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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2024-06-21 14:00 ［招待講演］分布型分極ドーピングによるAlN系縦型p-nダイオードの実証 ○隈部岳瑠（名大）・吉川 陽（旭化成）・川崎晟也・久志本真希・本田善央・新井 学・須田 淳・天野 浩（名大）  SDM2024-22 |
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| 抄録 | （和） | AlNおよび高Al組成AlGaNは次世代のパワーデバイス材料として期待されている．p-n接合は半導体デバイスの基本構成要素であるが，AlN系材料では不純物ドーピングによる伝導性制御が困難であるため，良好な電気特性を示すp-nダイオードは実現されていなかった．これまでに，我々は，窒化物半導体の巨大分極効果を活用して高Al組成AlGaNの伝導性を制御し，極めて良好な電気特性を示すAlN系縦型p-nダイオードを実現してきた．本論文では，窒化物半導体における「分極ドーピング」と，AlN系縦型p-nダイオードへの応用について紹介する． |
| （英） | AlN and high-Al-content AlGaN attract great attention as materials for next-generation electronic device applications. Although the p-n junction is a fundamental building block of semiconductor devices, no AlN-based p-n diodes had exhibited ideal electrical properties due to the difficulty in controlling conductivity through conventional impurity doping. To date, we have demonstrated near-ideal AlN-based p-n diodes by utilizing the polarization effects in nitride semiconductors to control the conductivity of high-Al-content AlGaN. In this paper, we report on the basics of "polarization doping" in nitride semiconductor and its application to AlN-based vertical p-n diodes. | |
| キーワード | （和） | 窒化アルミニウム / パワー半導体デバイス / 伝導性制御 / 分極ドーピング / / / / |
| （英） | Aluminum Nitride / Power semiconductor devices / Conductivity control / Polarization doping / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 124, no. 87, SDM2024-22, pp. 13-16, 2024年6月. | |
| 資料番号 | SDM2024-22 | |
| 発行日 | 2024-06-14 (SDM) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2024-22 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2024-06-21 - 2024-06-21 |
| 開催地（和） | 関西学院大学・梅田キャンパス |
| 開催地（英） | Kwansei Gakuin Univ., Umeda Campus |
| テーマ（和） | MOSデバイス・メモリ・パワーデバイス高性能化－材料・プロセス技術 （応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会との合同開催） |
| テーマ（英） | Material Science and Process Technology for MOS Devices, Memories, and Power Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2024-06-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 分布型分極ドーピングによるAlN系縦型p-nダイオードの実証 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Demonstration of AlN-Based Vertical p-n Diodes with Distributed Polarization Doping |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 窒化アルミニウム / Aluminum Nitride |
| キーワード(2)（和/英） | パワー半導体デバイス / Power semiconductor devices |
| キーワード(3)（和/英） | 伝導性制御 / Conductivity control |
| キーワード(4)（和/英） | 分極ドーピング / Polarization doping |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 隈部 岳瑠 / Takeru Kumabe / クマベ タケル |
| 第1著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 吉川 陽 / Akira Yoshikawa / ヨシカワ アキラ |
| 第2著者 所属（和/英） | 旭化成株式会社 (略称： 旭化成) Asahi Kasei Corporation (略称： Asahi Kasei) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 川崎 晟也 / Seiya Kawasaki / カワサキ セイヤ |
| 第3著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 久志本 真希 / Maki Kushimoto / クシモト マキ |
| 第4著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 本田 善央 / Yoshio Honda / ホンダ ヨシオ |
| 第5著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 新井 学 / Manabu Arai / アライ マナブ |
| 第6著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 須田 淳 / Jun Suda / スダ ジュン |
| 第7著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 天野 浩 / Hiroshi Amano / アマノ ヒロシ |
| 第8著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2024-06-21 14:00:00 |
| 発表時間 | 35分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2024-22 |
| 巻番号（vol） | vol.124 |
| 号番号（no） | no.87 |
| ページ範囲 | pp.13-16 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2024-06-14 (SDM) |
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