| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 研究会 開催スケジュール |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
シリコン材料・デバイス研究会 (SDM) (検索条件: 2014年度)
「from:2014-11-06 to:2014-11-06」による検索結果
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2014-11-06 10:05 |
東京 | 機械振興会館 | 非対称ダブル・ゲート横型トンネルFETの解析モデル ○呂 鴻飛・佐藤伸吾・大村泰久（関西大）・アブヒジット マリック（カルカッタ大）  SDM2014-96 |
本論文では非対称Double-Gate Tunnel FET(ADG-TFET)の解析ポテンシャルモデルを報告する。チャ... [more] | SDM2014-96 pp.1-6 |
| SDM | 2014-11-06 10:30 |
東京 | 機械振興会館 | Gate-on-Germanium Source (GoGeS)縦型トンネルFETの解析モデルの検討 ○大村泰久・佐藤伸吾（関西大）・アブヒジット マリック（カルカッタ大） SDM2014-97 |
[more] | SDM2014-97 pp.7-12 |
| SDM | 2014-11-06 10:55 |
東京 | 機械振興会館 | モンテカルロ法によるSiCへの3次元不純物イオン注入計算 ○岡本 稔・清水 守・大倉康幸・山口 憲・小池秀耀（アドバンスソフト） SDM2014-98 |
[more] | SDM2014-98 pp.13-18 |
| SDM | 2014-11-06 11:20 |
東京 | 機械振興会館 | SiCパワーデバイス(DioMOS)のSPICEモデルの構築 ～ 双対性による逆方向電流のモデル化 ～ ○山本哲也・澤井徹郎・堀川信之・神澤好彦・水谷研治・大塚信之・藤井英治（パナソニック） SDM2014-99 |
SiC MOSFETの電流・電圧（Ids-Vds）特性を再現し、スイッチング回路での特性評価を可能とするSPICEモデル... [more] | SDM2014-99 pp.19-24 |
| SDM | 2014-11-06 13:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］デバイス・シミュレーション ～ 30年間を振り返って ～ ○執行直之（東芝） SDM2014-100 |
TCADは，デバイス開発に必須なツールとなっている．仮想的な試作により，開発期間の短縮やプロセスばらつきに強いロバスト設... [more] | SDM2014-100 pp.25-30 |
| SDM | 2014-11-06 13:50 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］計算物理に基づく電子材料設計の最近の進展 ○影島博之（島根大） SDM2014-101 |
計算物理においては、物質の性質をフィッティングパラメータ無しで精密に計算可能な第一原理計算法がパワフルで魅力的である。高... [more] | SDM2014-101 pp.31-36 |
| SDM | 2014-11-06 14:40 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］電荷蓄積型メモリーのモデリング・シミュレーションと信頼性課題 ○石原貴光・安田直樹・藤井章輔（東芝） SDM2014-102 |
電荷蓄積層の欠陥準位への電子捕獲を利用した電荷蓄積型メモリーは、有力な次世代メモリー候補である．その動作機構は複雑であり... [more] | SDM2014-102 pp.37-42 |
| SDM | 2014-11-07 10:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］SISPAD 2014 レビュー ○園田賢一郎（ルネサス エレクトロニクス） SDM2014-103 |
2014 International Conference on Simulation of Semiconductor... [more] | SDM2014-103 pp.43-46 |
| SDM | 2014-11-07 10:50 |
東京 | 機械振興会館 | 半導体Si結晶育成中の点欠陥挙動に与える熱応力とドーパントの効果 ○末岡浩治・神山栄治・中村浩三（岡山県立大）・イアン ファンヘレモント（ゲント大） SDM2014-104 |
LSIの基板として格子間Si原子（I）と原子空孔（V）を完全に対消滅させた300 mm直径の無欠陥Siウェーハが実用され... [more] | SDM2014-104 pp.47-52 |
| SDM | 2014-11-07 11:15 |
東京 | 機械振興会館 | モンテカルロ法を用いたSiダブルゲート構造MOSFETの準バリスティック輸送係数の抽出 ○土屋英昭・石田良馬（神戸大）・鎌倉良成・森 伸也（阪大）・宇野重康（立命館大）・小川真人（神戸大） SDM2014-105 |
本稿では、モンテカルロシミュレーションを用いてSiダブルゲート構造MOSFETの準バリスティック輸送係数を抽出し、物理的... [more] | SDM2014-105 pp.53-58 |
| SDM | 2014-11-07 13:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］ランダムテレグラフノイズの統計解析とそのモデリング ○三木浩史（日立） SDM2014-106 |
[more] | SDM2014-106 pp.59-64 |
| SDM | 2014-11-07 13:50 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］Interface Engineering for High Mobility Ge MOSFETs: Surface Orientation and Scattering Mechanism ○ChoongHyun Lee・Tomonori Nishimura・Akira Toriumi（Univ. of Tokyo） SDM2014-107 |
[more] | SDM2014-107 pp.65-70 |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]