11月7日(木) 午前
座長: 野田泰史（パナソニック）
09:55 - 12:00 |
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09:55-10:00 |
開会挨拶 （ 5分 ） |
| (1) |
10:00-11:00 |
［招待講演］2019 SISPADレビュー  SDM2019-68 |
○鎌倉良成（阪工大） |
| (2) |
11:00-12:00 |
［招待講演］強誘電体HfO2トンネル接合メモリのスケーラビリティに関する検討 SDM2019-69 |
○小林正治・莫 非・多川友作・更屋拓哉・平本俊郎（東大） |
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12:00-13:10 |
昼食 （ 70分 ） |
11月7日(木) 午後
座長: 高篠裕行（ソニーセミコンダクタマニュファクチャリング）
13:10 - 15:10 |
| (3) |
13:10-14:10 |
［招待講演］Understanding the interface in 2D layered transistors SDM2019-70 |
○Kosuke Nagashio（UTokyo） |
| (4) |
14:10-15:10 |
［招待講演］ビーム実験による原子スケールプロセスにおける表面反応解析 SDM2019-71 |
○唐橋一浩・伊藤智子・浜口智志（阪大） |
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15:10-15:20 |
休憩 （ 10分 ） |
11月7日(木) 午後
座長: 相馬聡文 （神戸大学）
15:20 - 16:45 |
| (5) |
15:20-16:20 |
［招待講演］産業応用を目指したコンパクトモデルの開発 SDM2019-72 |
○三浦道子（広島大） |
| (6) |
16:20-16:45 |
3Dフラッシュメモリの製造技術を用いた積層型論理回路の設計法 ～ 全加算器の設計法、低消費電力設計法 ～ SDM2019-73 |
○鈴木章矢・渡辺重佳（湘南工科大） |
11月8日(金) 午前
座長: 廣木彰（京都工繊大）
09:30 - 12:30 |
| (7) |
09:30-10:30 |
［招待講演］強誘電体電界効果トランジスタの動的挙動のデバイスシミュレーション SDM2019-74 |
○服部淳一・池上 努・福田浩一・太田裕之・右田真司・浅井栄大（産総研） |
| (8) |
10:30-11:30 |
［招待講演］不純物の離散性に伴った半導体デバイスモデリングの基本的側面 II ～ 半導体ナノ構造におけるランダム不純物 ～ SDM2019-75 |
○佐野伸行（筑波大） |
| (9) |
11:30-12:30 |
［招待講演］SiC酸化プロセスの第一原理分子動力学解析 SDM2019-76 |
○大野隆央（物質・材料研究機構） |
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12:30-13:30 |
昼食 （ 60分 ） |
11月8日(金) 午後
座長: 安斎久浩 （ソニーセミコンダクタソリューションズ）
13:30 - 15:30 |
| (10) |
13:30-14:30 |
［招待講演］トレンチゲート型Si-IGBTの3次元精密TCADシミュレーション SDM2019-77 |
○渡辺正裕・執行直之・星井拓也・古川和由・角嶋邦之（東工大）・佐藤克己（三菱電機）・末代知子（東芝デバイス&ストレージ）・更屋拓哉・高倉俊彦・伊藤一夫・福井宗利・鈴木慎一・竹内 潔（東大）・宗田伊里也・若林 整（東工大）・中島 昭（産総研）・西澤伸一（九大）・筒井一生（東工大）・平本俊郎（東大）・大橋弘通・岩井 洋（東工大） |
| (11) |
14:30-15:30 |
［招待講演］6.5kV IGBTにおける飽和電流とテール電流のTCADキャリブレーションの方法と考察 SDM2019-78 |
○諏訪剛史・早瀬茂昭（東芝デバイス&ストレージ） |
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15:30-15:40 |
休憩 （ 10分 ） |
11月8日(金) 午後
座長: 國清辰也 （ルネサス エレクトロ二クス）
15:40 - 16:40 |
| (12) |
15:40-16:40 |
［招待講演］先進CMOSイメージセンサ開発へ向けたRTSノイズの計測・解析技術 SDM2019-79 |
○黒田理人（東北大） |
：noda.taiji[atmark]jp.panasonic.com