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シリコン材料・デバイス研究会(SDM) [schedule] [select]
専門委員長 大見 俊一郎 (東工大)
副委員長 宇佐美 達矢 (ラピダス)
幹事 諏訪 智之 (東北大), 野田 泰史 (パナソニック)
幹事補佐 細井 卓治 (関西学院大), 二瀬 卓也 (ウエスタンデジタル)

日時 2024年 1月31日(水) 12:30 - 16:20
議題 先端デバイス・ プロセス技術(IEDM特集) 
会場名 金沢工業大学大学院 虎ノ門キャンパス 
住所 〒105-0002 東京都港区愛宕1-3-4 愛宕東洋ビル13階1301室
交通案内 東京メトロ日比谷線 虎ノ門ヒルズ駅(A1出口)徒歩2分 東京メトロ銀座線 虎ノ門駅(1番出口)徒歩8分 都営地下鉄三田線 御成門駅(A5出口)徒歩8分
https://www.kanazawa-it.ac.jp/tokyo/map.htm
他の共催 ◆応用物理学会シリコンテクノロジー分科会共催
著作権に
ついて
以下の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
参加費に
ついて
この開催は「技報完全電子化」研究会です.参加費(SDM研究会)についてはこちらをご覧ください

1月31日(水) 午後 
座長: 未定
12:30 - 16:20
  12:30-12:35 主催分科会幹事よりアナウンス ( 5分 )
(1) 12:35-13:05 [招待講演]mK評価が明らかにするMOSFET極低温動作におけるバンド端準位の役割 SDM2023-74 岡 博史産総研
(2) 13:05-13:35 [招待講演]プラズマ支援原子層堆積法で形成したAlN界面層を用いたAlSiO/p-GaN MOSFETの分極制御 SDM2023-75 伊藤健治成田哲生井口紘子岩崎四郎菊田大悟豊田中研)・狩野絵美五十嵐信行冨田一義堀田昌宏須田 淳名大
(3) 13:35-14:05 [招待講演]3D Flash Memory向けCMOS Directly Bonded to Array (CBA) 技術 SDM2023-76 田上政由キオクシア
(4) 14:05-14:35 [招待講演]CBA(CMOS Directly Bonded to Array)技術を適用した、インターフェース速度3.2Gbps・プログラム速度205MB/sの高性能3次元フラッシュメモリ SDM2023-77 小林茂樹キオクシア
  14:35-14:50 休憩 ( 15分 )
(5) 14:50-15:20 [招待講演]チャージトラップ制御によるHfO-FeFETのEndurance改善 SDM2023-78 鈴木都文キオクシア
(6) 15:20-15:50 [招待講演]3次元構造強誘電体キャパシターを有する低電圧かつ高信頼性1T1C型FeRAM ~ IEDM2023報告内容 ~ SDM2023-79 奥野 潤国広恭史周藤悠介米内飛翔小野 凌ソニーセミコン)・ルーベン アルカーラナムラボ)・マキシミリアン レダーコンラッド ザイダルフラウンホーファー)・トーマス ミコラジックウベ シュローダーナムラボ)・梅林 拓ソニーセミコン
(7) 15:50-16:20 [招待講演]HfZrO2系強誘電体FETを用いた物理リザバーコンピューティング SDM2023-80 高木信一トープラサートポン カシディット名幸瑛心鈴木陸央閔 信義竹中 充中根了昌東大

講演時間
招待講演発表 25 分 + 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
SDM シリコン材料・デバイス研究会(SDM)   [今後の予定はこちら]
問合先 1月研究会担当:小林伸彰 (日大理工) 


Last modified: 2023-11-27 18:28:26


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