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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2024-06-21 11:35 ［招待講演］第一原理計算によるSiC(0001)ステップ界面へのNOアニーリング効果の予測 ○植本光治・舩木七星斗（神戸大）・細井卓治（関学）・小野倫也（神戸大）  SDM2024-20 |
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| 抄録 | （和） | 本研究では, 原子スケールのステップ構造を有する4H-SiCとSiO2のMOS界面において, 窒素系ガスによるアニーリング処理が電子状態にもたらす影響を第一原理計算から明らかにした. 計算結果によれば, 反転層の深さと対応する伝導帯端準位の位置は界面の原子配置に強く依存する傾向が見られている. このため, アニーリング前のMOS界面ではステップ端近傍で反転層に不連続部分が現れ, デバイスの性能低下の原因となるチャネル抵抗の増大が引き起こされると考えられる. アニーリングにより高濃度窒素レイヤーが挿入されると, 界面からの効果がスクリーンされ反転層の不連続性が緩和される. このように, ステップ界面においてアニーリングによりチャネル抵抗を改善するメカニズムの存在を示唆する結果が得られた |
| （英） | In this study, we work out the first-principles analysis on the effects of NO annealing at the MOS interface of 4H-SiC and SiO2 with atomic-scale step structures. At the MOS interface before nitridation, conduction band edge levels, representing the inversion layer, have discontinuities near the step edges, which is considered to increase channel resistance and degrade device performance. Our results suggest incorporating a nitrided layer on the interfaces reduces these discontinuities and improves channel resistance. | |
| キーワード | （和） | 4H-SiC / NOアニーリング / 第一原理計算 / / / / / |
| （英） | 4H-SiC / NO annealing / First-principles calculation / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 124, no. 87, SDM2024-20, pp. 5-8, 2024年6月. | |
| 資料番号 | SDM2024-20 | |
| 発行日 | 2024-06-14 (SDM) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2024-20 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2024-06-21 - 2024-06-21 |
| 開催地（和） | 関西学院大学・梅田キャンパス |
| 開催地（英） | Kwansei Gakuin Univ., Umeda Campus |
| テーマ（和） | MOSデバイス・メモリ・パワーデバイス高性能化－材料・プロセス技術 （応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会との合同開催） |
| テーマ（英） | Material Science and Process Technology for MOS Devices, Memories, and Power Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2024-06-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 第一原理計算によるSiC(0001)ステップ界面へのNOアニーリング効果の予測 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | First-Principles Prediction on NO Annealing Effect to SiC(0001) Step Interface |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 4H-SiC / 4H-SiC |
| キーワード(2)（和/英） | NOアニーリング / NO annealing |
| キーワード(3)（和/英） | 第一原理計算 / First-principles calculation |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 植本 光治 / Mitsuharu Uemoto / ウエモト ミツハル |
| 第1著者 所属（和/英） | 神戸大学 (略称： 神戸大) Kobe University (略称： Kobe Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 舩木 七星斗 / Nahoto Funaki / フナキ ナホト |
| 第2著者 所属（和/英） | 神戸大学 (略称： 神戸大) Kobe University (略称： Kobe Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 細井 卓治 / Takuji Hosoi / ホソイ タクジ |
| 第3著者 所属（和/英） | 関西学院大学 (略称： 関学) Kwansei Gakuin University (略称： Kwansei Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小野 倫也 / Tomoya Ono / オノ トモヤ |
| 第4著者 所属（和/英） | 神戸大学 (略称： 神戸大) Kobe University (略称： Kobe Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2024-06-21 11:35:00 |
| 発表時間 | 35分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2024-20 |
| 巻番号（vol） | vol.124 |
| 号番号（no） | no.87 |
| ページ範囲 | pp.5-8 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2024-06-14 (SDM) |
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