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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2023-02-07 10:45 ［招待講演］先端3D構造ロジック・メモリデバイスにおける原子層等方加工技術 ○大竹浩人（日立ハイテクノロジーズ）  SDM2022-86 |
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| 抄録 | （和） | 2nm以降のLogicデバイスや100層以上のNANDデバイスにおいて、原子層等方加工技術(Isotropic Atomic Layer Etching)が強く求められている．高精度な等方加工を実現する方法として、供給律速プロセスやSelf-limitingな改質を利用するプロセス、Ligand exchangeなどが知られている．本報告では、我々が開発したDry Chemical Removal(DCR)装置を紹介する．DCRはプラズマからのラジカルおよびIRランプによるウエハ昇温を可能としている．シリコンエッチでは表面酸化とHFガスによるALEが実現できる．SiO2に対してはHFとNH3ガスの照射と昇温によりALEが実現される．SiN, TiNおよびWではフロロカーボンラジカル照射とウエハ昇温によるALEが確認された．Coのエッチングにはジケトンの照射とウエハ昇温で等方エッチングが実現できる． |
| （英） | Isotropic atomic layer etching (ALE) has become essential technology for the fabrication of logic transistors beyond 2nm-generation and NAND memory with more than 100 layers stacking. There are several promising etching technologies for the precise isotropic ALE, like the reaction limiting process, the modification limiting process and the ligand exchange process. In this work, we summarized the various material etchings by using a dry chemical removal (DCR) tool, which has radicals from plasma and infrared lamp capability. Silicon ALE can be realized by the combination of surface oxidation and removal by HF vapor. SiO2 can be etched by the alternate flows of HF and NH3 followed by wafer heating. SiN, TiN and W can be etched in nanometer precision by using the fluorination by hydrofluorocarbon radicals and wafer heating. Co ALE can be realized by diketon exposure and wafer heating. | |
| キーワード | （和） | エッチング / 等方性 / ALE / プラズマ / / / / |
| （英） | Etching / Isotropic / ALE / Plasma / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 122, no. 377, SDM2022-86, pp. 5-8, 2023年2月. | |
| 資料番号 | SDM2022-86 | |
| 発行日 | 2023-01-31 (SDM) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2022-86 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2023-02-07 - 2023-02-07 |
| 開催地（和） | 東京大学 武田ホール |
| 開催地（英） | Tokyo Univ. |
| テーマ（和） | 配線・実装技術と関連材料技術 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2023-02-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 先端3D構造ロジック・メモリデバイスにおける原子層等方加工技術 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Atomic Layer and Conformal Etching Technologies of 3D Structures in Advanced Logic and Memory Devices |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | エッチング / Etching |
| キーワード(2)（和/英） | 等方性 / Isotropic |
| キーワード(3)（和/英） | ALE / ALE |
| キーワード(4)（和/英） | プラズマ / Plasma |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大竹 浩人 / Hiroto Ohtake / オオタケ ヒロト |
| 第1著者 所属（和/英） | 株式会社 日立ハイテク (略称： 日立ハイテクノロジーズ) Hitachi High-Tech Corporation (略称： Hitachi High-Tech Corp.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2023-02-07 10:45:00 |
| 発表時間 | 40分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2022-86 |
| 巻番号（vol） | vol.122 |
| 号番号（no） | no.377 |
| ページ範囲 | pp.5-8 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2023-01-31 (SDM) |
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