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講演抄録/キーワード
講演名 2022-10-19 14:05
強誘電体BiFeO3薄膜表面の評価と分析
今泉文伸小山高専SDM2022-58
抄録 (和) 強誘電体や圧電材料を用いたデバイス,センサは現在様々な分野で使用されているが,主材料として使われているPb(Zr,Ti)O3には鉛が含まれており,代替えの材料が求められている.鉛が含まれていない圧電材料であるBiFeO3 (BFO)薄膜を,RFスパッタリング法を用いて成膜し基礎的な物性について調べた.
本研究では,BFOを成膜し600℃,30分間の熱処理によって,SEMでの表面観察からBFOのグレインの成長が確認された.またXRD測定から,結晶化したBFOの配向性を確認できた.さらに,片持ちはり構造のサンプルを作成し,BFO薄膜に電圧印加すると,逆圧電効果によるサンプルの変形を確認することができた.これらの実験結果から,BFO薄膜の結晶化により逆圧電効果が得られたため,将来PZTに代わる圧電材料としてBFOを利用することが期待できると考えられる.さらに,シミュレーション解析結果から,現在使用されているPZTの逆圧電効果による変形量の計算を行い,PZTの代替材料としてBFOを使用する場合に求められる性能が分かった. 
(英) Devices and sensors using ferroelectric and piezoelectric materials are currently used in various fields, but Pb(Zr,Ti)O3, the main material used, contains lead, and alternative materials are required. We have investigated the fundamental properties of BiFeO3 (BFO) thin films, a lead-free piezoelectric material, deposited by RF sputtering. In this study, BFO films were deposited and annealed at 600°C for 30 minutes, and the growth of BFO grains was confirmed by SEM observation of the surfaces. XRD measurements confirmed the orientation of the crystallized BFO. Furthermore, a sample with a cantilever beam structure was prepared, and when a voltage was applied to the BFO thin film, deformation of the sample due to the inverse piezoelectric effect was confirmed. These experimental results show that BFO can be used as a piezoelectric material to replace PZT in the future, because the inverse piezoelectric effect was obtained by crystallization of BFO thin film. Furthermore, based on the simulation analysis results, the deformation of PZT currently in use due to the inverse piezoelectric effect was calculated, and the performance required when BFO is used as an alternative material to PZT was found.
キーワード (和) 強誘電体材料 / 圧電材料 / / / / / /  
(英) Ferroelectric material / Piezoelectric material / / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 122, no. 215, SDM2022-58, pp. 16-19, 2022年10月.
資料番号 SDM2022-58 
発行日 2022-10-12 (SDM) 
ISSN Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード SDM2022-58

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2022-10-19 - 2022-10-19 
開催地(和) オンライン開催に変更 
開催地(英) Online 
テーマ(和) プロセス科学と新プロセス技術 
テーマ(英) Process Science and New Process Technology 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2022-10-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 強誘電体BiFeO3薄膜表面の評価と分析 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Evaluation and analysis of ferroelectric BiFeO3 thin film surface 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 強誘電体材料 / Ferroelectric material  
キーワード(2)(和/英) 圧電材料 / Piezoelectric material  
キーワード(3)(和/英) /  
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キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 今泉 文伸 / Fuminobu Imaizumi /
第1著者 所属(和/英) 小山工業高等専門学校 (略称: 小山高専)
National Institute of Technology, Oyama College (略称: NIT, Oyama)
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講演者 第1著者 
発表日時 2022-10-19 14:05:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 SDM 
資料番号 SDM2022-58 
巻番号(vol) vol.122 
号番号(no) no.215 
ページ範囲 pp.16-19 
ページ数
発行日 2022-10-12 (SDM) 


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