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シリコン材料・デバイス研究会（SDM）

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専門委員長		大見俊一郎 (東工大)
副委員長		宇佐美達矢 (ラピダス)
幹事		諏訪智之 (東北大)，野田泰史 (パナソニック)
幹事補佐		細井卓治 (関西学院大)，二瀬卓也 (ウエスタンデジタル)

日時	2024年 6月21日(金)　11:00 - 16:20
議題	MOSデバイス・メモリ・パワーデバイス高性能化－材料・プロセス技術（応用物理学会シリコンテクノロジー分科会との合同開催）
会場名	関西学院大学大阪梅田キャンパス 1004教室
住所	〒530-0013 大阪市北区茶屋町19-19 アプローズタワー
交通案内	https://www.kwansei.ac.jp/kg_hub/access
会場世話人連絡先	細井卓治 06-6485-5611
他の共催	◆応用物理学会共催
著作権について	以下の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
参加費について	この開催は「技報完全電子化」研究会です．参加費（SDM研究会）についてはこちらをご覧ください．

6月21日(金) 午前 11:00 - 16:20
(1)	11:00-11:35	［招待講演］絶縁膜/半導体界面における表面ポテンシャル分布がMOSキャパシタの電気特性に与える影響 SDM2024-19	○田岡紀之・一野祐亮・清家善之・森　竜雄（愛工大）
(2)	11:35-12:10	［招待講演］第一原理計算によるSiC(0001)ステップ界面へのNOアニーリング効果の予測 SDM2024-20	○植本光治・舩木七星斗（神戸大）・細井卓治（関学）・小野倫也（神戸大）
(3)	12:10-12:45	［招待講演］ランダムポテンシャルによるMOSFETの特性変化 SDM2024-21	○森　伸也（阪大）
	12:45-14:00	昼食　（ 75分）
(4)	14:00-14:35	［招待講演］分布型分極ドーピングによるAlN系縦型p-nダイオードの実証 SDM2024-22	○隈部岳瑠（名大）・吉川　陽（旭化成）・川崎晟也・久志本真希・本田善央・新井　学・須田　淳・天野　浩（名大）
(5)	14:35-15:10	［招待講演］光ゲート効果による高感度グラフェン可視光イメージセンサ SDM2024-23	○嶋谷政彰・福島昌一郎・岩川　学・小川新平（三菱電機）
(6)	15:10-15:45	［招待講演］大規模言語モデル用材料分野ベンチマーク作成とそれによるChatGPT・Bardの評価 SDM2024-24	○吉武道子（OSX）
(7)	15:45-16:20	［招待講演］有機半導体のエネルギーバンド構造と電気伝導機構～伝導帯バンド構造の実測とポーラロン形成の実証～ SDM2024-25	○吉田弘幸（千葉大）

講演時間
一般講演	発表 15 分＋質疑応答 5 分
招待講演	発表 30 分＋質疑応答 5 分
依頼講演	発表 30 分＋質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
SDM	シリコン材料・デバイス研究会（SDM） [今後の予定はこちら]
	問合先	細井卓治（関西学院大学）
	お知らせ	◎10:30より前には会場にお入りいただけませんので、ご注意ください。

Last modified: 2024-04-18 17:13:28

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[研究会資料インデックス(vol. no.ごとの表紙と目次)]

[研究会発表・参加方法，FAQ] ※ ご一読ください

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