| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2023-08-01 10:05 反応性スパッタリングによるTiおよびV系MAX合金薄膜形成と物性評価 ○上田和貴・若松和伸・齊藤丈靖・岡本尚樹（阪公立大）  CPM2023-20 |
|
| 抄録 | （和） | 現在、最先端の半導体デバイスの配線材料はCuが主流であるが、Cuは周囲に容易に拡散して電気特性を劣化させるため、拡散防止膜が必要である。また、配線幅が狭くなると拡散防止膜の比率が増大し、かつCuは微細化による抵抗上昇が著しいため、配線層全体の抵抗値が急増する。MAX化合物（M：初期遷移金属、A：13～16族元素、X：炭素または窒素、n = 1 ～3）は、拡散防止膜が不要かつ狭配線での抵抗率が小さいため、新規配線材料として注目されている。本研究ではM = Ti系およびV系のMAX化合物に対して、スパッタリングターゲットとなるカーボンディスク上のM元素とA元素の比率を変更し、 (Ti or V)-(Si or Al or Ge)-C薄膜を作製してターゲット組成の影響を詳細に調べ、膜の配向性、表面形態、抵抗を評価した。基板温度800℃で製膜したTiSiC膜で22 Omega、400℃で製膜したTiGeC膜で1234 μOmegacdotcmとなり、M元素ではTi、A元素ではGeで低抵抗化された。 |
| （英） | Currently, Cu is the main wiring material in leading-edge semiconductor devices. However, since Cu easily diffuses into Si and the interlayer dielectric film and degrades electrical characteristics, a diffusion barrier film is necessary. MAX Phases (M: an early transition metal, A: group 13 to 16 elements, X: carbon or nitrogen, n = 1 to 3) are attracting attention as a new wiring material because they do not require a diffusion barrier film and have low resistivity in narrow wiring. In this study, the ratios of M and A elements on the sputtering target carbon disk were changed for M = Ti and V-based MAX phases, and (Ti or V)-(Si or Al or Ge)-C thin films were fabricated to investigate the effects of target composition in detail. After preparation, the film orientation, surface morphology, and resistance were investigated. The TiSiC film fabricated at a substrate temperature of 800°C yielded 22 Omega, and the TiGeC film fabricated at 400°C yielded 1234 μOmegacdotcm, with lower resistivity achieved with Ti for the M element and Ge for the A element. | |
| キーワード | （和） | スパッタリング / MAX化合物 / 配線抵抗 / / / / / |
| （英） | sputtering / MAX Phases / interconnect resistance / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 123, no. 142, CPM2023-20, pp. 33-35, 2023年7月. | |
| 資料番号 | CPM2023-20 | |
| 発行日 | 2023-07-24 (CPM) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | CPM2023-20 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
| 開催期間 | 2023-07-31 - 2023-08-01 |
| 開催地（和） | 北見工業大学 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 電子部品・材料，一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | CPM |
| 会議コード | 2023-07-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 反応性スパッタリングによるTiおよびV系MAX合金薄膜形成と物性評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Evaluation of the Physical Properties of Reactive sputtered Ti or V-based MAX alloy thin film |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | スパッタリング / sputtering |
| キーワード(2)（和/英） | MAX化合物 / MAX Phases |
| キーワード(3)（和/英） | 配線抵抗 / interconnect resistance |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 上田 和貴 / Kazuki Ueda / ウエダ カズキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 大阪公立大学 (略称： 阪公立大) Osaka Metropolitan University (略称： Osaka Metropolitan Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 若松 和伸 / Kazunobu Wkamatsu / ワカマツ カズノブ |
| 第2著者 所属（和/英） | 大阪公立大学 (略称： 阪公立大) Osaka Metropolitan University (略称： Osaka Metropolitan Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 齊藤 丈靖 / Takeyasu Saito / サイトウ タケヤス |
| 第3著者 所属（和/英） | 大阪公立大学 (略称： 阪公立大) Osaka Metropolitan University (略称： Osaka Metropolitan Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岡本 尚樹 / Naoki Okamoto / オカモト ナオキ |
| 第4著者 所属（和/英） | 大阪公立大学 (略称： 阪公立大) Osaka Metropolitan University (略称： Osaka Metropolitan Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2023-08-01 10:05:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | CPM |
| 資料番号 | CPM2023-20 |
| 巻番号（vol） | vol.123 |
| 号番号（no） | no.142 |
| ページ範囲 | pp.33-35 |
| ページ数 | 3 |
| 発行日 | 2023-07-24 (CPM) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]