| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 研究会 開催スケジュール |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
電子デバイス研究会 (ED) (検索条件: 2011年度)
「from:2012-01-11 to:2012-01-11」による検索結果
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED, MW (共催) |
2012-01-11 10:15 |
東京 | 機械振興会館 | カナダ・トロントとハワイでの宇宙太陽発電衛星用マイクロ波ビーム制御実験 ○賀谷信幸・岩下真士（神戸大）  ED2011-119 MW2011-142 |
[more] | ED2011-119 MW2011-142 pp.1-6 |
| ED, MW (共催) |
2012-01-11 10:40 |
東京 | 機械振興会館 | マイクロ波帯における高損失誘電材料を用いた超薄型一層電波吸収体の基礎検討 ○藤田敬人・津田祐己・安住壮紀・橋本 修（青学大）・和野隆司・福田佑紀（日東電工） ED2011-120 MW2011-143 |
本稿では，損失誘電材料を用いた超薄型電波吸収体の製造に関する検討を行った．まず，導波管法を用いて材料の複素比誘電率を測定... [more] | ED2011-120 MW2011-143 pp.7-12 |
| ED, MW (共催) |
2012-01-11 11:05 |
東京 | 機械振興会館 | 結合線路と伝送線路の組み合わせによるCMOSプロセスの利用を想定したミリ波有極形LPF,HPF,BPFに関する一検討 ○谷井宏成（電通大）・牧本三夫（サクラテック）・五十嵐貞男・福井邦明・小日向宏一（アールエフ・チップス・テクノロジー）・和田光司（電通大） ED2011-121 MW2011-144 |
本論文では、最初に結合線路と伝送線路を用いたミリ波LPFとHPFについて、偶モード及び奇モード解析よりそれらの減衰極の実... [more] | ED2011-121 MW2011-144 pp.13-18 |
| ED, MW (共催) |
2012-01-11 11:30 |
東京 | 機械振興会館 | 多層型SIWデュアルモード共振器を利用した準ミリ波帯帯域通過フィルタの設計 ○飛田和哉・馬 哲旺・大平昌敬（埼玉大） ED2011-122 MW2011-145 |
本研究では，準ミリ波帯においてサイズの小型化と加工性を同時に達成できるSIW構造を用いて高性能な小型帯域通過フィルタ（B... [more] | ED2011-122 MW2011-145 pp.19-24 |
| ED, MW (共催) |
2012-01-11 13:00 |
東京 | 機械振興会館 | ミリ波帯導波管／マイクロストリップライン変換器の広帯域化 ○鈴木俊達・内海要三・森田 登・平栗健史（日本工大）・横田宗大・亀井利久（防衛大）・千野聖純・青木生朗・鈴木洋介（キーコム） ED2011-123 MW2011-146 |
本論文では，導体板両張り誘電体基板をH面中央で割った分割導波管で挟み込んだ構造（いわゆるフィンライン構造）により，導波管... [more] | ED2011-123 MW2011-146 pp.25-30 |
| ED, MW (共催) |
2012-01-11 13:25 |
東京 | 機械振興会館 | ダイレクトサンプリングミキサ方式WLAN受信機の設計手法 ○齊藤典昭・森下陽平・森田忠士（パナソニック） ED2011-124 MW2011-147 |
微細CMOSを用いた無線受信集積回路において、受信希望波信号を選択するベースバンド帯アナログフィルタはその動作周波数が低... [more] | ED2011-124 MW2011-147 pp.31-34 |
| ED, MW (共催) |
2012-01-11 14:05 |
東京 | 機械振興会館 | フォトン・リサイクリングGaN p+nダイオード ○望月和浩（日立）・野本一貴・畠山義智・片寄秀雄（法政大）・三島友義・金田直樹・土屋忠巌（日立電線）・寺野昭久・石垣隆士・土屋朋信・土屋龍太（日立）・中村 徹（法政大） ED2011-125 MW2011-148 |
Photon recycling was used to increase ionization of Mg in Ga... [more] | ED2011-125 MW2011-148 pp.35-40 |
| ED, MW (共催) |
2012-01-11 14:30 |
東京 | 機械振興会館 | 広帯域増幅器のモデリング及び高調波歪み補償 ○Nhu Quyen Duong・荒木純道（東工大）・山田貴之・加保貴奈・山口 陽（NTT） |
[more] | |
| ED, MW (共催) |
2012-01-11 14:55 |
東京 | 機械振興会館 | 直交振幅変調信号を包絡線パルス幅変調した時のE級電力増幅器の歪補償 ○藤岡翔太・楳田洋太郎（東京理科大）・田久 修（信州大） ED2011-126 MW2011-149 |
無線通信における送信機は高い電力効率，線形性，低歪特性を持つことが必要である．包絡線パルス幅変調(EPWM)方式は，?-... [more] | ED2011-126 MW2011-149 pp.41-46 |
| ED, MW (共催) |
2012-01-11 15:20 |
東京 | 機械振興会館 | 多段バランス型RF整流回路 ○山田康太・荒川 孝・武田政宗・植村 順（マスプロ電工）・榊原久二男・菊間信良（名工大）・大平 孝（豊橋技科大） ED2011-127 MW2011-150 |
無線電力伝送やエネルギーハーベスティング，およびイメージング技術など新たなRFアプリケーションにおいて，高効率な整流回路... [more] | ED2011-127 MW2011-150 pp.47-52 |
| ED, MW (共催) |
2012-01-11 16:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［特別講演］単構造空間とベクトルポテンシャル ○黒川兼行（元富士通研） ED2011-128 MW2011-151 |
多くの教科書が発散０のべクトル関数は回転と表せるとしているが,これが何故誤りであるかを明らかにした． 正しくは「単構造空... [more] | ED2011-128 MW2011-151 pp.53-58 |
| ED, MW (共催) |
2012-01-12 10:10 |
東京 | 機械振興会館 | InGaAs MOSFETにおけるソース充電時間の検討 ○宮本恭幸・山田真之・内田 建（東工大） ED2011-129 MW2011-152 |
MOSFETにおいてチャネル長縮小がすすむと電子はチャネル内をバリスティックに走行するため、電流量がソースとチャネルの間... [more] | ED2011-129 MW2011-152 pp.59-62 |
| ED, MW (共催) |
2012-01-12 10:35 |
東京 | 機械振興会館 | MOCVD成長狭バンドギャップInGaAsSbベースを有する低ターン・オン電圧動作ヘテロ接合バイポーラトランジスタ ○星 拓也・杉山弘樹・横山春喜・栗島賢二・井田 実（NTT） ED2011-130 MW2011-153 |
通信トラフィックの増大に伴い、通信設備の電力消費量も増大し続けており、TIAのような光通信用トランシーバを構成するICの... [more] | ED2011-130 MW2011-153 pp.63-68 |
| ED, MW (共催) |
2012-01-12 11:00 |
東京 | 機械振興会館 | 0.5-um InP HBTによる光通信用60-GS/s D/A変換器 ○長谷宗彦・野坂秀之・佐野公一・村田浩一・栗島賢二・井田 実（NTT） ED2011-131 MW2011-154 |
100 Gb/s/chを超える高速・大容量光通信システムに向けて，16-QAMや64-QAMといった高度な多値変調技術の... [more] | ED2011-131 MW2011-154 pp.69-74 |
| ED, MW (共催) |
2012-01-12 11:25 |
東京 | 機械振興会館 | Components in 0.5-um-emitter-width InP-HBT Technology for High-Speed and Low-Power Applications ○Yves Bouvier・Munehiko Nagatani・Kimikazu Sano・Koichi Murata・Kenji Kurishima・Minoru Ida（NTT） ED2011-132 MW2011-155 |
Two basic components for high-speed and low-power applicatio... [more] | ED2011-132 MW2011-155 pp.75-79 |
| ED, MW (共催) |
2012-01-12 12:50 |
東京 | 機械振興会館 | 微細AlGaN/GaN HEMTの耐圧特性に与えるバッファ層内不純物とフィールドプレートの影響の解析 ○小野寺 啓・中島 敦・堀尾和重（芝浦工大） ED2011-133 MW2011-156 |
ゲート長やゲート・ドレイン間距離が比較的短いフィールドプレート構造AlGaN/GaN HEMTの２次元数値解析を行い，耐... [more] | ED2011-133 MW2011-156 pp.81-85 |
| ED, MW (共催) |
2012-01-12 13:15 |
東京 | 機械振興会館 | Step-stress Reliability Studies on AlGaN/GaN HEMTs on Silicon with Buffer Thickness Dependence ○Amalraj Frank Wilson・Akio Wakejima・Takashi Egawa（Nagoya Inst. of Tech.） ED2011-134 MW2011-157 |
[more] | ED2011-134 MW2011-157 pp.87-90 |
| ED, MW (共催) |
2012-01-12 13:40 |
東京 | 機械振興会館 | AlGaNチャネルHEMTの高温特性評価 ○畑野舞子・山崎 潤（福井大）・矢船憲成（シャープ）・徳田博邦（福井大）・山本喜之・橋本 信・秋田勝史（住友電工）・葛原正明（福井大） ED2011-135 MW2011-158 |
自立AlN基板上に作製したAlGaNチャネルHEMTの室温から300度までの電子輸送特性の温度依存性を評価した。温度上昇... [more] | ED2011-135 MW2011-158 pp.91-95 |
| ED, MW (共催) |
2012-01-12 14:05 |
東京 | 機械振興会館 | GaNおよびAlGaN/GaN上に形成した絶縁ゲート構造への表面処理の影響 ○堀 祐臣・金 聖植（北大）・橋詰 保（北大/JST） ED2011-136 MW2011-159 |
[more] | ED2011-136 MW2011-159 pp.97-100 |
| ED, MW (共催) |
2012-01-12 14:30 |
東京 | 機械振興会館 | P型障壁制御層を有する大電流・高耐圧GaNマルチジャンクションダイオード ○柴田大輔・海原一裕・村田智洋・山田康博・森田竜夫・按田義治・石田昌宏・石田秀俊・上田哲三・田中 毅・上田大助（パナソニック） ED2011-137 MW2011-160 |
[more] | ED2011-137 MW2011-160 pp.101-105 |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]