講演抄録/キーワード |
講演名 |
2023-08-01 10:40
金属/GaNショットキー電極評価の変遷 ○塩島謙次(福井大) CPM2023-21 |
抄録 |
(和) |
本講演では著者が黎明期から携わってきた金属/GaNショットキー接触に関する実験結果を紹介し、結晶品質、プロセス技術、および電極特性の理解の進展を振り返る.(i)高耐熱電極を模索していた時期の熱劣化過程の評価、(ii)GaNの代表的な結晶欠陥である転位と電極特性の相関、(iii)低Mgドーピングによるp-GaNショットキー接触の実現、及び表面欠陥の評価、(iv)理想的な特性の実現(劈開面の利用、表面処理、電極堆積後アニールの効果)、(v)我々のオリジナルな手法である界面顕微光応答法による電極界面の2次元評価について述べる. |
(英) |
This paper reviews innovation of metal/GaN contacts from the aspects of crystal quality, process technique, and basic understanding of the electrical characteristics. Five topics; (i) thermal degradation of refractory metal contacts, (ii) correlation between dislocations and electrical characteristics, (iii) large-barrier p-GaN Schottky contacts by reducing Mg doping level, (iv) exploring ideal metal/GaN interfaces by cleaving, surface treatment, and post metallization annealing, (v) two-dimensional characterization using our original method: scanning internal photoemission microscopy will be presented. |
キーワード |
(和) |
GaN / ショットキー接触 / 結晶欠陥 / 二次元評価 / 界面顕微光応答法 / / / |
(英) |
GaN / Schottky contacts / Crystal defects / Two-dimensional characterization / Scanning internal photoemission microscopy / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 123, no. 142, CPM2023-21, pp. 36-39, 2023年7月. |
資料番号 |
CPM2023-21 |
発行日 |
2023-07-24 (CPM) |
ISSN |
Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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CPM2023-21 |