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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2022-11-24 15:15 GaN系HBTに向けたp-GaInN base層と四元AlGaInN emitter層の検討 ○飯田悠介・間瀬 晃・滝本将也・二階祐宇・江川孝志・三好実人（名工大）  ED2022-36 CPM2022-61 LQE2022-69 |
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| 抄録 | （和） | 窒化物半導体HBTは次世代の高周波パワーデバイスとして非常に有望である。窒化物半導体HBTはp型ベース層が高抵抗であることに起因する高いオフセット電圧などいくつかの課題がある。本研究ではHBTの電流利得の増加、オフセット電圧の低下を目的とし、p-GaNベース層よりも低抵抗化が期待されるp-GaInNベース層の検討、及びバンドギャップをコントロールした格子整合四元AlGaInNエミッタ層の検討に取り組んだ。MOCVD法により800℃～840℃で成長したp-GaInNの電気的特性・表面形状を調査し、InNモル分率4%以下のp-GaInNが低抵抗かつ表面平坦でありベース層に有望であることが示された。また、格子整合四元AlGaInNエミッタは、所望のバンドギャップ差と表面平坦性の両立を目指し、AlN/GaN組成比一定条件の下でInNモル分率を変化させる方法で設計および成長を行った。 |
| （英） | GaN-based HBTs are very promising as next-generation high-frequency power devices. However, when considering the realization of GaN-HBTs, there are several issues such as high offset voltages caused by the high resistance of p-type base layers. In this study, we investigated a p-GaInN base layer, which is expected to have lower resistivity than the p-GaN base layer, and a quaternary AlGaInN emitter layer which allows for the design of energy band gaps with less strains realizing low offset voltages in GaN HBTs. The electrical properties and surface morphologies of p-GaInN grown at 800°C to 840°C by MOCVD were investigated, and p-GaInN with an InN mole fraction of 4% or less was considered promising as a base layer. Nearly lattice-matched quaternary AlGaInN emitter layers were designed and grown by varying InN mole fractions at a constant AlN/GaN mole ratio, so as to satisfy an energy band offset and a surface flatness at the same time. | |
| キーワード | （和） | HBT / p-GaInN / AlGaInN / MOCVD / / / / |
| （英） | HBT / p-GaInN / AlGaInN / MOCVD / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 122, no. 271, ED2022-36, pp. 57-60, 2022年11月. | |
| 資料番号 | ED2022-36 | |
| 発行日 | 2022-11-17 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2022-36 CPM2022-61 LQE2022-69 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM ED LQE |
| 開催期間 | 2022-11-24 - 2022-11-25 |
| 開催地（和） | ウインクあいち（愛知県産業労働センター）（名古屋） |
| 開催地（英） | Winc Aichi (Aichi Industry & Labor Center) |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光、電子デバイス、材料、関連技術、及び一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2022-11-CPM-ED-LQE |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | GaN系HBTに向けたp-GaInN base層と四元AlGaInN emitter層の検討 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Study on p-GaInN base layer and quaternary AlGaInN emitter layer for GaN HBTs |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | HBT / HBT |
| キーワード(2)（和/英） | p-GaInN / p-GaInN |
| キーワード(3)（和/英） | AlGaInN / AlGaInN |
| キーワード(4)（和/英） | MOCVD / MOCVD |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 飯田 悠介 / Yusuke Iida / イイダ ユウスケ |
| 第1著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： NITech) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 間瀬 晃 / Akira Mase / マセ アキラ |
| 第2著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： NITech) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 滝本 将也 / Masaya Takimoto / タキモト マサヤ |
| 第3著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： NITech) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 二階 祐宇 / Yutaka Nikai / ニカイ ユタカ |
| 第4著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： NITech) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 江川 孝志 / Takashi Egawa / エガワ タカシ |
| 第5著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： NITech) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 三好 実人 / Makoto Miyoshi / ミヨシ マコト |
| 第6著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： NITech) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2022-11-24 15:15:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2022-36, CPM2022-61, LQE2022-69 |
| 巻番号（vol） | vol.122 |
| 号番号（no） | no.271(ED), no.272(CPM), no.273(LQE) |
| ページ範囲 | pp.57-60 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2022-11-17 (ED, CPM, LQE) |
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