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シリコン材料・デバイス研究会（SDM） [schedule] [select]
専門委員長 大見 俊一郎 (東工大)
副委員長 宇佐美 達矢 (ラピダス)
幹事 諏訪 智之 (東北大)， 野田 泰史 (パナソニック)
幹事補佐 細井 卓治 (関西学院大)， 二瀬 卓也 (ウエスタンデジタル)

日時 2024年 6月21日(金)　11:00 - 16:20
議題 MOSデバイス・メモリ・パワーデバイス高性能化－材料・プロセス技術 （応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会との合同開催） 
会場名 関西学院大学 大阪梅田キャンパス 1004教室 
住所 〒530-0013 大阪市北区茶屋町19-19 アプローズタワー
交通案内 https://www.kwansei.ac.jp/kg_hub/access
会場世話人
連絡先		 細井卓治
06-6485-5611
他の共催 ◆応用物理学会共催
著作権に
ついて		 以下の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
参加費に
ついて		 この開催は「技報完全電子化」研究会です．参加費（SDM研究会）についてはこちらをご覧ください．

6月21日(金) 午前 
11:00 - 16:20
(1) 11:00-11:35 ［招待講演］絶縁膜/半導体界面における表面ポテンシャル分布がMOSキャパシタの電気特性に与える影響 SDM2024-19 ○田岡紀之・一野祐亮・清家善之・森　竜雄（愛工大）
(2) 11:35-12:10 ［招待講演］第一原理計算によるSiC(0001)ステップ界面へのNOアニーリング効果の予測 SDM2024-20 ○植本光治・舩木七星斗（神戸大）・細井卓治（関学）・小野倫也（神戸大）
(3) 12:10-12:45 ［招待講演］ランダムポテンシャルによるMOSFETの特性変化 SDM2024-21 ○森　伸也（阪大）
  12:45-14:00 昼食　（ 75分 ）
(4) 14:00-14:35 ［招待講演］分布型分極ドーピングによるAlN系縦型p-nダイオードの実証 SDM2024-22 ○隈部岳瑠（名大）・吉川　陽（旭化成）・川崎晟也・久志本真希・本田善央・新井　学・須田　淳・天野　浩（名大）
(5) 14:35-15:10 ［招待講演］光ゲート効果による高感度グラフェン可視光イメージセンサ SDM2024-23 ○嶋谷政彰・福島昌一郎・岩川　学・小川新平（三菱電機）
(6) 15:10-15:45 ［招待講演］大規模言語モデル用材料分野ベンチマーク作成とそれによるChatGPT・Bardの評価 SDM2024-24 ○吉武道子（OSX）
(7) 15:45-16:20 ［招待講演］有機半導体のエネルギーバンド構造と電気伝導機構 ～ 伝導帯バンド構造の実測とポーラロン形成の実証 ～ SDM2024-25 ○吉田弘幸（千葉大）

講演時間
一般講演発表 15 分 ＋ 質疑応答 5 分
招待講演発表 30 分 ＋ 質疑応答 5 分
依頼講演発表 30 分 ＋ 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
SDM シリコン材料・デバイス研究会（SDM）   [今後の予定はこちら]
問合先 細井 卓治（関西学院大学） 
お知らせ ◎10:30より前には会場にお入りいただけませんので、ご注意ください。


Last modified: 2024-04-18 17:13:28


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