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| 講演名 | 2022-11-16 10:20 マイクロ波電力増幅器への負ゲートバイアス印加用直流帰還型ゼロ閾値GaAs HEMT整流器および倍電圧ダイオード整流器 ○長田多喜・石川 亮・本城和彦（電通大）  MW2022-123 |
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| 抄録 | （和） | 近年、環境中の微小な電磁波をDC電力に変換するRFエナジーハーベスティングに関する研究が盛んに行われており、その中でもRF-DC変換を行う整流器は重要なコンポーネントの一つである。本研究ではこの微小RF電力をDC電力へ変換する整流器の技術を応用し、システム内のごく一部のRF電力からマイクロ波電力増幅器の負電圧を生成することで、DC電源を使用せずにマイクロ波電力増幅器のゲートバイアスを供給する方法を提案する。この構想の最初の試みとして、GaAs HBT MMIC増幅器ゲートバイアス印加用の直流帰還構成ゼロ閾値GaAs HEMT整流器および倍電圧ダイオード整流器を設計・試作した。試作整流器は1mW以下の入力電圧に対して出力電圧の絶対値が1V以上得られた。更に、これら整流器をGaAs HBT MMIC増幅器へ組み込みPower Added Efficiency (PAE)および電力利得を測定した結果、DC電源でゲートバイアスを印加した場合と同等の特性が得られた。 |
| （英） | In recent years, there has been much research on RF energy harvesting, which converts small electromagnetic waves in the environment into DC power. The rectifier that performs the RF-DC conversion is one of the key components in such a system. In this study, we propose a method to provide gate bias for microwave power amplifiers without using a DC power supply by applying the rectifier technology to convert low RF power to DC power and generating a negative voltage for the microwave power amplifier from a small portion of the RF power in the system. As the first attempt at this concept, a DC feedback mode zero-threshold GaAs HEMT rectifier and a voltage doubler diode rectifier were designed and fabricated for applying the gate bias of the GaAs HBT MMIC amplifier. The prototype rectifiers obtained an absolute output voltage of more than 1 V for an input voltage of less than 1 mW. Furthermore, the Power Added Efficiency (PAE) and power gain were measured by integrating these rectifiers into a GaAs HBT MMIC amplifier. The results were equivalent to those obtained by applying a gate bias with a DC power supply. | |
| キーワード | （和） | 整流器 / マイクロ波電力増幅器 / 負ゲートバイアス / / / / / |
| （英） | rectifier / microwave power amplifier / negative gate biasing / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 122, no. 250, MW2022-123, pp. 77-80, 2022年11月. | |
| 資料番号 | MW2022-123 | |
| 発行日 | 2022-11-08 (MW) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | MW2022-123 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW |
| 開催期間 | 2022-11-15 - 2022-11-16 |
| 開催地（和） | 福江文化会館 |
| 開催地（英） | Fukue-Bunka-Kaikan |
| テーマ（和） | マイクロ波一般 |
| テーマ（英） | Microwave, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | MW |
| 会議コード | 2022-11-MW |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | マイクロ波電力増幅器への負ゲートバイアス印加用直流帰還型ゼロ閾値GaAs HEMT整流器および倍電圧ダイオード整流器 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | DC-Feedback-Mode Zero-Threshold GaAs HEMT Rectifier/Voltage-Doubler Diode Rectifier for Applying Negative Gate-Bias to Microwave Power Amplifier |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 整流器 / rectifier |
| キーワード(2)（和/英） | マイクロ波電力増幅器 / microwave power amplifier |
| キーワード(3)（和/英） | 負ゲートバイアス / negative gate biasing |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 長田 多喜 / Taki Nagata / ナガタ タキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 電気通信大学 (略称： 電通大) The University of Electro-Communications (略称： UEC) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石川 亮 / Ryo Ishikawa / イシカワ リョウ |
| 第2著者 所属（和/英） | 電気通信大学 (略称： 電通大) The University of Electro-Communications (略称： UEC) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 本城 和彦 / Kazuhiko Honjo / ホンジョウ カズヒコ |
| 第3著者 所属（和/英） | 電気通信大学 (略称： 電通大) The University of Electro-Communications (略称： UEC) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2022-11-16 10:20:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | MW |
| 資料番号 | MW2022-123 |
| 巻番号（vol） | vol.122 |
| 号番号（no） | no.250 |
| ページ範囲 | pp.77-80 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2022-11-08 (MW) |
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