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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2024-07-19 09:35 金属触媒を用いた絶縁性基板上グラフェンおよび窒化ホウ素の直接成長 齋藤遼佑・○工藤 彰・中澤日出樹（弘前大）  CPM2024-18 |
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| 抄録 | （和） | パルスレーザー堆積法によりSi基板上に窒化アルミニウム(AlN)絶縁層を作製し、その上にグラフェンおよび六方晶窒化ホウ素(h-BN)を直接成長させる方法について検討した。Si基板上AlN層上に堆積した金属触媒層の品質がグラフェンおよびh-BNの品質に及ぼす影響について調べた。Cuを触媒に用いた場合はh-BNおよびグラフェンは形成されなかったが、Niを用いた場合ではAlN層上に直接h-BNおよびグラフェンを成長させることに成功した。しかし、グラフェンのラマンスペクトルには欠陥に起因するDピークが出現したため、更なる作製プロセスの最適化が必要である。 |
| （英） | We have studied the direct growth of graphene and hexagonal boron nitride (h-BN) films on aluminum nitride (AlN) insulating layers formed on Si substrates via pulsed laser deposition. The influence of the quality of metal catalysts deposited on the AlN layers on that of graphene and h-BN films was investigated. The use of Cu as a catalyst resulted in no formation of graphene and h-BN films on the AlN layers, whereas graphene and h-BN films were successfully grown directly on the AlN layers when Ni was used. As the D peaks due to defects were detected in the Raman spectra of the graphene films, it is needed to optimize the preparation processes further. | |
| キーワード | （和） | グラフェン / 六方晶窒化ホウ素 / 窒化アルミニウム / パルスレーザー堆積法 / / / / |
| （英） | graphene / hexagonal boron nitride / aluminum nitride / pulsed laser deposition / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 124, no. 115, CPM2024-18, pp. 21-24, 2024年7月. | |
| 資料番号 | CPM2024-18 | |
| 発行日 | 2024-07-11 (CPM) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | CPM2024-18 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
| 開催期間 | 2024-07-18 - 2024-07-19 |
| 開催地（和） | オホーツク・文化交流センター（愛称：エコーセンター2000） |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 電子部品・材料，一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | CPM |
| 会議コード | 2024-07-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 金属触媒を用いた絶縁性基板上グラフェンおよび窒化ホウ素の直接成長 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Direct growth of graphene and boron nitride on insulating substrates using metal catalysts |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | グラフェン / graphene |
| キーワード(2)（和/英） | 六方晶窒化ホウ素 / hexagonal boron nitride |
| キーワード(3)（和/英） | 窒化アルミニウム / aluminum nitride |
| キーワード(4)（和/英） | パルスレーザー堆積法 / pulsed laser deposition |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 齋藤 遼佑 / Ryosuke Saito / サイトウ リョウスケ |
| 第1著者 所属（和/英） | 弘前大学 (略称： 弘前大) Hirosaki University (略称： Hirosaki Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 工藤 彰 / Akira Kudo / クドウ アキラ |
| 第2著者 所属（和/英） | 弘前大学 (略称： 弘前大) Hirosaki University (略称： Hirosaki Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中澤 日出樹 / Hideki Nakazawa / ナカザワ ヒデキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 弘前大学 (略称： 弘前大) Hirosaki University (略称： Hirosaki Univ.) |
| 講演者 | 第2著者 |
| 発表日時 | 2024-07-19 09:35:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | CPM |
| 資料番号 | CPM2024-18 |
| 巻番号（vol） | vol.124 |
| 号番号（no） | no.115 |
| ページ範囲 | pp.21-24 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2024-07-11 (CPM) |
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