1月30日(火) 午前  11:00 - 16:30
(1)	11:00-11:30	［招待講演］過渡解析TCADシミュレーションによる強誘電体負性容量FinFETトランジスタの考察 SDM2017-91	○太田裕之・右田真司・池上　努・服部淳一・浅井栄大・福田浩一（産総研）・鳥海　明（東大）
(2)	11:30-12:00	［招待講演］Type-IIエネルギーバンド構造を有する酸化物半導体／(Si, SiGe, Ge)積層型トンネル電界効果トランジスタの提案と動作実証 SDM2017-92	○加藤公彦・松井裕章・田畑　仁・竹中　充・高木信一（東大）
	12:00-13:30	昼食　（ 90分 ）
(3)	13:30-14:00	［招待講演］Vth Nearingによる3D-NAND型フラッシュメモリの垂直方向の電荷移動抑制技術 SDM2017-93	○溝口恭史・小滝翔平・出口慶明・竹内　健（中大）
(4)	14:00-14:30	［招待講演］16/14nmノード混載フラッシュメモリに向けた狭いVth分布を持つFinFET Split-Gate MONOSアレイの信頼性及びスケーラビリティ SDM2017-94	○津田是文・斉藤朋也・長瀬寛和・川嶋祥之・吉冨敦司・岡西　忍・林　倫弘・丸山卓也・井上真雄・村中誠志・加藤茂樹・萩原琢也・齊藤博和・山口　直・門島　勝・丸山隆弘・三原竜善・柳田博史・園田賢一郎・山下朋弘・山口泰男（ルネサス エレクトロニクス）
	14:30-15:00	休憩　（ 30分 ）
(5)	15:00-15:30	［招待講演］STDP synapse with outstanding stability based on a novel insulator-to-metal transition FET SDM2017-95	○Pablo Stoliar（nanoGUNE）・Alejandro Schulman・Ai Kitoh・Akihito Sawa・Isao H. Inoue（AIST）
(6)	15:30-16:00	［招待講演］Sub-nm EOT Ferroelectric HfO2 on p+Ge with Highly Reliable Field Cycling Properties SDM2017-96	○Xuan Tian・Lun Xu・Shigehisa Shibayama・Tomonori Nishimura・Takeaki Yajima（Univ. of Tokyo）・Shinji Migita（AIST）・Akira Toriumi（Univ. of Tokyo）
(7)	16:00-16:30	［招待講演］IEDM2017を振り返って ○高柳万里子（東芝）

問合先と今後の予定
SDM	シリコン材料・デバイス研究会（SDM）   [今後の予定はこちら]
	問合先	黒田 理人(東北大) Tel 022-795-4833 Fax 022-795-4834 E-: e3

Last modified: 2017-12-04 16:14:46