10月19日(火) 午前  座長: 明連広昭(埼玉大学） 10:15 - 11:55
(1)	10:15-10:40	非対称ナノブリッジにおけるボルテクスのラチェット的挙動 SCE2010-24	○藤田圭佑・梶野顕明・早川桂太・安　保宇・井上真澄・藤巻　朗（名大）
(2)	10:40-11:05	電流バイアスされた固有ジョセフソン接合からのテラヘルツ波放射スペクトルの検討 SCE2010-25	○立木　隆・内田貴司（防衛大）
(3)	11:05-11:30	プラズマ窒化AlNx障壁層を持つNbNトンネル接合の電気的特性 SCE2010-26	○内藤直生人・船井辰則・丸山千風・赤池宏之・藤巻　朗（名大）
(4)	11:30-11:55	Nb-AlOx-Nbジョセフソン接合における臨界電流値バラツキの解析 SCE2010-27	○日野出憲治・佐藤哲朗・永沢秀一・日高睦夫（国際超電導産技研センター）
10月19日(火) 午後  座長: 吉川信行（横浜国立大学） 13:15 - 14:55
(5)	13:15-13:40	NbN及びMgB2を用いたグラウンドプレーンによる磁束トラップへの影響 SCE2010-28	○御田村直樹・内藤直生人・赤池宏之・藤巻　朗（名大）・新原佳紘・内藤方夫（東京農工大）
(6)	13:40-14:05	TDGL方程式による超伝導体薄膜の磁場排除効果の数値解析 SCE2010-29	○堤　早希・御田村直樹・赤池宏之・井上真澄・藤巻　朗（名大）
(7)	14:05-14:30	フリップチップ接続による磁場結合方式に基づくSQUIDの評価 SCE2010-30	○山田隆宏・前澤正明・丸山道隆・大江武彦・浦野千春・金子晋久（産総研）・日高睦夫・佐藤哲朗・永沢秀一・日野出憲治（国際超電導産技研センター）・神代　暁（産総研）
(8)	14:30-14:55	SSPDアレー化のためのSFQ読み出し動作の実証 SCE2010-31	○寺井弘高・三木茂人・山下太郎・牧瀬圭正・王　鎮（NICT）
	14:55-15:10	休憩　（ 15分 ）
10月19日(火) 午後  座長: 日高睦夫（国際超電導産業技術研究センター） 15:10 - 16:50
(9)	15:10-15:35	SFQ回路への光回路の集積 ～ ISTEC Nb standard processIIを用いたコンポーネントの検討 ～ SCE2010-32	○有田与希・吉川信行・馬場俊彦（横浜国大）
(10)	15:35-16:00	10 kA/cm2プロセスを用いた2並列2段単一磁束量子再構成可能なデータパスの動作実証 SCE2010-33	○岡田将和・カタエバ イリナ・伊藤将人・田中雅光・赤池宏之・藤巻　朗（名大/JST）・吉川信行（横浜国大/JST）・永沢秀一（国際超電導産技研センター/JST）・高木直史（京大/JST）
(11)	16:00-16:25	10 kA/cm^2 Nb Processを用いたSFQバタフライ演算回路の要素回路の動作評価 SCE2010-34	○宮岡史滋・島村泰浩・貝沼世樹・山梨裕希・吉川信行（横浜国大）
(12)	16:25-16:50	Josephson-CMOSハイブリッドメモリのアクセスタイムのアドレス依存性の測定 SCE2010-35	○矢口謙太・桑原啓太・陳　賢珠・山梨裕希・吉川信行（横浜国大）

問合先と今後の予定
SCE	超伝導エレクトロニクス研究会（SCE）   [今後の予定はこちら]
	問合先	赤池宏之（名古屋大学） TEL:052-789-3324, FAX:052-789-3160 email: aiee-u

Last modified: 2010-08-20 17:29:53