| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2023-04-15 10:45 胎動回路のPUF応用 ○成瀬厚太郎・上田貴之・塩見 準・御堂義博・三浦典之（阪大）  HWS2023-12 |
|
| 抄録 | （和） | 本論文では, コンピュータを動作させるための未開拓のエネルギー場として, 半導体製造工程で利用される高エネルギーのプラズマに注目した. 反応性イオンエッチングは, 半導体製造工程におけるエッチングの主な方式の一つであり, シリコン層や金属層の加工に高エネルギーのプラズマが用いられる. しかし, プラズマを用いた製造工程において, プラズマ起因のチャージアップ電流により トランジスタのゲート酸化膜にダメージが与えられ, LSIの性能が劣化してしまうアンテナ効果が広く知られている. 本論文では, ゲート酸化膜を破壊するほどに高エネルギーのエッチングプラズマから 安定的な電力を獲得し, 製造中に動作する回路, 胎動回路を実現した. また, 胎動回路により実現される機能の一つとして,酸化膜破壊PUFを提案する. 実際に製造中させ, 胎動回路によるPUFの生成に成功した. |
| （英） | As a yet unexploited high-energy source for powering ICs, this paper focused on high-energy plasma in a semiconductor fabrication process. Plasma-based Reactive Ion Etching (RIE) is one mainstream etching method in semiconductor fabrication. The high-energy plasma is used to process silicon and metal layers, but the Ion charging current is strong enough to break a transistor gate oxide. By harvesting stable power from this high-energy etching plasma, a computing circuit operating during its fabrication process can be realized, namely Fetal-Movement Circuit (FMC). In this paper, FMC is utilized to fabricate oxide-breakdown PUF successfully. | |
| キーワード | （和） | プラズマ / 半導体製造 / 反応性イオンエッチング / PUF / 酸化膜破壊 / / / |
| （英） | plasma / semiconductor fabrication / Reactive Ion Etching (RIE) / PUF / oxide-breakdown / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 123, no. 6, HWS2023-12, pp. 49-50, 2023年4月. | |
| 資料番号 | HWS2023-12 | |
| 発行日 | 2023-04-07 (HWS) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | HWS2023-12 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | HWS |
| 開催期間 | 2023-04-14 - 2023-04-15 |
| 開催地（和） | 湯布院公民館 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | ハードウェアセキュリティ，一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | HWS |
| 会議コード | 2023-04-HWS |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 胎動回路のPUF応用 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | PUF Based on Fetal-Movement Circuit |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | プラズマ / plasma |
| キーワード(2)（和/英） | 半導体製造 / semiconductor fabrication |
| キーワード(3)（和/英） | 反応性イオンエッチング / Reactive Ion Etching (RIE) |
| キーワード(4)（和/英） | PUF / PUF |
| キーワード(5)（和/英） | 酸化膜破壊 / oxide-breakdown |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 成瀬 厚太郎 / Kotaro Naruse / ナルセ コウタロウ |
| 第1著者 所属（和/英） | 大阪大学 (略称： 阪大) Osaka University (略称： Osaka Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 上田 貴之 / Takayuki Ueda / ウエダ タカユキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 大阪大学 (略称： 阪大) Osaka University (略称： Osaka Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 塩見 準 / Jun Shiomi / シオミ ジュン |
| 第3著者 所属（和/英） | 大阪大学 (略称： 阪大) Osaka University (略称： Osaka Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 御堂 義博 / Yoshihiro Midoh / ミドウ ヨシヒロ |
| 第4著者 所属（和/英） | 大阪大学 (略称： 阪大) Osaka University (略称： Osaka Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 三浦 典之 / Noriyuki Miura / ミウラ ノリユキ |
| 第5著者 所属（和/英） | 大阪大学 (略称： 阪大) Osaka University (略称： Osaka Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2023-04-15 10:45:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | HWS |
| 資料番号 | HWS2023-12 |
| 巻番号（vol） | vol.123 |
| 号番号（no） | no.6 |
| ページ範囲 | pp.49-50 |
| ページ数 | 2 |
| 発行日 | 2023-04-07 (HWS) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]