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電子部品・材料研究会(CPM) [schedule] [select]
専門委員長 寺迫 智昭 (愛媛大)
副委員長 武山 真弓 (北見工大)
幹事 中澤 日出樹 (弘前大), 番場 教子 (信州大)
幹事補佐 有馬 ボシールアハンマド (山形大), 岩田 展幸 (日大), 木村 康男 (東京工科大), 中村 雄一 (豊橋技科大), 廣瀬 文彦 (山形大)

日時 2026年 7月15日(水) 14:15 - 16:55
2026年 7月16日(木) 09:30 - 11:45
議題 電子部品・材料,一般 
会場名 弘前大学 文京町地区キャンパス 創立50周年記念会館2階 会議室2 
住所 〒036-8560 青森県弘前市文京町1番地
交通案内 JR弘前駅から徒歩20分、又はJR弘前駅よりバスにて約15分(JR弘前駅前(中央口)【3番のりば】から「小栗山・狼森(おいのもり)線」又は「学園町線」に乗車し、【弘前大学前】下車)
http://www.hirosaki-u.ac.jp/wp_access/campus_bunkyocho.html
会場世話人
連絡先
理工学研究科 中澤日出樹
0172-39-3557
参加費に
ついて
この開催は「技報完全電子化」研究会です.参加費(CPM研究会)についてはこちらをご覧ください
参加費支払い手続き期限 本研究会はハイブリッド開催です.準備の都合上,原則として開催の3日前までに受付を終了しますので,「参加費について」の聴講参加費または年間登録費のリンクからお早めにお手続きください.当日会場での現金受付はございません.なお,会議用URLなどは研究会幹事からご案内します.
学生(聴講のみ):会員・非会員 こちらのフォームからお申し込みください

7月15日(水) 午後 
14:15 - 16:55
(1) 14:15-14:40 マグネトロンスパッタリングにより作製した炭化ホウ素/n型シリコンヘテロ構造の電気的特性 秋元壱畝利猫島徳人鈴木裕史小林康之中澤日出樹弘前大
(2) 14:40-15:05 ECRスパッタ法で作製したMoOx/Siヘテロ接合界面のコンダクタンス法及びCole-Coleプロットによる評価 三浦颯太今井楓大渡邊良祐弘前大
(3) 15:05-15:30 アニールによるサファイア基板上Cu(111)薄膜の平坦性制御 菅原有紡中澤日出樹小林康之弘前大
  15:30-15:40 休憩 ( 10分 )
(4) 15:40-16:05 サファイア基板上Ni(111)薄膜の結晶性に及ばす成長速度の影響 甲田希夢伊藤透真中澤日出樹小林康之弘前大
(5) 16:05-16:30 低温作製されたZrNx膜上におけるCu膜の配向性 佐藤 勝武山真弓北見工大
(6) 16:30-16:55 歯科材料における添加フィラーの効果 武山真弓北見工大/東京科学大)・平沼克己東京科学大学)・佐藤 勝北見工大
7月16日(木) 午前 
09:30 - 11:45
(7) 09:30-09:55 プラズマCVD法によるSiおよびN添加DLC膜特性に及ぼす基板バイアス効果 竹村凜太朗細川彩萌伊東翔太鈴木裕史遠田義晴小林康之中澤日出樹弘前大
(8) 09:55-10:20 ホログラフィック偏光ビームスプリッターの作製条件および回折特性評価 加藤泰輝鈴木風雅豊橋技科大)・加瀬澤寿宏エガリム)・堀米秀嘉HOLOMEDIA)・中村雄一豊橋技科大
(9) 10:20-10:45 大気圧化学気相堆積法によって成長した酸化物半導体ナノワイヤーを用いたUV光検出器の作製 寺迫智昭堀内理央山田知哉愛媛大)・矢木正和香川高専
  10:45-10:55 休憩 ( 10分 )
(10) 10:55-11:20 亜酸化窒素ガスによるSiC(0001)表面酸窒化における気相熱励起効果 伊東翔太向野 楓遠田義晴弘前大
(11) 11:20-11:45 テトラメチルシランを原料として用いたプラズマ化学気相堆積過程の赤外分光計測 篠原正典岩田晃拓福岡大)・宮澤 諒廣瀬文彦山形大

講演時間
一般講演発表 20 分 + 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
CPM 電子部品・材料研究会(CPM)   [今後の予定はこちら]
問合先 弘前大学大学院理工学研究科 中澤日出樹
0172-39-3557 


Last modified: 2026-05-22 10:54:54


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