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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2023-08-01 16:10 高圧水素アニールによるSi (110)面 n-MOSFETの極低温特性改善 ○下方駿佑（慶大/産総研）・岡 博史・稲葉 工・飯塚将太・加藤公彦・森 貴洋（産総研）  SDM2023-41 ICD2023-20 |
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| 抄録 | （和） | 大規模量子コンピュータの実現に向けて，量子ビットの制御機能を集積回路化するクライオCMOS技術が期待されている．近年の研究で，極低温下でのMOSFETの動作特性は，界面トラップによるキャリアの捕獲・放出の影響を強く受けることが明らかになっている．そのため，高性能なクライオCMOS素子の実現に向けてはシリコン/絶縁膜界面の高品質化が有用だと予想される．本報告では， Si (110)面に作製されたn-MOSFETの界面品質改善を狙い，追加で高圧水素アニールを行った結果，極低温での電流電圧特性が改善したことを報告する．特性改善が高圧水素アニールによる界面トラップ密度低下に起因する可能性を示し，クライオCMOS素子技術における界面品質の重要性を実験的に示す． |
| （英） | Cryo-CMOS technology is highly demanded to realize control circuits of large-scale quantum computers, which control and read out qubit states. Recent research has revealed that the capture and release of carriers by interface traps strongly affect the cryogenic operation of MOSFETs. Therefore, it is speculated that better interface quality would improve the cryogenic operation of MOSFETs by reducing the number of interface traps. In this paper, we report that additional high-pressure hydrogen annealing improves the cryogenic operation of Si (110)-oriented n-MOSFETs. We experimentally exhibit that reducing interface trap density by high-pressure hydrogen annealing improves the cryogenic characteristics, which clarifies the importance of interface quality in Cryo-CMOS technology. | |
| キーワード | （和） | クライオCMOS / 極低温 / シリコン量子コンピュータ / 高圧水素アニール / ゲートスタック / / / |
| （英） | Cryo-CMOS / Cryogenic temperature / Silicon quantum computer / High-pressure hydrogen annealing / Gate stack / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 123, no. 143, SDM2023-41, pp. 28-31, 2023年8月. | |
| 資料番号 | SDM2023-41 | |
| 発行日 | 2023-07-25 (SDM, ICD) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2023-41 ICD2023-20 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM ICD ITE-IST |
| 開催期間 | 2023-08-01 - 2023-08-03 |
| 開催地（和） | 北海道大学 情報教育館 3F |
| 開催地（英） | Hokkaido Univ. Multimedia Education Bldg. 3F |
| テーマ（和） | アナログ、アナデジ混載、RF及びセンサインタフェース回路、低電圧・低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 |
| テーマ（英） | Analog, Mixed Analog and Digital, RF, and Sensor Interface, Low Voltage/Low Power Techniques, Novel Devices/Circuits, and the Applications |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2023-08-SDM-ICD-IST |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 高圧水素アニールによるSi (110)面 n-MOSFETの極低温特性改善 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Additional High-Pressure Hydrogen Annealing Improves the Cryogenic Operation of Si (110)-oriented n-MOSFETs |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | クライオCMOS / Cryo-CMOS |
| キーワード(2)（和/英） | 極低温 / Cryogenic temperature |
| キーワード(3)（和/英） | シリコン量子コンピュータ / Silicon quantum computer |
| キーワード(4)（和/英） | 高圧水素アニール / High-pressure hydrogen annealing |
| キーワード(5)（和/英） | ゲートスタック / Gate stack |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 下方 駿佑 / Shunsuke Shitakata / シタカタ シュンスケ |
| 第1著者 所属（和/英） | 慶應義塾大学/産業技術総合研究所 (略称： 慶大/産総研) Keio University/National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： Keio Univ./AIST) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岡 博史 / Hiroshi Oka / オカ ヒロシ |
| 第2著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 稲葉 工 / Takumi Inaba / イナバ タクミ |
| 第3著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 飯塚 将太 / Shota Iizuka / イイヅカ ショウタ |
| 第4著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 加藤 公彦 / Kimihiko Kato / カトウ キミヒコ |
| 第5著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 森 貴洋 / Takahiro Mori / モリ タカヒロ |
| 第6著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2023-08-01 16:10:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2023-41, ICD2023-20 |
| 巻番号（vol） | vol.123 |
| 号番号（no） | no.143(SDM), no.144(ICD) |
| ページ範囲 | pp.28-31 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2023-07-25 (SDM, ICD) |
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