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| 講演名 | 2024-01-25 15:55 ダイヤモンド放熱基板を用いたGaN HEMTの開発 ○白柳裕介（三菱電機/熊本大）・友久伸吾（三菱電機）・笠村啓司・豊田洋輝（熊本大）・松前貴司・倉島優一・高木秀樹（産総研）・久保田章亀（熊本大）・長永隆志（三菱電機）  ED2023-69 MW2023-161 |
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| 抄録 | （和） | 常温活性化接合法を用いて，1インチ級モザイクダイヤモンド基板上に窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ（GaN HEMT）を作製することに成功した．その中で，GaN HEMTのN面及びモザイクダイヤモンド基板に対し，超高精度の平滑面（Sa：0.3nm以下）を創出し，極薄の接合層を介して95%以上の領域で接合されていた．電気特性評価結果においては，ダイヤモンド基板上HEMTの安定的な正常動作を確認するとともに，Si基板上HEMT素子で見られる高ドレイン電圧でのドレイン電流の低下が抑制されていることが確認された．また，二次元温度マッピング評価によりHEMT動作中の表面温度測定を行った結果，作製したダイヤモンド基板上HEMTの表面温度は，同一動作条件下でのSi基板上HEMT及びSiC基板上HEMTの表面温度と比較して大幅に低下し，ダイヤモンド基板による放熱性能向上効果が実証された． |
| （英） | 1-inch size GaN-on-Diamond high electron mobility transistors (GoD HEMTs) has been successfully fabricated using surface-activated room-temperature bonding of a substrate where GaN HEMTs are formed on mosaic diamond substrate. The bonding area of over 95% is achieved due to the limited surface average roughness of less than 0.3nm for both bonding substrate surfaces. The drain current (Id) - drain voltage (Vd) characteristics indicates that GaN HEMTs have been transferred on the diamond substrate without any negative effects of the bonding step. The 2D-temperature mapping results demonstrate drastic suppression of temperature rising during transistor-operation due to the effective heat dissipation through the mosaic diamond substrate. | |
| キーワード | （和） | GaN / HEMT / ダイヤモンド / 接合 / 研磨 / GaN-on-Diamond / / |
| （英） | GaN / HEMT / Diamond / Bonding / Polishing / GaN-on-Diamond / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 123, no. 365, ED2023-69, pp. 15-18, 2024年1月. | |
| 資料番号 | ED2023-69 | |
| 発行日 | 2024-01-18 (ED, MW) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2023-69 MW2023-161 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED MW |
| 開催期間 | 2024-01-25 - 2024-01-26 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 化合物半導体ICおよび超高速・超高周波デバイス／マイクロ波一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2024-01-ED-MW |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | ダイヤモンド放熱基板を用いたGaN HEMTの開発 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Development of GaN HEMT using a diamond substrate as a heat spreader |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | HEMT / HEMT |
| キーワード(3)（和/英） | ダイヤモンド / Diamond |
| キーワード(4)（和/英） | 接合 / Bonding |
| キーワード(5)（和/英） | 研磨 / Polishing |
| キーワード(6)（和/英） | GaN-on-Diamond / GaN-on-Diamond |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 白柳 裕介 / Yusuke Shirayanagi / シラヤナギ ユウスケ |
| 第1著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社/熊本大学 (略称： 三菱電機/熊本大) Mitsubishi Electric Corporation/Kumamoto University (略称： Mitsubishi Electric/Kumamoto Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 友久 伸吾 / Shingo Tomohisa / トモヒサ シンゴ |
| 第2著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation (略称： Mitsubishi Electric) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 笠村 啓司 / Keiji Kasamura / カサムラ ケイジ |
| 第3著者 所属（和/英） | 熊本大学 (略称： 熊本大) Kumamoto University (略称： Kumamoto Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 豊田 洋輝 / Hiroki Toyoda / トヨダ ヒロキ |
| 第4著者 所属（和/英） | 熊本大学 (略称： 熊本大) Kumamoto University (略称： Kumamoto Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松前 貴司 / Takashi Matsumae / マツマエ タカシ |
| 第5著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 倉島 優一 / Yuichi Kurashima / クラシマ ユウイチ |
| 第6著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高木 秀樹 / Hideki Takagi / タカギ ヒデキ |
| 第7著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 久保田 章亀 / Akihisa Kubota / クボタ アキヒサ |
| 第8著者 所属（和/英） | 熊本大学 (略称： 熊本大) Kumamoto University (略称： Kumamoto Univ.) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 長永 隆志 / Takashi Takenaga / タケナガ タカシ |
| 第9著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation (略称： Mitsubishi Electric) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2024-01-25 15:55:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2023-69, MW2023-161 |
| 巻番号（vol） | vol.123 |
| 号番号（no） | no.365(ED), no.366(MW) |
| ページ範囲 | pp.15-18 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2024-01-18 (ED, MW) |
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