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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2022-09-15 11:00 GaAs GADを用いる5.8GHz帯5Wレクテナの電力特性の検討 ○古谷尚季・内山海渡・小松郁弥・桔川洸一・坂井尚貴・伊東健治（金沢工大）  MW2022-74 |
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| 抄録 | （和） | 本報告では，整流用ダイオードとしてGaAs E-pHEMTによるgated anode diode(GAD)を用いる5.8GHz帯5Wレクテナの電力特性について示す．GADの静特性の測定値より，GADを流れる電流の飽和特性を示している．飽和領域でのGADの微分抵抗値は増加し，整流効率の劣化要因となる．異なるゲート幅のGADに対し整流器設計を行い，GADを流れる電流の尖頭値をシミュレーションし，電力特性への影響を調べている．この結果をもとにゲート幅Wg=1.2mmとしている．低熱抵抗である窒化アルミニウム基板に構成した先端短絡スタブ装荷高インピーダンスダイポールアンテナと整流器ICを組み合わせ，レクテナを試作している．その結果，入力電力37dBm(5W)において，整流効率85.2%が得られている． |
| （英） | In this report, power characteristics of the 5.8 GHz band 5 W rectenna are discussed. The rectenna is consisting of the gated anode diode (GAD) configured with the GaAs E-pHEMT for improving power characteristics. At first, a measured DC characteristic of the GAD and its saturation is demonstrated. In the saturation region, a differential resistance of the GAD is increased and makes degradation of rectification efficiency. In the discussions, GAD currents’ waveforms with different gate widths are demonstrated, and their influences on power characteristics are discussed. As a result, gate width of 1.2 mm is designed for the rectenna. In experimental investigation, the rectenna consisting of a GaAs rectenna IC and a high-impedance antenna is fabricated on the aluminum nitride substrate that has low thermal resistivity as metal plates. Measured rectification efficiency of 85.2 % at input power of 5 W is obtained. | |
| キーワード | （和） | 高周波整流器 / Gated anode diode / ダイポールアンテナ / レクテナ / / / / |
| （英） | RF rectifier / Gated anode diode / Dipole antenna / Rectenna / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 122, no. 183, MW2022-74, pp. 30-35, 2022年9月. | |
| 資料番号 | MW2022-74 | |
| 発行日 | 2022-09-07 (MW) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | MW2022-74 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | AP MW |
| 開催期間 | 2022-09-14 - 2022-09-16 |
| 開催地（和） | 愛媛県美術館 |
| 開催地（英） | The Museum of Art, EHIME |
| テーマ（和） | マイクロ波ミリ波, 一般 |
| テーマ（英） | Microwave, Millimeter wave |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | MW |
| 会議コード | 2022-09-AP-MW |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | GaAs GADを用いる5.8GHz帯5Wレクテナの電力特性の検討 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Power characteristics of 5.8GHz band 5W rectenna with a GaAs GAD |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 高周波整流器 / RF rectifier |
| キーワード(2)（和/英） | Gated anode diode / Gated anode diode |
| キーワード(3)（和/英） | ダイポールアンテナ / Dipole antenna |
| キーワード(4)（和/英） | レクテナ / Rectenna |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 古谷 尚季 / Naoki Furutani / フルタニ ナオキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 金沢工業大学 (略称： 金沢工大) Kanazawa Institute of Technology (略称： KIT) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 内山 海渡 / Kaito Uchiyama / ウチヤマ カイト |
| 第2著者 所属（和/英） | 金沢工業大学 (略称： 金沢工大) Kanazawa Institute of Technology (略称： KIT) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小松 郁弥 / Fumiya Komatsu / コマツ フミヤ |
| 第3著者 所属（和/英） | 金沢工業大学 (略称： 金沢工大) Kanazawa Institute of Technology (略称： KIT) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 桔川 洸一 / Kouichi Kikkawa / キッカワ コウイチ |
| 第4著者 所属（和/英） | 金沢工業大学 (略称： 金沢工大) Kanazawa Institute of Technology (略称： KIT) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 坂井 尚貴 / Naoki Sakai / サカイ ナオキ |
| 第5著者 所属（和/英） | 金沢工業大学 (略称： 金沢工大) Kanazawa Institute of Technology (略称： KIT) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 伊東 健治 / Kenji Itoh / イトウ ケンジ |
| 第6著者 所属（和/英） | 金沢工業大学 (略称： 金沢工大) Kanazawa Institute of Technology (略称： KIT) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2022-09-15 11:00:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | MW |
| 資料番号 | MW2022-74 |
| 巻番号（vol） | vol.122 |
| 号番号（no） | no.183 |
| ページ範囲 | pp.30-35 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2022-09-07 (MW) |
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