1月29日(金) 午前  MW研 一般講演 座長: 平野 拓一（東京都市大学） 10:25 - 12:10
	10:25-10:30	MW研委員長挨拶　（ 5分 ）
(1)	10:30-10:55	電磁界結合型2分の1波長共振器フィルタの設計理論に関する研究 ED2020-27 MW2020-80	○二ッ矢幹基・石崎俊雄（龍谷大）
(2)	10:55-11:20	複数放射素子・複数共振器で構成される3直交軸成分放射60 GHz帯平面アンテナの測定評価 ED2020-28 MW2020-81	○大平昌敬・馬　哲旺（埼玉大）
(3)	11:20-11:45	異なるタイミングの位相情報を用いたTime to Digital Converterの試作結果 ED2020-29 MW2020-82	○森野芳昭・津留正臣（三菱電機）
(4)	11:45-12:10	2周波混合ベクトル合成型移相器を用いたV帯受信RFICの試作結果 ED2020-30 MW2020-83	○横溝真也・森野芳昭・津留正臣（三菱電機）
	12:10-13:00	休憩　（ 50分 ）
1月29日(金) 午後  ED研 一般講演 座長: 宮本 恭幸（東京工業大学） 13:00 - 14:15
(5)	13:00-13:25	HfSiOxゲート AlGaN/GaN HEMTsのDC特性とMOS界面評価 ED2020-31 MW2020-84	○越智亮太（北大）・前田瑛里香（芝浦工大/物質・材料研究機構）・生田目俊秀（物質・材料研究機構）・塩﨑宏司（名大）・橋詰　保（北大/名大）
(6)	13:25-13:50	異なるトラップを持つAlGaN/GaN HEMTにおける2次元デバイスシミュレーションによるサイドゲート効果の解析 ED2020-32 MW2020-85	○伊藤海到・大石敏之（佐賀大）
(7)	13:50-14:15	β-Ga2O3 MOSFETの高周波特性評価と遅延時間解析 ED2020-33 MW2020-86	○上村崇史・中田義昭・東脇正高（NICT）
	14:15-14:25	休憩　（ 10分 ）
1月29日(金) 午後  MW研 一般講演 座長: 大石 敏之（佐賀大学） 14:25 - 15:40
(8)	14:25-14:50	界面不純物低減によるGaN基板上GaN-HEMTの高効率化 ED2020-34 MW2020-87	○熊崎祐介・多木俊裕・小谷淳二・尾崎史朗（富士通/富士通研）・新井田佳孝（富士通研）・美濃浦優一（富士通/富士通研）・西森理人（富士通）・岡本直哉（富士通/富士通研）・佐藤　優・中村哲一（富士通研）・渡部慶二（富士通/富士通研）
(9)	14:50-15:15	InGaAs HEMT寄生抵抗抽出高精度化の検討 ED2020-35 MW2020-88	○谷口慶伍（東京理科大）・細谷友崇（東北大）・楳田洋太郎・高野恭弥（東京理科大）・末光哲也・佐藤　昭（東北大）
(10)	15:15-15:40	ゲート容量負荷部の高調波処理によるCMOSスタック増幅器の高効率化検討 ED2020-36 MW2020-89	○竹添慎司・森野芳昭・津留正臣（三菱電機）
	15:40-15:50	休憩　（ 10分 ）
1月29日(金) 午後  MW研 招待講演 座長: 古神 義則（宇都宮大） 15:50 - 16:40
(11)	15:50-16:40	［招待講演］次世代電力増幅器の高効率化技術と歪み補償技術 ED2020-37 MW2020-90	○山岡敦志・ホーン トーマス・江頭慶真・山口恵一（東芝）
	16:40-16:45	委員長挨拶　（ 5分 ）

問合先と今後の予定
ED	電子デバイス研究会（ED）   [今後の予定はこちら]
	問合先	岩田 達哉(富山県立大学) TEL: 0766-56-7500 E-: t_ipu- 小谷 淳二（富士通研究所） E-: jun-01
MW	マイクロ波研究会（MW）   [今後の予定はこちら]
	問合先	佐藤 優（富士通研究所） E-: もしくは 大平 昌敬（埼玉大） E-: i-u
	お知らせ	◎【MW研からのお知らせ】 2020年度より、各年度のMW研の全発表の中から、優秀な研究発表を行った学生講演者を対象として「学生研究優秀発表賞」と「学生研究発表奨励賞」を選定します。

Last modified: 2021-01-12 18:58:46