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レーザ・量子エレクトロニクス研究会 (LQE) (検索条件: 2011年度)
「from:2011-12-16 to:2011-12-16」による検索結果
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| LQE | 2011-12-16 10:05 |
東京 | 機械振興会館 | Well-in-Well量子井戸レーザの動特性に関する検討 ○比嘉康貴・反町幹夫・西野目卓弥・岩崎 創・宮本智之（東工大）  LQE2011-123 |
直接変調半導体レーザのさらなる高速動作へ向けて，キャリア緩和過程制御構造の1つであるWell-in-Well構造を用いた... [more] | LQE2011-123 pp.1-6 |
| LQE | 2011-12-16 10:30 |
東京 | 機械振興会館 | 面発光レーザの横方向に集積したスローライト光変調器の動作特性 ○島田敏和・小山二三夫（東工大） LQE2011-124 |
面発光レーザ(VCSEL)とスローライト光変調器の横方向集積化とその動作特性について報告する．VCSELからスローライト... [more] | LQE2011-124 pp.7-10 |
| LQE | 2011-12-16 10:55 |
東京 | 機械振興会館 | 1060nmVCSELの高速変調動作と信頼性 ○鈴木理仁・今井 英・神谷慎一・平岩浩二・舟橋政樹・川北泰雅・喜瀬智文・中村照幸・清水 均・粕川秋彦（古河電工） LQE2011-125 |
我々が開発を行っている1060 nm VCSEL は、ダブルイントラキャビティ構造とInGaAs/GaAs歪量子 井戸... [more] |
LQE2011-125 pp.11-15 |
| LQE | 2011-12-16 11:20 |
東京 | 機械振興会館 | 高温（220℃）における1300 nm帯量子ドットレーザの連続発振 ○影山健生（QDレーザ）・西 研一（QDレーザ/東大）・山口正臣（富士通研）・持田励雄（QDレーザ/東大）・前多泰成・武政敬三（QDレーザ）・田中 有（富士通研）・山本剛之（QDレーザ/富士通研/東大）・菅原 充（QDレーザ/東大）・荒川泰彦（東大） LQE2011-126 |
高温環境下での半導体レーザ発振動作は，厳しい条件下（宇宙，地中）でのセンシング等実現のために重要であり、特に波長が長波長... [more] | LQE2011-126 pp.17-20 |
| LQE | 2011-12-16 13:10 |
東京 | 機械振興会館 | ［奨励講演］光励起によるGaAs1-xBix/GaAs薄膜のファブリ・ペローレーザ発振 ～ その発振波長の低温度依存性 ～ ○富永依里子・尾江邦重・吉本昌広（京都工繊大） LQE2011-127 |
光励起によるGaAs0.975Bi0.025/GaAsファブリ・ペロー共振器付き薄膜からのレーザ発振を実現した。GaAs... [more] | LQE2011-127 pp.21-24 |
| LQE | 2011-12-16 13:35 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］NUSOD2011会議報告 ○比嘉康貴・宮本智之（東工大） LQE2011-128 |
本報告は，光デバイス全般に関するシミュレーションをテーマにした国際会議であるNUSOD (NUmerical Simul... [more] | LQE2011-128 pp.25-28 |
| LQE | 2011-12-16 14:25 |
東京 | 機械振興会館 | 結合二重上位準位構造を用いた6~7μm帯量子カスケードレーザ ○藤田和上・道垣内龍男・古田慎一・杉山厚志・落合隆英・伊藤昭生・枝村忠孝・山西正道（浜松ホトニクス） LQE2011-129 |
[more] | LQE2011-129 pp.29-32 |
| LQE | 2011-12-16 14:50 |
東京 | 機械振興会館 | 金属ナノワイヤ上の表面プラズモンを用いたナノレーザ ○池田和浩・河口仁司（奈良先端大） LQE2011-130 |
近年、金属による光閉じ込めを用いたナノレーザの研究が活発に進められている。金属を光デバイスに用いる場合、金属中の自由電子... [more] | LQE2011-130 pp.33-38 |
| LQE | 2011-12-16 15:30 |
東京 | 機械振興会館 | 複数構造領域を使用したSi光導波路干渉器による偏波・温度変動・幅誤差耐性の検討 ○岡山秀彰・大縄陽介・志村大輔・高橋博之・八重樫浩樹（OKI） LQE2011-131 |
Ｓｉ光導波路を使用し構成した干渉器型の光波長フィルタにおいて、異なる光導波路構造領域を複数組み合わせて、偏波依存性の解消... [more] | LQE2011-131 pp.39-42 |
| LQE | 2011-12-16 15:55 |
東京 | 機械振興会館 | 温調フリー光送信器の実現に向けたシリコン細線外部共振器レーザ ○鄭 錫煥・田中信介・関口茂昭・倉橋輝雄・羽鳥伸明・秋山 傑・臼杵達哉・山本剛之・田中 有・森戸 健（富士通研） LQE2011-132 |
CMOS電子回路と融合可能なシリコンフォトニクス光源は大容量の光インターコネクトの実現に向けて重要な構成要素である。我々... [more] | LQE2011-132 pp.43-47 |
| LQE | 2011-12-16 16:20 |
東京 | 機械振興会館 | 表面活性化接合によるAlInAs酸化狭窄型GaInAsP/Siハイブリッドレーザの検討 ○長部 亮・福田渓太・林 侑介・西山伸彦・荒井滋久（東工大） LQE2011-133 |
次世代大規模光集積回路に向けたシリコンフォトニクス用の光源として、III-V族化合物半導体とシリコンとのハイブリッドデバ... [more] | LQE2011-133 pp.49-54 |
| LQE | 2011-12-16 16:45 |
東京 | 機械振興会館 | チップ間光インターコネクションに向けた多チャンネル高密度ハイブリッド集積光源 ○清水隆徳・羽鳥伸明（光電子融合基盤技研）・岡野 誠（産総研）・石坂政茂・賣野 豊・山本剛之（光電子融合基盤技研）・森 雅彦（産総研）・中村隆宏（光電子融合基盤技研）・荒川泰彦（東大） LQE2011-134 |
チップ間光インターコネクションのために，狭ピッチLDアレイをSi細線導波路アレイプラットフォームにハイブリッド一括実装し... [more] | LQE2011-134 pp.55-60 |
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