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講演抄録/キーワード
講演名 2022-11-24 13:05
ゾル-ゲル法による低抵抗Al添加ZnO透明導電膜の作製
安部功二久保田 佑名工大ED2022-30 CPM2022-55 LQE2022-63
抄録 (和) ゾル-ゲル法は,酸化亜鉛(ZnO)をはじめとする酸化物半導体の成膜に利用されている.しかし,ゾル-ゲル法で成膜したZnO薄膜の抵抗率は比較的高く,アルミニウムやガリウム等のドナーを添加しても、抵抗率が低下しにくいという課題がある.本研究では,亜鉛膜を付けたガラス基板上に,Al添加ZnO薄膜(AZO)をゾル-ゲル法で成膜した.原料溶液をディップコートした直後の試料は不透明であったが,アルゴンと水素の混合雰囲気中,520 Cで1時間のアニールを行うと,亜鉛膜とディップコート膜中の酸素が反応して試料は透明になった.亜鉛膜付きの基板を用いることで,ホール移動度とキャリヤ密度が増加し,$1.4×10^−3$ $Omega$cmの抵抗率を持つAZO薄膜が得られた. 
(英) Sol-gel process is used to deposit oxide semiconductor thin films such as zinc oxide (ZnO). However, resistivity of ZnO thin films deposited by sol-gel method is relatively high, regardless of impurity doping. In this study, low-resistivity Al-doped ZnO thin films (AZO) were deposited on glass substrates with Zn layers by using sol-gel method. During annealing in Ar and H2 mixture at 520 C, the underlying Zn layer reacted with oxygen in the sol-gel deposited film. The AZO films after annealing were transparent. Hall mobility and carrier concentration were increased by using the glass substrates with Zn layers. The lowest resistivity obtained in this study was $1.4×10^−3$ $Omega$cm.
キーワード (和) 酸化亜鉛 / 透明導電酸化膜 / ゾル-ゲル法 / / / / /  
(英) zinc oxide / transparent conductive oxide / sol-gel deposition / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 122, no. 272, CPM2022-55, pp. 33-36, 2022年11月.
資料番号 CPM2022-55 
発行日 2022-11-17 (ED, CPM, LQE) 
ISSN Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ED2022-30 CPM2022-55 LQE2022-63

研究会情報
研究会 CPM ED LQE  
開催期間 2022-11-24 - 2022-11-25 
開催地(和) ウインクあいち(愛知県産業労働センター)(名古屋) 
開催地(英) Winc Aichi (Aichi Industry & Labor Center) 
テーマ(和) 窒化物半導体光、電子デバイス、材料、関連技術、及び一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 CPM 
会議コード 2022-11-CPM-ED-LQE 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) ゾル-ゲル法による低抵抗Al添加ZnO透明導電膜の作製 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Al-doped ZnO thin films deposited by sol-gel method 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 酸化亜鉛 / zinc oxide  
キーワード(2)(和/英) 透明導電酸化膜 / transparent conductive oxide  
キーワード(3)(和/英) ゾル-ゲル法 / sol-gel deposition  
キーワード(4)(和/英) /  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 安部 功二 / Koji Abe / アベ コウジ
第1著者 所属(和/英) 名古屋工業大学 (略称: 名工大)
Nagoya Institute of Technology (略称: NITech)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 久保田 佑 / Tasuku Kubota / クボタ タスク
第2著者 所属(和/英) 名古屋工業大学 (略称: 名工大)
Nagoya Institute of Technology (略称: NITech)
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講演者 第1著者 
発表日時 2022-11-24 13:05:00 
発表時間 20分 
申込先研究会 CPM 
資料番号 ED2022-30, CPM2022-55, LQE2022-63 
巻番号(vol) vol.122 
号番号(no) no.271(ED), no.272(CPM), no.273(LQE) 
ページ範囲 pp.33-36 
ページ数
発行日 2022-11-17 (ED, CPM, LQE) 


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