講演抄録/キーワード |
講演名 |
2022-12-09 16:25
大電流動作に向けた電子源要素技術の開発 ○村田博雅・村上勝久・長尾昌善(産総研) ED2022-70 |
抄録 |
(和) |
我々は,ボルケーノ構造を有するゲート電極と集束電極を配置したダブルゲートフィールドエミッタアレイを開発してきた.ゲート電極を精緻に配置することで高いビーム集束を実現しイメージセンサーなど電流量の少ないアプリケーションに応用してきた.現在,エックス線源や超高周波管など,大電流のアプリケーションにも応用できるように大電流化のための要素技術を開発している.今回,反応性スパッタを用いてSiエミッタにTiNコーティングを施したボルケーノ構造フィールドエミッタアレイを作製した。膜質およびエミッション特性を評価した結果、TiNにより大電流化することが確認できた。 |
(英) |
In our previous study, we have developed a volcano-structured double-gate field emitter array (FEA). We have achieved high beam focusing by precisely arranging the gate electrode. Although the double gate FEA is applied to image sensor which require low current, higher current operation is necessary for the application of X-ray sources and high-frequency vacuum tube. In this study, TiN is deposited on silicon cone by reactive sputtering using Ar/N2 gas and Ti target. The volcano-structured gate electrode is formed on TiN-coated Si cone using etch-back technique. TiN-coated volcano-structured FEA demonstrated high-current operation. |
キーワード |
(和) |
フィールドエミッタアレイ / ボルケーノ構造 / TiNコーティング / / / / / |
(英) |
Field emitter array / Volcano structure / TiN coating / / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 122, no. 298, ED2022-70, pp. 64-65, 2022年12月. |
資料番号 |
ED2022-70 |
発行日 |
2022-12-01 (ED) |
ISSN |
Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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ED2022-70 |