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シリコン材料・デバイス研究会 (SDM) (検索条件: 2020年度)
「from:2020-11-19 to:2020-11-19」による検索結果
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2020-11-19 10:00 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］SISPAD2020レビュー ○相馬聡文（神戸大）  SDM2020-22 |
半導体プロセス・デバイスシミュレーション分野の専門国際会議である International Conference o... [more] |
SDM2020-22 pp.1-4 |
| SDM | 2020-11-19 11:00 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］古典ＭＤで再現されたHigh-kゲートスタックの界面ダイポール ○渡邉孝信（早大） SDM2020-23 |
[more] | SDM2020-23 pp.5-10 |
| SDM | 2020-11-19 13:10 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］大規模第一原理計算とデバイス・プロセスシミュレータ統合に向けて ○押山 淳（名大） SDM2020-24 |
GaNエピタキシャル成長の素過程に関する第一原理計算を報告する．Gaリッチな成長表面ではGa-Gaボンドがユビキタスに存... [more] | SDM2020-24 pp.11-14 |
| SDM | 2020-11-19 14:10 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］第一原理計算とマテリアルズ・インフォマティクスに基づくペロブスカイト型酸化物の誘電率予測モデル ○野田祐輔（金沢学院大） SDM2020-25 |
本研究の目的は、マテリアルズデザインの合理的な設計指針を得るために、第一原理計算および多変量回帰分析を用いて、ペロブスカ... [more] | SDM2020-25 pp.15-20 |
| SDM | 2020-11-19 15:20 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］裏面照射型CMOS撮像画素における近赤外線の像面位相差検出 ○國清辰也・佐藤英則・神野 健・飯塚康治・園田賢一郎・山下朋弘（ルネサス エレクトロニクス） SDM2020-26 |
裏面照射型CMOS撮像画素の受光面にGe-on-Si層を選択的に配置して，波長850 nmの入射光の像面位相差を検出する... [more] | SDM2020-26 pp.21-24 |
| SDM | 2020-11-19 16:20 |
ONLINE | オンライン開催 | A model of dark current mechanism in barrier infrared photodetectors ○Yen Le Thi（Hanoi University of Science and Technology）・Yoshinari Kamakura（Osaka Institute of Technology）・Nobuya Mori（Graduate School of Engineering, Osaka University,） SDM2020-27 |
The barrier infrared detector fabricated with InAs/GaSb type... [more] | SDM2020-27 pp.25-27 |
| SDM | 2020-11-19 16:45 |
ONLINE | オンライン開催 | モンテカルロシミュレーションによる微細Siワイヤのフォノンの平均自由行程の解析 ○鈴木悠平・藤田悠摩（阪工大）・ファウジア ホティマトゥル・野北崇人・池田浩也（静岡大）・渡邉孝信（早大）・鎌倉良成（阪工大） SDM2020-28 |
[more] | SDM2020-28 pp.28-31 |
| SDM | 2020-11-20 09:30 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］シリコン量子コンピュータ開発の現状 ○伊藤公平（慶大） |
[more] | |
| SDM | 2020-11-20 10:30 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］ゲート電圧波形の機械学習を用いたパワーデバイスの劣化推定 山崎大夢・宮崎耕太郎・羅 揚・イスラム マーフズル・畑 勝裕・桜井貴康・○高宮 真（東大） SDM2020-29 |
ゲート電圧波形から機械学習を用いてSiC MOSFETのボンディングワイヤ剥がれを検出する手法を提案した。本稿では、従来... [more] | SDM2020-29 pp.32-35 |
| SDM | 2020-11-20 11:30 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］Si IGBTの３次元デバイス・シミュレーション ～ 物理モデルの検討と実測結果との比較 ～ ○執行直之・渡辺正裕・角嶋邦之・星井拓也・古川和由（東工大）・中島 昭（産総研）・佐藤克己（三菱電機）・末代知子（東芝）・更屋拓哉・高倉俊彦・伊藤一夫・福井宗利・鈴木慎一・竹内 潔（東大）・若林 整・宗田伊里也（東工大）・西澤伸一（九大）・筒井一生（東工大）・平本俊郎（東大）・大橋弘通・岩井 洋（東工大） SDM2020-30 |
[more] | SDM2020-30 pp.36-40 |
| SDM | 2020-11-20 13:30 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］反応性力場分子動力学計算および量子化学計算を活用したCVD/ALD薄膜堆積機構の解析 ○徳増 崇・上根直也・馬渕拓哉（東北大）・財津 優・安原重雄（JAC） SDM2020-31 |
[more] | SDM2020-31 pp.41-46 |
| SDM | 2020-11-20 14:30 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］絶縁膜原子層エッチングにおける加工特性の定量考察 ○久保井信行（ソニーセミコンダクタソリューションズ） SDM2020-32 |
F系ガスを用いポリマー層が形成される絶縁膜の原子層エッチング(ALE)では必ずしもSelf-limitでないため、半導体... [more] | SDM2020-32 pp.47-51 |
| SDM | 2020-11-20 15:40 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］ファンデルワールスヘテロ構造におけるバンド間トンネルのNEGFシミュレーション ○森 伸也・橋本風渡・三島嵩也・田中 一（阪大） SDM2020-33 |
層間トンネルを非平衡グリーン関数(NEGF)法を用いて調べた．はじめに，層間トンネルの特徴について単純化したモデルの範囲... [more] | SDM2020-33 pp.52-57 |
| SDM | 2020-11-20 16:40 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］第一原理バンド計算を基盤とした原子層チャネルトンネルトランジスタのTCADシミュレーション ○浅井栄大（産総研）・黒田龍哉（阪大）・福田浩一・服部淳一・池上 努（産総研）・森 伸也（阪大） SDM2020-34 |
[more] | SDM2020-34 pp.58-62 |
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