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講演抄録/キーワード
講演名 2023-08-01 09:45
3°オフ角Si(110)基板上へのSiC/AlN多層構造の作製およびグラフェンの形成
齋藤遼佑奈良友奎葛西大希郡山春人遠田義晴中澤日出樹弘前大CPM2023-19
抄録 (和) 3 ̊オフ角Si(110)基板上にパルスレーザーアブレーション(PLD)法によりAlN薄膜を作製し、AlN上にモノメチルシラン(MMS)を用いた低圧化学気相成長法により SiC バッファ層を形成し、その上にPLD法によりSiC薄膜を作製した。SiC薄膜の結晶性および平坦性を改善するために、SiCバッファ層の形成温度とMMS圧力の最適化を行った。更に、真空中で高温アニールすることでSiC上にグラフェンを形成した。X線光電子分光法およびラマン分光法を用いてグラフェンの結晶性および層数を調べた。1200 ̊C で30分間アニールを行うことにより、4~5層のグラフェンが形成されることがわかった。また、本研究で得られた最適条件によって形成したSiCバッファ層を用いることで、グラフェンの成長速度はこれまでのSi(110)基板上に比べて十分高いことがわかった。 
(英) We have grown aluminum nitride (AlN) films on 3 ̊off-axis Si(110) substrates by pulsed laser deposition (PLD) and formed SiC low-temperature buffer layers on the AlN layers by ultralow pressure chemical vapor deposition using monomethylsilane (MMS; CH3SiH3) to grow SiC films on the buffer layers by PLD. We optimized the substrate temperature and MMS pressure for formation of the buffer layers to improve the crystallinity and surface roughness of the SiC films. Furthermore, graphene was formed on the SiC films on the buffer layers formed under the optimized conditions by high- temperature annealing in vacuum. X-ray photoelectron spectroscopy and Raman spectroscopy were used to evaluate the crystallinity and determine the number of layers of graphene. Annealing at 1200 ̊C for 30 min resulted in the formation of 4-5 layers of graphene. It was found that employing the SiC buffer layer formed under the optimized conditions increased the growth rate of graphene, which was much higher than those of graphene on Si(110) substrates.
キーワード (和) グラフェン / 炭化ケイ素 / 窒化アルミニウム / レーザーアブレーション / ヘテロエピタキシ / / /  
(英) Graphene / Silicon carbide / Aluminum nitride / Pulsed laser deposition / Heteroepitaxy / / /  
文献情報 信学技報, vol. 123, no. 142, CPM2023-19, pp. 29-32, 2023年7月.
資料番号 CPM2023-19 
発行日 2023-07-24 (CPM) 
ISSN Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード CPM2023-19

研究会情報
研究会 CPM  
開催期間 2023-07-31 - 2023-08-01 
開催地(和) 北見工業大学 
開催地(英)  
テーマ(和) 電子部品・材料,一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 CPM 
会議コード 2023-07-CPM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 3°オフ角Si(110)基板上へのSiC/AlN多層構造の作製およびグラフェンの形成 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Fabrication of SiC/AlN multilayer structure on 3°off-axis Si(110) substrate and graphene formation thereon 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) グラフェン / Graphene  
キーワード(2)(和/英) 炭化ケイ素 / Silicon carbide  
キーワード(3)(和/英) 窒化アルミニウム / Aluminum nitride  
キーワード(4)(和/英) レーザーアブレーション / Pulsed laser deposition  
キーワード(5)(和/英) ヘテロエピタキシ / Heteroepitaxy  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 齋藤 遼佑 / Ryosuke Saito / サイトウ リョウスケ
第1著者 所属(和/英) 弘前大学 (略称: 弘前大)
Hirosaki University (略称: Hirosaki Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 奈良 友奎 / Yuki Nara / ナラ ユウキ
第2著者 所属(和/英) 弘前大学 (略称: 弘前大)
Hirosaki University (略称: Hirosaki Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 葛西 大希 / Daiki Kasai / カサイ ダイキ
第3著者 所属(和/英) 弘前大学 (略称: 弘前大)
Hirosaki University (略称: Hirosaki Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 郡山 春人 / Haruto Koriyama / コオリヤマ ハルト
第4著者 所属(和/英) 弘前大学 (略称: 弘前大)
Hirosaki University (略称: Hirosaki Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 遠田 義晴 / Yoshiharu Enta / エンタ ヨシハル
第5著者 所属(和/英) 弘前大学 (略称: 弘前大)
Hirosaki University (略称: Hirosaki Univ.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 中澤 日出樹 / Hideki Nakazawa / ナカザワ ヒデキ
第6著者 所属(和/英) 弘前大学 (略称: 弘前大)
Hirosaki University (略称: Hirosaki Univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2023-08-01 09:45:00 
発表時間 20分 
申込先研究会 CPM 
資料番号 CPM2023-19 
巻番号(vol) vol.123 
号番号(no) no.142 
ページ範囲 pp.29-32 
ページ数
発行日 2023-07-24 (CPM) 


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