウジ |
第3著者 所属(和/英) |
名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.) |
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) |
中塚 理 / Osamu Nakatsuka / ナカツカ オサム |
第4著者 所属(和/英) |
名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.) |
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第6著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第7著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第10著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第11著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第12著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第13著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第14著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第15著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第16著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第19著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第20著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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講演者 |
第1著者 |
発表日時 |
2022-06-21 13:40:00 |
発表時間 |
20分 |
申込先研究会 |
SDM |
資料番号 |
SDM2022-25 |
巻番号(vol) |
vol.122 |
号番号(no) |
no.84 |
ページ範囲 |
pp.5-8 |
ページ数 |
4 |
発行日 |
2022-06-14 (SDM) |