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電子デバイス研究会(ED) [schedule] [select]
専門委員長 加地 徹 (豊田中研)
副委員長 原 直紀 (富士通研)
幹事 須原 理彦 (首都大東京), 上田 哲三 (パナソニック)
幹事補佐 葛西 誠也 (北大), 松永 高治 (NEC)

日時 2012年 7月26日(木) 13:30 - 16:40
2012年 7月27日(金) 09:30 - 12:15
議題 半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般 
会場名 福井大学 文京キャンパス産学官連携本部3F研修室 
住所 〒910-8507 福井県福井市文京3丁目9番1号
交通案内 http://www.u-fukui.ac.jp/cont_about/outline/campus.html
著作権に
ついて
以下の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)

7月26日(木) 午後  【1日目】
13:30 - 16:40
(1) 13:30-13:55 AlGaN/GaN MIS HEMTの直流特性に与える熱処理の影響 ED2012-41 畑野舞子谷口裕哉徳田博邦葛原正明福井大
(2) 13:55-14:20 AlGaN/GaN MISHFETチャネル電子移動度の測定 ED2012-42 玉井健太郎敖 金平徳島大)・菊田大悟豊田中研)・杉本雅裕トヨタ自動車)・大野泰夫徳島大
(3) 14:20-14:45 Temperature dependence of frequency dispersion in $C$-$V$ characteristics of AlN/AlGaN/GaN MIS-HFET ED2012-43 Hong-An ShihMasahiro KudoToshi-kazu SuzukiJAIST
  14:45-15:00 休憩 ( 15分 )
(4) 15:00-15:25 AlInN/GaN系へテロ構造の表面・界面評価 ED2012-44 橋詰 保堀 祐臣赤澤正道北大
(5) 15:25-15:50 Effect of ICP Etching on p-type GaN Schottky Contacts ED2012-45 Toshifumi TakahashiUniv. of Fukui)・Naoki KanedaTomoyoshi MishimaHitachi Cable)・Kazuki NomotoUniv. of Notre Dame)・Kenji ShiojimaUniv. of Fukui
(6) 15:50-16:15 Electrical Characteristics of Surface Stoichiometry Controlled p-GaN Schottky Contacts ED2012-46 Toshifumi TakahashiUniv. of Fukui)・Naoki KanedaTomoyoshi MishimaHitachi Cable)・Takashi KajiwaraSatoru TanakaKyushu Univ.)・Kenji ShiojimaUniv. of Fukui
(7) 16:15-16:40 フルバンドモデルに基づくAlGaN/GaN HEMTの衝突イオン化の理論検討 ED2012-47 児玉和樹徳田博邦葛原正明福井大
7月27日(金) 午前  【2日目】
09:30 - 12:15
(8) 09:30-09:55 量子補正モンテカルロ法による歪みInSb HEMTの遅延時間解析 ED2012-48 永井佑太郎佐藤 純原 紳介藤代博記東京理科大)・遠藤 聡渡邊一世NICT
(9) 09:55-10:20 トンネルダイオードの非平衡量子輸送モデルの構築と遮断周波数の理論解析 ED2012-49 山下 新倉上祐司斉藤光史須原理彦首都大東京
(10) 10:20-10:45 広帯域アンテナ集積共鳴トンネルダイオードのアレイ化発振源における注入同期特性および周波数コム特性の大信号解析 ED2012-50 浅川澄人田代篤史斉藤光史須原理彦首都大東京
  10:45-11:00 休憩 ( 15分 )
(11) 11:00-11:25 GaAs系エッチングナノワイヤCCDにおける同期電荷転送と効率に関する検討 ED2012-51 中野雄紀田中貴之・○葛西誠也北大
(12) 11:25-11:50 非局所配置を用いた高In組成InGaAs/InAlAs2次元電子系へのスピン注入実験 ED2012-52 日高志郎近藤太郎赤堀誠志・○山田省二北陸先端大
(13) 11:50-12:15 ダイヤモンドライクカーボン絶縁膜を用いたグラフェンFET ED2012-53 鷹林 将楊 猛小川修一林 広幸栗田裕記高桑雄二末光哲也尾辻泰一東北大

講演時間
一般講演発表 20 分 + 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
ED 電子デバイス研究会(ED)   [今後の予定はこちら]
問合先 須原 理彦(首都大)
TEL : 042-677-2765 Fax : 042-677-2756
E--mail : t
上田 哲三(パナソニック)
TEL:075-956-8273、FAX:075-956-9110
E--mailzopac 


Last modified: 2012-05-23 18:33:32


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