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電子デバイス研究会 (ED)  (検索条件: 2018年度)

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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ED 2018-10-24
14:00
東京 機械振興会館 地下3階1号室 ボルケーノ構造スピント型エミッタアレイの動作チップ数の向上
新谷英世・○村田英一池田貴大六田英治下山 宏名城大)・長尾昌善村上勝久産総研ED2018-26
これまで我々は、フィールドエミッタアレイ(FEA)の動作状態のリアルタイム観察が可能なマルチエミッタ評価用SEEM/PE... [more] ED2018-26
pp.1-4
ED 2018-10-24
14:25
東京 機械振興会館 地下3階1号室 大電力パルススパッタ法によるスピント型陰極作製における放電ガス(アルゴン、クリプトン)の効果
谷口日向大家 溪中野武雄成蹊大)・長尾昌善大崎 壽村上勝久産総研ED2018-27
スピント型エミッタは真空電子源のひとつである。この陰極は、上部にホールの開いた微細キャビティを基板上に形成し、ホールを通... [more] ED2018-27
pp.5-8
ED 2018-10-24
14:50
東京 機械振興会館 地下3階1号室 Pd酸化物を貴金属供給源に持つ貴金属被覆ナノ電子源の作製 ~ Pd酸化物の還元処理の検討 ~
浅井泰尊川合亮太松原史弥田中崇之村田英一六田英治名城大ED2018-28
 [more] ED2018-28
pp.9-12
ED 2018-10-24
15:35
東京 機械振興会館 地下3階1号室 Graphene形成によって誘起されたNi針先端の構造変化
川合亮太浅井泰尊松原史弥田中崇之村田英一六田英治名城大ED2018-29
 [more] ED2018-29
pp.13-16
ED 2018-10-24
16:00
東京 機械振興会館 地下3階1号室 アルカリ光電面を用いた超高速変調ビーム形成に関する基礎実験
高橋隼斗根尾陽一郎細田 誠三村秀典静岡大ED2018-30
 [more] ED2018-30
pp.17-20
ED 2018-10-24
16:25
東京 機械振興会館 地下3階1号室 時間依存密度汎関数によるカーボンナノチューブのエミッションパターンの計算
樋口敏春山田洋一佐々木正洋筑波大ED2018-31
時間依存密度汎関数法を用い,カーボンナノチューブ(CNT)のフィールドエミッションパターンを計算した.アームチェア型,ジ... [more] ED2018-31
pp.21-24
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