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講演抄録/キーワード
講演名 2022-08-04 16:15
マグネトロンスパッタ法による炭化ホウ素膜特性への水素ガスの効果
西田竜也谷口 颯佐藤聖能小林康之遠田義晴鈴木裕史弘前大)・吹留博一東北大)・中澤日出樹弘前大CPM2022-15
抄録 (和) 炭化ホウ素(B4C)ターゲットを用いたRFマグネトロンスパッタ法によりアモルファスB4C薄膜およびH2を導入して水素化アモルファスB4C (B4C:H) 薄膜を作製し、水素がB4C膜特性に及ぼす影響を調べた。スクラッチ試験により求められた臨界荷重はB4C膜に比べてB4C:H膜の方が低く、H2流量比の増加と共に減少した。さらに、臨界荷重と内部応力の間には負の相関関係があることがわかった。また、B4C:Hの摩擦係数と比摩耗量は水素流量比の増加によって減少傾向を示した。光学バンドギャップ(Eg)および比抵抗はB4C膜に比べてB4C:H膜の方が大きくなり、水素流量比の増加に伴いB4C:H膜のEgおよび比抵抗は増加した。これは、水素導入により膜中のsp2 C=C結合成分が減少したためであると考えられる。 
(英) We have deposited amorphous boron carbide (B4C) films and hydrogenated amorphous B4C (B4C:H) films by RF magnetron sputtering without H2 and with H2, respectively, using a B4C target and investigated the effects of hydrogen on the properties of the B4C and B4C:H films. The critical loads of the B4C:H films, as obtained from scratch tests, were smaller than that of the B4C film, and the critical load of the B4C:H films increased with increasing hydrogen flow ratio. It was found that the critical load was negatively correlated with internal stress. The friction coefficient and specific wear rate of the B4C:H films tended to decrease with the hydrogen flow ratio. The optical bandgap (Eg) and resistivity of the B4C:H films were greater than those of the B4C film. As the hydrogen flow ratio increased, the Eg and resistivity of the B4C:H films increased, probably due to a decrease in sp2 C=C bonds caused by the introduction of hydrogen.
キーワード (和) 炭化ホウ素 / 水素 / スパッタ / 機械的特性 / トライボロジー特性 / 光学バンドギャップ / 比抵抗 /  
(英) Boron carbide / Hydrogen / Sputtering / Mechanical properties / Tribological properties / Optical bandgap / Resistivity /  
文献情報 信学技報, vol. 122, no. 147, CPM2022-15, pp. 14-17, 2022年8月.
資料番号 CPM2022-15 
発行日 2022-07-28 (CPM) 
ISSN Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード CPM2022-15

研究会情報
研究会 CPM  
開催期間 2022-08-04 - 2022-08-05 
開催地(和) 北見工業大学 
開催地(英)  
テーマ(和) 電子部品・材料,一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 CPM 
会議コード 2022-08-CPM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) マグネトロンスパッタ法による炭化ホウ素膜特性への水素ガスの効果 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Hydrogen gas effects on the properties of boron carbide films prepared by magnetron sputtering 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 炭化ホウ素 / Boron carbide  
キーワード(2)(和/英) 水素 / Hydrogen  
キーワード(3)(和/英) スパッタ / Sputtering  
キーワード(4)(和/英) 機械的特性 / Mechanical properties  
キーワード(5)(和/英) トライボロジー特性 / Tribological properties  
キーワード(6)(和/英) 光学バンドギャップ / Optical bandgap  
キーワード(7)(和/英) 比抵抗 / Resistivity  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 西田 竜也 / Nishida Tatsuya / ニシダ タツヤ
第1著者 所属(和/英) 弘前大学 (略称: 弘前大)
Hirosaki University (略称: Hirosaki Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 谷口 颯 / Taniguchi Ryu / タニグチ リュウ
第2著者 所属(和/英) 弘前大学 (略称: 弘前大)
Hirosaki University (略称: Hirosaki Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 佐藤 聖能 / Masayoshi Sato / サトウ マサヨシ
第3著者 所属(和/英) 弘前大学 (略称: 弘前大)
Hirosaki University (略称: Hirosaki Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 小林 康之 / Yasuyuki Kobayashi / コバヤシ ヤスユキ
第4著者 所属(和/英) 弘前大学 (略称: 弘前大)
Hirosaki University (略称: Hirosaki Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 遠田 義晴 / Yoshiharu Enta / エンタ ヨシハル
第5著者 所属(和/英) 弘前大学 (略称: 弘前大)
Hirosaki University (略称: Hirosaki Univ.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 鈴木 裕史 / Yushi Suzuki / スズキ ユウシ
第6著者 所属(和/英) 弘前大学 (略称: 弘前大)
Hirosaki University (略称: Hirosaki Univ.)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 吹留 博一 / Hirokazu Fukidome / フキドメ ヒロカズ
第7著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Touhoku University, (略称: Touhoku Univ.)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 中澤 日出樹 / Hideki Nakazawa / ナカザワ ヒデキ
第8著者 所属(和/英) 弘前大学 (略称: 弘前大)
Hirosaki University (略称: Hirosaki Univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2022-08-04 16:15:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 CPM 
資料番号 CPM2022-15 
巻番号(vol) vol.122 
号番号(no) no.147 
ページ範囲 pp.14-17 
ページ数
発行日 2022-07-28 (CPM) 


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