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電子デバイス研究会 (ED) (検索条件: 2012年度)
「from:2013-01-17 to:2013-01-17」による検索結果
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| MW, ED (共催) |
2013-01-17 14:30 |
東京 | 機械振興会館 | 94GHz帯NRDガイドの設計 ○黒木太司・井上晋吾・森田智紀・久保遥平（呉高専）  ED2012-112 MW2012-142 |
[more] | ED2012-112 MW2012-142 pp.1-4 |
| MW, ED (共催) |
2013-01-17 14:55 |
東京 | 機械振興会館 | 放送、通信用の電波を対象とした電磁波エネルギー回収の回路検討 ○北沢祥一・鴨田浩和・花澤理宏・阿野 進・伴 弘司・小林 聖（ATR） ED2012-113 MW2012-143 |
本稿では、放送や携帯電話などの通信用の電磁波から電力を回収するエネルギーハーベスティングについて報告する．筆者らはこれま... [more] | ED2012-113 MW2012-143 pp.5-10 |
| MW, ED (共催) |
2013-01-17 15:20 |
東京 | 機械振興会館 | FETの寄生素子を考慮した伝送線路帰還FET発振回路のQファクタシミュレーションとSSB雑音測定 ○南 昂孝・崎原孫周・ウリン トヤ・上原秀幸・大平 孝（豊橋技科大） ED2012-114 MW2012-144 |
[more] | ED2012-114 MW2012-144 pp.11-16 |
| MW, ED (共催) |
2013-01-17 16:00 |
東京 | 機械振興会館 | Double-layer Corporate-feed Hollow-waveguide Slot Array Antenna and Its Data Transmission Test Results in millimeter wave band ○Dongjin Kim・Jiro Hirokawa・Makoto Ando（Tokyo Institute of Tech.）・Jun Takeuchi・Akihiko Hirata（NTT）・Tadao Nagatsuma（Osaka Univ.） ED2012-115 MW2012-145 |
[more] | ED2012-115 MW2012-145 pp.17-22 |
| MW, ED (共催) |
2013-01-17 16:25 |
東京 | 機械振興会館 | 120GHz帯20Gb/s QPSK送信／受信モジュール ○高橋宏行・小杉敏彦・枚田明彦・竹内 淳・村田浩一・久々津直哉（NTT） ED2012-116 MW2012-146 |
NTTでは120GHz帯無線リンクの周波数利用効率向上のため、QPSK変復調方式の研究を進めており、これまでに10Gb/... [more] | ED2012-116 MW2012-146 pp.23-28 |
| MW, ED (共催) |
2013-01-17 16:50 |
東京 | 機械振興会館 | 120GHz帯無線の気象条件に起因する減衰変化速度の評価 ○枚田明彦・竹内 淳・高橋宏行・久々津直哉（NTT） ED2012-117 MW2012-147 |
トラフィックの急激な増加に起因する屋外バックホール無線回線の大容量化に対応すべく、我々は屋外での 10 Gbps 伝送が... [more] | ED2012-117 MW2012-147 pp.29-33 |
| MW, ED (共催) |
2013-01-18 10:00 |
東京 | 機械振興会館 | Low-loss On Chip CMOS Patterned Ground Coplanar Waveguide Transmission Line for Millimeter-wave Technology ○Dayang Azra Binti Awang Mat・Ramesh K. Pokharel・Rohana Sapawi・Haruichi Kanaya・Keiji Yoshida（Kyushu Univ.） ED2012-118 MW2012-148 |
[more] | ED2012-118 MW2012-148 pp.35-38 |
| MW, ED (共催) |
2013-01-18 10:25 |
東京 | 機械振興会館 | ハーフモードグルーブガイドを用いた無線電力伝送用0dBカプラの検討 ○森 星弥・岸原充佳・大久保賢祐・滝本裕則（岡山県立大）・太田 勲（兵庫県立大） ED2012-119 MW2012-149 |
本論文では, 簡易な金属枠のみで実現されるハーフモードグルーブガイドを用いた0dBカプラの設計を行い, 無線電力伝送用0... [more] | ED2012-119 MW2012-149 pp.39-44 |
| MW, ED (共催) |
2013-01-18 10:50 |
東京 | 機械振興会館 | 2.6GHz帯40W広帯域ドハティアンプの開発 ○由村典宏・渡辺直樹・出口博昭・宇井範彦（住友電工デバイスイノベーション） ED2012-120 MW2012-150 |
携帯電話基地局用に2.6GHz帯40W広帯域ドハティアンプを開発した．本ドハティアンプは105W級の窒化ガリウム(GaN... [more] | ED2012-120 MW2012-150 pp.45-48 |
| MW, ED (共催) |
2013-01-18 11:15 |
東京 | 機械振興会館 | 短ゲート化によるSSPS用GaN増幅器の高効率化検討 ○山口裕太郎・大石敏之・大塚浩志・吉岡貴章・小山英寿・鮫島文典・津山祥紀・山中宏治（三菱電機） ED2012-121 MW2012-151 |
SSPS(Space Solar Power Stations/System)向けGaN HEMT高効率増幅器について報... [more] | ED2012-121 MW2012-151 pp.49-52 |
| MW, ED (共催) |
2013-01-18 13:00 |
東京 | 機械振興会館 | Siショットキーバリアダイオードを集積化したGaNトランジスタによるDC-DCコンバータの高効率動作 ○宇治田信二・森田竜夫・梅田英和・木下雄介・田村聡之・按田義治・上田哲三・田中 毅（パナソニック） ED2012-122 MW2012-152 |
低電圧DC-DCコンバータ用途として、Siショットキーバリアダイオード（SBD）を集積化したノーマリオフGaNトランジス... [more] | ED2012-122 MW2012-152 pp.53-56 |
| MW, ED (共催) |
2013-01-18 13:25 |
東京 | 機械振興会館 | ソースフィールドプレート構造AlGaN/GaN HEMTのラグ現象，電流コラプス及び耐圧特性の解析 ○塙 秀之・小野寺 啓・堀尾和重（芝浦工大） ED2012-123 MW2012-153 |
ソースフィールドプレート構造AlGaN/GaN HEMTのラグ現象，電流コラプス及び耐圧特性を２次元数値解析し，その結果... [more] | ED2012-123 MW2012-153 pp.57-62 |
| MW, ED (共催) |
2013-01-18 13:50 |
東京 | 機械振興会館 | GaNパワーデバイスのスイッチング特性における深い準位の影響 ○田中健一郎・石田昌宏・上田哲三・田中 毅（パナソニック） ED2012-124 MW2012-154 |
ノーマリオフ型AlGaN/GaNヘテロ構造電界効果トランジスタにおける,高電界印加時の電流コラプスの発現メカニズムについ... [more] | ED2012-124 MW2012-154 pp.63-68 |
| MW, ED (共催) |
2013-01-18 14:30 |
東京 | 機械振興会館 | AlGaN/GaN HEMTのドレインリーク電流解析 ○林 一夫・大石敏之・加茂宣卓・山口裕太郎・大塚浩志・山中宏治・中山正敏（三菱電機）・宮本恭幸（東工大） ED2012-125 MW2012-155 |
AlGaN/GaN HEMTのドレインリーク電流について，実測とTCADシミュレーションの両方から解析した．まず，ピンチ... [more] | ED2012-125 MW2012-155 pp.69-74 |
| MW, ED (共催) |
2013-01-18 14:55 |
東京 | 機械振興会館 | SiCNゲート絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MISゲートHEMT ○小林健悟・吉田智洋・尾辻泰一・片山竜二・松岡隆志・末光哲也（東北大） ED2012-126 MW2012-156 |
HMDSを反応ガスとするPECVDにより堆積したSiCNゲート絶縁膜を導入したAlGaN/GaN MISゲート高電子移動... [more] | ED2012-126 MW2012-156 pp.75-78 |
| MW, ED (共催) |
2013-01-18 15:20 |
東京 | 機械振興会館 | 多層SiCN鋳型を用いたT型ゲート電極を用いたInGaAs HEMT ○吉田智洋・小林健悟・尾辻泰一・末光哲也（東北大） ED2012-127 MW2012-157 |
ミリ波帯応用を目指したIII-V系化合物半導体FETにおいては，短ゲート化に伴うゲート抵抗増大への対策としてT型ゲート電... [more] | ED2012-127 MW2012-157 pp.79-84 |
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