11月6日(木) 午前  座長: 山川真弥 （ソニー） 10:00 - 11:45
	10:00-10:05	オープニング アドレス　（ 5分 ）
(1)	10:05-10:30	非対称ダブル・ゲート横型トンネルFETの解析モデル SDM2014-96	○呂　鴻飛・佐藤伸吾・大村泰久（関西大）・アブヒジット マリック（カルカッタ大）
(2)	10:30-10:55	Gate-on-Germanium Source (GoGeS)縦型トンネルFETの解析モデルの検討 SDM2014-97	○大村泰久・佐藤伸吾（関西大）・アブヒジット マリック（カルカッタ大）
(3)	10:55-11:20	モンテカルロ法によるSiCへの3次元不純物イオン注入計算 SDM2014-98	○岡本　稔・清水　守・大倉康幸・山口　憲・小池秀耀（アドバンスソフト）
(4)	11:20-11:45	SiCパワーデバイス(DioMOS)のSPICEモデルの構築 ～ 双対性による逆方向電流のモデル化 ～ SDM2014-99	○山本哲也・澤井徹郎・堀川信之・神澤好彦・水谷研治・大塚信之・藤井英治（パナソニック）
	11:45-13:00	昼食　（ 75分 ）
11月6日(木) 午後  座長: 國清辰也 （ルネサスエレクトロニクス） 13:00 - 15:30
(5)	13:00-13:50	［招待講演］デバイス・シミュレーション ～ 30年間を振り返って ～ SDM2014-100	○執行直之（東芝）
(6)	13:50-14:40	［招待講演］計算物理に基づく電子材料設計の最近の進展 SDM2014-101	○影島博之（島根大）
(7)	14:40-15:30	［招待講演］電荷蓄積型メモリーのモデリング・シミュレーションと信頼性課題 SDM2014-102	○石原貴光・安田直樹・藤井章輔（東芝）
11月7日(金) 午前  座長: 安斎久浩 （ソニー） 10:00 - 11:40
(8)	10:00-10:50	［招待講演］SISPAD 2014 レビュー SDM2014-103	○園田賢一郎（ルネサス エレクトロニクス）
(9)	10:50-11:15	半導体Si結晶育成中の点欠陥挙動に与える熱応力とドーパントの効果 SDM2014-104	○末岡浩治・神山栄治・中村浩三（岡山県立大）・イアン ファンヘレモント（ゲント大）
(10)	11:15-11:40	モンテカルロ法を用いたSiダブルゲート構造MOSFETの準バリスティック輸送係数の抽出 SDM2014-105	○土屋英昭・石田良馬（神戸大）・鎌倉良成・森　伸也（阪大）・宇野重康（立命館大）・小川真人（神戸大）
	11:40-13:00	昼食　（ 80分 ）
11月7日(金) 午後  座長: 小田義則 (STARC) 13:00 - 14:40
(11)	13:00-13:50	［招待講演］ランダムテレグラフノイズの統計解析とそのモデリング SDM2014-106	○三木浩史（日立）
(12)	13:50-14:40	［招待講演］Interface Engineering for High Mobility Ge MOSFETs: Surface Orientation and Scattering Mechanism SDM2014-107	○ChoongHyun Lee・Tomonori Nishimura・Akira Toriumi（Univ. of Tokyo）

問合先と今後の予定
SDM	シリコン材料・デバイス研究会（SDM）   [今後の予定はこちら]
	問合先	安斎 久浩 （ソニー） E-: HiAniny 国清 辰也 （ルネサス エレクトロニクス） E-: zns

Last modified: 2014-10-09 08:31:33