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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2024-01-31 15:50 ［招待講演］HfZrO2系強誘電体FETを用いた物理リザバーコンピューティング ○高木信一・トープラサートポン カシディット・名幸瑛心・鈴木陸央・閔 信義・竹中 充・中根了昌（東大）  SDM2023-80 |
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| 抄録 | （和） | 高いエネルギー効率をもつエッジAI計算への応用に向けて、強誘電体HfZrO2/Si FeFETを用いた物理リザバーコンピューティング(RC)を提案・実証した。このリザバーでは、FeFETの電流の時間応答が仮想ノードとして利用される。本発表では、RC性能の基本的な特性を実験的に示すと共に、RC性能を向上させるためのいくつかの手法について述べる。この計算方法を2つの典型的なAIタスク、非線形時系列データの予測と音声認識に適用した。音声認識タスクでは、0から9までの数字の音声波形を分類し、98.1%の分類精度を示した。 |
| （英） | Physical reservoir computing (RC) using ferroelectric HfZrO2/Si FeFETs is proposed and demonstrated for application to edge AI computation with high energy efficiency. In this reservoir, the time response of the FeFET current is used as a virtual node. We experimentally demonstrate the basic properties of the RC performance and describe several methods to improve the RC performance. We applied this RC scheme to two typical AI tasks: nonlinear time series data prediction and speech recognition. The speech recognition task classified audio waveforms of numbers from 0 to 9, spoken in English, and showed a classification accuracy of 98.1 %. | |
| キーワード | （和） | リザバー計算 / FeFET / HfZrO2 / 強誘電体膜 / / / / |
| （英） | reservoir computing / FeFET / HfZrO2 / ferroelectric films / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 123, no. 375, SDM2023-80, pp. 24-27, 2024年1月. | |
| 資料番号 | SDM2023-80 | |
| 発行日 | 2024-01-24 (SDM) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2023-80 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2024-01-31 - 2024-01-31 |
| 開催地（和） | 金沢工業大学大学院 虎ノ門キャンパス |
| 開催地（英） | KIT Toranomon Graduate School |
| テーマ（和） | 先端デバイス・ プロセス技術（IEDM特集） |
| テーマ（英） | Advanced semiconductor devices and processes (Special feature on IEDM) |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2024-01-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | HfZrO2系強誘電体FETを用いた物理リザバーコンピューティング |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Physical Reservoir Computing using HZO-based FeFETs for Edge-AI Applications |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | リザバー計算 / reservoir computing |
| キーワード(2)（和/英） | FeFET / FeFET |
| キーワード(3)（和/英） | HfZrO2 / HfZrO2 |
| キーワード(4)（和/英） | 強誘電体膜 / ferroelectric films |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高木 信一 / Shin-ichi Takagi / タカギ シンイチ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京大学・工学系研究科 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： The Univ. of Tokyo) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | トープラサートポン カシディット / Kasidit Toprasertpong / トープラサートポン カシディット |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京大学・工学系研究科 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： The Univ. of Tokyo) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 名幸 瑛心 / Eishin Nkako / ナコウ エイシン |
| 第3著者 所属（和/英） | 東京大学・工学系研究科 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： The Univ. of Tokyo) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鈴木 陸央 / Rikuo Suzuki / スズキ リクオ |
| 第4著者 所属（和/英） | 東京大学・工学系研究科 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： The Univ. of Tokyo) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 閔 信義 / Shin-Yi Min / シンイー ミン |
| 第5著者 所属（和/英） | 東京大学・工学系研究科 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： The Univ. of Tokyo) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 竹中 充 / Mitsuru Takenaka / タケナカ ミツル |
| 第6著者 所属（和/英） | 東京大学・工学系研究科 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： The Univ. of Tokyo) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中根 了昌 / Ryosho Nakane / ナカネ リョウショウ |
| 第7著者 所属（和/英） | 東京大学・工学系研究科 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： The Univ. of Tokyo) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2024-01-31 15:50:00 |
| 発表時間 | 30分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2023-80 |
| 巻番号（vol） | vol.123 |
| 号番号（no） | no.375 |
| ページ範囲 | pp.24-27 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2024-01-24 (SDM) |
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