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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2024-02-21 10:45 ［招待講演］量子ビット制御用低温SoC向け、超伝導Nb配線の開発 ○沼田秀昭・井口憲幸（NBS）・田中雅光（名大）・岡本浩一郎・三浦貞彦（NBS）・内田 建（東大）・石黒仁揮（慶大）・阪本利司・多田宗弘（NBS）  SDM2023-82 |
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| 抄録 | （和） | 量子ビット制御用低温SoC応用に向けて，300mmウェハプロセスにコンパチブルな100nm幅の超伝導Nb配線技術を開発した．Nb成膜には低圧・ロングスローのDCマグネトロンスパッタリングを用い，50nm厚のアズデポ状態のNb膜のTcは8.3Kであった．超伝導配線はTiN/Nb積層構造とし，加工には2層ハードマスクプロセスを用いた．25nm厚のTiN膜は加工時のプラズマダメージからNbを保護しており，作製した100nm幅のNb配線の超伝導臨界温度Tcは7.8K，また，4.2Kでの臨界電流Icは3.2mAであった．4K環境で動作させる低温CMOSに向けて、良好な超伝導特性を得ることができた． |
| （英） | A 100 nm wide superconducting Nb interconnects were fabricated by a 300-mm wafer process for low temperature SoC applications. A low pressure and long throw sputtering was adopted for the Nb deposition, resulting in good superconductivity of the 50 nm thick Nb film with a critical temperature (Tc) of 8.3 K. The interconnects had a TiN/Nb stack structure, and a double layer hard mask was used for dry etching process. The 25 nm TiN layer well protected the Nb film from plasma damage during the fabrication, then the developed 100 nm wide Nb interconnect showed good superconductivity with a Tc of 7.8 K and a critical current of 3.2 mA at 4.2 K. | |
| キーワード | （和） | 超伝導 / Nｂ / 配線 / ドライエッチング / 低温CMOS / / / |
| （英） | Superconductor / Nb / Interconnect / Dry Etching / Cryo-CMOS / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 123, no. 385, SDM2023-82, pp. 4-8, 2024年2月. | |
| 資料番号 | SDM2023-82 | |
| 発行日 | 2024-02-14 (SDM) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2023-82 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2024-02-21 - 2024-02-21 |
| 開催地（和） | 東京大学 本郷 工4号館 |
| 開催地（英） | Tokyo University-Hongo-Engineering Bldg.4 |
| テーマ（和） | 配線・実装時術と関連材料技術 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2024-02-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 量子ビット制御用低温SoC向け、超伝導Nb配線の開発 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Development of Superconducting Nb Interconnects for Low-Temperature SoC for Qubit Control |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 超伝導 / Superconductor |
| キーワード(2)（和/英） | Nｂ / Nb |
| キーワード(3)（和/英） | 配線 / Interconnect |
| キーワード(4)（和/英） | ドライエッチング / Dry Etching |
| キーワード(5)（和/英） | 低温CMOS / Cryo-CMOS |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 沼田 秀昭 / Hideaki Numata / ヌマタ ヒデアキ |
| 第1著者 所属（和/英） | ナノブリッジ・セミコンダクター株式会社 (略称： NBS) NanoBridge Semiconductor, Inc. (略称： NBS) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 井口 憲幸 / Noriyuki Iguchi / イグチ ノリユキ |
| 第2著者 所属（和/英） | ナノブリッジ・セミコンダクター株式会社 (略称： NBS) NanoBridge Semiconductor, Inc. (略称： NBS) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田中 雅光 / Masamitsu Tanaka / タナカ マサミツ |
| 第3著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岡本 浩一郎 / Koichiro Okamoto / オカモト コウイチロウ |
| 第4著者 所属（和/英） | ナノブリッジ・セミコンダクター株式会社 (略称： NBS) NanoBridge Semiconductor, Inc. (略称： NBS) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 三浦 貞彦 / Sadahiko Miura / ミウラ サダヒコ |
| 第5著者 所属（和/英） | ナノブリッジ・セミコンダクター株式会社 (略称： NBS) NanoBridge Semiconductor, Inc. (略称： NBS) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 内田 建 / Ken Uchida / ウチダ ケン |
| 第6著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： UTokyo) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石黒 仁揮 / Hiroki Ishikuro / イシクロ ヒロキ |
| 第7著者 所属（和/英） | 慶応義塾大学 (略称： 慶大) Keio University (略称： Keio Univ.) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 阪本 利司 / Toshitsugu Sakamoto / サカモト トシツグ |
| 第8著者 所属（和/英） | ナノブリッジ・セミコンダクター株式会社 (略称： NBS) NanoBridge Semiconductor, Inc. (略称： NBS) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 多田 宗弘 / Munehiro Tada / タダ ムネヒロ |
| 第9著者 所属（和/英） | ナノブリッジ・セミコンダクター株式会社 (略称： NBS) NanoBridge Semiconductor, Inc. (略称： NBS) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2024-02-21 10:45:00 |
| 発表時間 | 40分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2023-82 |
| 巻番号（vol） | vol.123 |
| 号番号（no） | no.385 |
| ページ範囲 | pp.4-8 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2024-02-14 (SDM) |
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