1月31日(水) 午後  座長: 未定 12:30 - 16:20
	12:30-12:35	主催分科会幹事よりアナウンス　（ 5分 ）
(1)	12:35-13:05	［招待講演］mK評価が明らかにするMOSFET極低温動作におけるバンド端準位の役割 SDM2023-74	○岡　博史・浅井栄大・稲葉　工・下方駿佑・由井　斉・更田裕司・飯塚将太・加藤公彦・中山隆史・森　貴洋（産総研）
(2)	13:05-13:35	［招待講演］プラズマ支援原子層堆積法で形成したAlN界面層を用いたAlSiO/p-GaN MOSFETの分極制御 SDM2023-75	○伊藤健治・成田哲生・井口紘子・岩崎四郎・菊田大悟（豊田中研）・狩野絵美・五十嵐信行・冨田一義・堀田昌宏・須田　淳（名大）
(3)	13:35-14:05	［招待講演］3D Flash Memory向けCMOS Directly Bonded to Array (CBA) 技術 SDM2023-76	○田上政由（キオクシア）
(4)	14:05-14:35	［招待講演］CBA(CMOS Directly Bonded to Array)技術を適用した、インターフェース速度3.2Gbps・プログラム速度205MB/sの高性能3次元フラッシュメモリ SDM2023-77	○小林茂樹・田代健二・峯村洋一・中上恒平・有田幸司・大橋貴志（キオクシア）・舟山幸太・酒井久弥・虫賀満輝・岡部堅一・菅野善宏・清水　悟・藤倉栄一・中江彰宏・山口謙介（ウエスタンデジタル）・山脇秀之・中嶋一明・佐藤　充（キオクシア）
	14:35-14:50	休憩　（ 15分 ）
(5)	14:50-15:20	［招待講演］チャージトラップ制御によるHfO-FeFETのEndurance改善 SDM2023-78	○鈴木都文・佐久間　究・吉村瑶子・市原玲華・松尾和展・萩島大輔・藤原　実・齋藤真澄（キオクシア）
(6)	15:20-15:50	［招待講演］３次元構造強誘電体キャパシタを有する低電圧かつ高信頼性1T1C型FeRAM ～ IEDM2023報告内容 ～ SDM2023-79	○奥野　潤・国広恭史・周藤悠介・米内飛翔・小野　凌（ソニーセミコン）・ルーベン アルカーラ（ナムラボ）・マキシミリアン レダー・コンラッド ザイダル（フラウンホーファー）・トーマス ミコラジック・ウベ シュローダー（ナムラボ）・梅林　拓（ソニーセミコン）
(7)	15:50-16:20	［招待講演］HfZrO2系強誘電体FETを用いた物理リザバーコンピューティング SDM2023-80	○高木信一・トープラサートポン カシディット・名幸瑛心・鈴木陸央・閔　信義・竹中　充・中根了昌（東大）

Last modified: 2023-11-27 18:28:26