講演抄録/キーワード |
講演名 |
2022-08-04 16:15
マグネトロンスパッタ法による炭化ホウ素膜特性への水素ガスの効果 ○西田竜也・谷口 颯・佐藤聖能・小林康之・遠田義晴・鈴木裕史(弘前大)・吹留博一(東北大)・中澤日出樹(弘前大) CPM2022-15 |
抄録 |
(和) |
炭化ホウ素(B4C)ターゲットを用いたRFマグネトロンスパッタ法によりアモルファスB4C薄膜およびH2を導入して水素化アモルファスB4C (B4C:H) 薄膜を作製し、水素がB4C膜特性に及ぼす影響を調べた。スクラッチ試験により求められた臨界荷重はB4C膜に比べてB4C:H膜の方が低く、H2流量比の増加と共に減少した。さらに、臨界荷重と内部応力の間には負の相関関係があることがわかった。また、B4C:Hの摩擦係数と比摩耗量は水素流量比の増加によって減少傾向を示した。光学バンドギャップ(Eg)および比抵抗はB4C膜に比べてB4C:H膜の方が大きくなり、水素流量比の増加に伴いB4C:H膜のEgおよび比抵抗は増加した。これは、水素導入により膜中のsp2 C=C結合成分が減少したためであると考えられる。 |
(英) |
We have deposited amorphous boron carbide (B4C) films and hydrogenated amorphous B4C (B4C:H) films by RF magnetron sputtering without H2 and with H2, respectively, using a B4C target and investigated the effects of hydrogen on the properties of the B4C and B4C:H films. The critical loads of the B4C:H films, as obtained from scratch tests, were smaller than that of the B4C film, and the critical load of the B4C:H films increased with increasing hydrogen flow ratio. It was found that the critical load was negatively correlated with internal stress. The friction coefficient and specific wear rate of the B4C:H films tended to decrease with the hydrogen flow ratio. The optical bandgap (Eg) and resistivity of the B4C:H films were greater than those of the B4C film. As the hydrogen flow ratio increased, the Eg and resistivity of the B4C:H films increased, probably due to a decrease in sp2 C=C bonds caused by the introduction of hydrogen. |
キーワード |
(和) |
炭化ホウ素 / 水素 / スパッタ / 機械的特性 / トライボロジー特性 / 光学バンドギャップ / 比抵抗 / |
(英) |
Boron carbide / Hydrogen / Sputtering / Mechanical properties / Tribological properties / Optical bandgap / Resistivity / |
文献情報 |
信学技報, vol. 122, no. 147, CPM2022-15, pp. 14-17, 2022年8月. |
資料番号 |
CPM2022-15 |
発行日 |
2022-07-28 (CPM) |
ISSN |
Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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CPM2022-15 |