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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2023-08-01 15:25 ［招待講演］短チャネルバルクMOSFETsの極低温動作時に生じる低周波ノイズの起源 ○稲葉 工・岡 博史・浅井栄大・更田裕司・飯塚将太・加藤公彦・下方駿佑・福田浩一・森 貴洋（産総研）  SDM2023-40 ICD2023-19 |
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| 抄録 | （和） | 極低温動作MOSFETは量子ビット制御回路への利用が期待されている。本研究は極低温動作時の低周波ノイズの起源解明を目指すものであり、短チャネルバルクMOSFETで生じるランダムテレグラフノイズの温度依存性を評価した。その結果、動作温度が室温から3 Kへと変化するにしたがって、酸化膜中の未結合手に由来する電荷トラップからシリコン-酸化膜界面付近の未結合手に由来する電荷トラップへとノイズ源が遷移することが明らかになった。さらに、量子ビット制御回路の動作温度とされる数Kでは、界面近傍に存在してバンド端から数十meV程度しか離れていないエネルギー準位を持つトラップが低周波ノイズを引き起こすことを明らかにした。 |
| （英） | The assignment of low-frequency noise sources in the cryogenic operation of MOSFET is of great importance because of the increasing demands of such devices for qubits controllers. This report analyzed the temperature dependence of random telegraph noise in short-channel bulk MOSFET to reveal the low-frequency noise sources. As a result, the noise sources transit from inner-oxide traps to interface traps with decreasing temperature. Furthermore, band-edge localized states, located right on the interface and have energy levels aligned to the band edge, are confirmed to be responsible for the noise at a few K. | |
| キーワード | （和） | Cryo-CMOS / 量子コンピュータ / ランダムテレグラフノイズ / シリコン / / / / |
| （英） | Cryo-CMOS / Quantum Computer / Random Telegraph Noise / Silicon / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 123, no. 143, SDM2023-40, pp. 22-27, 2023年8月. | |
| 資料番号 | SDM2023-40 | |
| 発行日 | 2023-07-25 (SDM, ICD) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2023-40 ICD2023-19 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM ICD ITE-IST |
| 開催期間 | 2023-08-01 - 2023-08-03 |
| 開催地（和） | 北海道大学 情報教育館 3F |
| 開催地（英） | Hokkaido Univ. Multimedia Education Bldg. 3F |
| テーマ（和） | アナログ、アナデジ混載、RF及びセンサインタフェース回路、低電圧・低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 |
| テーマ（英） | Analog, Mixed Analog and Digital, RF, and Sensor Interface, Low Voltage/Low Power Techniques, Novel Devices/Circuits, and the Applications |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2023-08-SDM-ICD-IST |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 短チャネルバルクMOSFETsの極低温動作時に生じる低周波ノイズの起源 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Low-Frequency Noise Source in the Cryogenic Operation of Short-Channel Bulk MOSFET |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | Cryo-CMOS / Cryo-CMOS |
| キーワード(2)（和/英） | 量子コンピュータ / Quantum Computer |
| キーワード(3)（和/英） | ランダムテレグラフノイズ / Random Telegraph Noise |
| キーワード(4)（和/英） | シリコン / Silicon |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 稲葉 工 / Takumi Inaba / イナバ タクミ |
| 第1著者 所属（和/英） | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technologyf (略称： AIST) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岡 博史 / Hiroshi Oka / オカ ヒロシ |
| 第2著者 所属（和/英） | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technologyf (略称： AIST) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 浅井 栄大 / Hidehiro Asai / アサイ ヒデヒロ |
| 第3著者 所属（和/英） | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technologyf (略称： AIST) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 更田 裕司 / Hiroshi Fuketa / フケタ ヒロシ |
| 第4著者 所属（和/英） | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technologyf (略称： AIST) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 飯塚 将太 / Shota Iizuka / イイヅカ ショウタ |
| 第5著者 所属（和/英） | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technologyf (略称： AIST) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 加藤 公彦 / Kimihiko Kato / カトウ キミヒコ |
| 第6著者 所属（和/英） | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technologyf (略称： AIST) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 下方 駿佑 / Shunsuke Shitakata / シタカタ シュンスケ |
| 第7著者 所属（和/英） | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technologyf (略称： AIST) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 福田 浩一 / Koichi Fukuda / フクダ コウイチ |
| 第8著者 所属（和/英） | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technologyf (略称： AIST) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 森 貴洋 / Takahiro Mori / モリ タカヒロ |
| 第9著者 所属（和/英） | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technologyf (略称： AIST) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第10著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第11著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第11著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第12著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第12著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2023-08-01 15:25:00 |
| 発表時間 | 45分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2023-40, ICD2023-19 |
| 巻番号（vol） | vol.123 |
| 号番号（no） | no.143(SDM), no.144(ICD) |
| ページ範囲 | pp.22-27 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2023-07-25 (SDM, ICD) |
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