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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2022-11-24 15:45 リセス構造形成後表面処理を施したAlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性評価 ○戸田圭太郎・久保俊晴・江川孝志（名工大）  ED2022-37 CPM2022-62 LQE2022-70 |
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| 抄録 | （和） | ALD-SiO2/Al2O3 2層絶縁膜を用いたゲートリセス構造を有するノーマリオフ型AlGaN/GaN MIS-HEMTでは、リセス構造形成時のエッチングダメージによる特性の劣化が課題である。本研究ではエッチング後のI/S界面の改善を図るため、HCl処理とアニール処理による表面処理を施したMIS-HEMTを作製し、その電気特性を評価した。HCl処理と500℃アニールを組み合わせることでエッチング面のRMSは0.65 nmから0.42 nmまで減少することを確認した。また、Vthは2.68 Vから3.24 Vまで正側へシフトし、⊿Vthは1.1 V減少した。伝導帯下端0.7 eVにおける界面準位は2×1013 cm-2eV-1から7×1012 cm-2eV-1まで減少することを確認した。エッチング面に対してHCl処理とアニール処理による表面処理は効果的であり、エッチングダメージを抑制したデバイスが作製可能であることが分かった。 |
| （英） | Degradation of electrical characteristics due to etching damage during recess structure formation has been an issue for normally-off type devices with a recess structure using ALD-SiO2/Al2O3 bilayer insulating film /AlGaN/GaN MIS-HEMTs. In order to improve the I/S interface after etching, we fabricated MIS-HEMTs with HCl and annealing treatments and evaluated the electrical properties. We confirmed that the RMS of the etched surface decreased from 0.65 nm to 0.42 nm by combining HCl treatment and 500℃ annealing. Furthermore, Vth shifted to the positive side from 2.68 V to 3.24 V, and ⊿Vth decreased by 1.1 V. We confirmed that the interface state at 0.7 eV below the conduction band minimum decreased by half from 2×1013 cm-2eV-1 to 7×1012 cm-2eV-1. We found that the surface treatment by HCl and annealing treatment is effective for the etching surface, and it is possible to fabricate a device that suppresses etching damage. | |
| キーワード | （和） | GaN / MIS / HEMT / ALD / Al2O3 / SiO2 / / |
| （英） | GaN / MIS / HEMT / ALD / Al2O3 / SiO2 / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 122, no. 271, ED2022-37, pp. 61-64, 2022年11月. | |
| 資料番号 | ED2022-37 | |
| 発行日 | 2022-11-17 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2022-37 CPM2022-62 LQE2022-70 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM ED LQE |
| 開催期間 | 2022-11-24 - 2022-11-25 |
| 開催地（和） | ウインクあいち（愛知県産業労働センター）（名古屋） |
| 開催地（英） | Winc Aichi (Aichi Industry & Labor Center) |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光、電子デバイス、材料、関連技術、及び一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2022-11-CPM-ED-LQE |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | リセス構造形成後表面処理を施したAlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Estimation of electrical characteristics of surface treatment after recess structure formation in AlGaN/GaN MIS-HEMTs |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | MIS / MIS |
| キーワード(3)（和/英） | HEMT / HEMT |
| キーワード(4)（和/英） | ALD / ALD |
| キーワード(5)（和/英） | Al2O3 / Al2O3 |
| キーワード(6)（和/英） | SiO2 / SiO2 |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 戸田 圭太郎 / Keitaro Toda / トダ ケイタロウ |
| 第1著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Insititute of technology (略称： NITech) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 久保 俊晴 / Toshiharu Kubo / クボ トシハル |
| 第2著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Insititute of technology (略称： NITech) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 江川 孝志 / Takashi Egawa / エガワ タカシ |
| 第3著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Insititute of technology (略称： NITech) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2022-11-24 15:45:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2022-37, CPM2022-62, LQE2022-70 |
| 巻番号（vol） | vol.122 |
| 号番号（no） | no.271(ED), no.272(CPM), no.273(LQE) |
| ページ範囲 | pp.61-64 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2022-11-17 (ED, CPM, LQE) |
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